<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand閃存

          空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

          •   全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products,紐約證券交易所代碼:APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?! ∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品?! 】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項目,目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          處理器漏洞英特爾/Arm/AMD/高通/蘋果全躺槍:RISC-V能幸免于難?

          • 在英特爾處理器被曝出存在安全漏洞以來,事件不斷發(fā)酵,Arm、AMD相繼淪陷,如今蘋果、高通風、IBM均承認其處理器有被攻擊的危險。
          • 關(guān)鍵字: 處理器  RISC-V  

          簡析:固態(tài)硬盤(SSD)相關(guān)概念

          • 簡析:固態(tài)硬盤(SSD)相關(guān)概念-目前閃存在企業(yè)級應(yīng)用也越來越多,包括混合閃存陣列以及全閃存陣列全面上市,而且Gartner機構(gòu)預(yù)測,未來幾年閃存會有很大的發(fā)展。這里提的閃存概念是SSD概念,即固態(tài)硬盤,而固態(tài)硬盤是由多個NAND閃存芯片組成的。采用FLASH芯片作為存儲介質(zhì),這也是我們通常所說的SSD。這種SSD 固態(tài)硬盤最大的優(yōu)點就是可以移動,而且數(shù)據(jù)保護不受電源控制,能適應(yīng)于各種環(huán)境。
          • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  SSD  NAND閃存  

          高云半導(dǎo)體宣布加入RISC-V基金會

          •   廣東佛山,2017年10月18日訊,作為國內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商,廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導(dǎo)體”)今天宣布加入RISC-V基金會,成為該組織成員中第一家中國FPGA供應(yīng)商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導(dǎo)體又一次加入國際性行業(yè)聯(lián)盟組織,進一步向業(yè)界表達其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應(yīng)商的愿景。  RISC-V是一種新型的指令集架構(gòu)(ISA),其初衷是支持計算機體系結(jié)構(gòu)研究與教育,目前在RISC-V基金會的領(lǐng)導(dǎo)下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標準開放架構(gòu)。RISC-V&nb
          • 關(guān)鍵字: 高云  RISC-V  

          內(nèi)存顆粒漲價狂潮,來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細節(jié)

          • 內(nèi)存顆粒漲價狂潮,來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細節(jié)-2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元(MLC)閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性,并且在兩個母公司強大的IP庫支持下,IMFT在同一年推出的第一個產(chǎn)品就讓市場深受震動。
          • 關(guān)鍵字: NAND閃存  閃存  

          1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

          •   三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。   三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示,去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣,據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。   三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率,并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
          • 關(guān)鍵字: V-NAND  NVMe  

          三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

          •   相較于2.5寸SATA,M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢,如果總線走PCIe,速度上更是完爆。   在舊金山的閃存峰會上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達1Tb,用于消費級產(chǎn)品。   三星表示,今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品,即一整顆芯片封裝16Tb Die,繼續(xù)減小體積。   如此精巧之后,連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了,三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。   其
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

          •   據(jù)韓聯(lián)社報道,三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND,月產(chǎn)能可達20萬片,并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設(shè)備,解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。   據(jù)了解,位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè),日均投入1.2萬名施工人員,耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。   三星宣布,至2021年為止,要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元),并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          UltraSoC宣布推出業(yè)界首款支持RISC-V的處理器跟蹤技術(shù)

          •   領(lǐng)先的嵌入式分析技術(shù)開發(fā)商UltraSoC日前宣布:公司已經(jīng)開發(fā)出處理器跟蹤技術(shù),可支持基于開源RISC-V架構(gòu)的產(chǎn)品。UltraSoC公司已經(jīng)為處理器跟蹤技術(shù)開發(fā)了一套規(guī)范,將提供給RISC-V基金會(RISC-V Foundation)作為整個開源規(guī)范的一部分。此外,UltraSoC如今成為了首家可提供此項功能的生態(tài)系統(tǒng)參與者。  5家內(nèi)核(core)供應(yīng)商也已經(jīng)宣布他們支持新的跟蹤規(guī)范,使該規(guī)范成為軟件開發(fā)人員的一項關(guān)鍵功能,而不必擔心其使用的是何種處理器;該規(guī)范的交付是RISC-V生
          • 關(guān)鍵字: UltraSoC  RISC-V  

          中國全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù)

          •   從車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟獲悉,我國已啟動車用77-81GHz毫米波雷達無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗工作。同時,工業(yè)和信息化部日前發(fā)文委托車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟(TIAA)和中國信息通信研究院開展基于自主知識產(chǎn)權(quán)、用于智能交通車車通信的LTE-V無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗工作。   此次,啟動LTE-V無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗工作表明,中國已經(jīng)開始全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù),并以此支持具有我國先進通信技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和商用化,提升中國智能汽車、車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的核心競爭能力,支撐中國自主技術(shù)成為20
          • 關(guān)鍵字: 5G  LTE-V  

          基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

          • OP97運放輸出量程為±3.3V的電壓,需加一級V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過設(shè)置固定的5個碼值:FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過8個小時測試,其分辨率和精度均能達到15...
          • 關(guān)鍵字: OP97A  V  I轉(zhuǎn)換電路  

          由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

          基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

          • H.264等視頻壓縮算法在視頻會議中是核心的視頻處理算法,它要求在規(guī)定的短時間內(nèi),編解碼大量的視頻數(shù)據(jù),目前主要都是在DSP上運行。未來在添加4k*2k、H.265編解碼等功能,并要求控制一定成本的情況下,面臨DSP性能瓶
          • 關(guān)鍵字: altera  Cyclone V SoC  FPGA  DSP  

          基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

          • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大,氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機場配備了風廓線雷達,能夠為航空飛行提供機場上空的風速風向和溫度。基于保障風廓線雷達正常運行的目的,通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法,結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗,實現(xiàn)了風廓線雷達系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能,平均故障修復(fù)時間提高了95%。
          • 關(guān)鍵字: 故障轉(zhuǎn)移集群  Hyper-V  風廓線雷達  平均故障修復(fù)時間  

          讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

          • 如果說無人駕駛離消費者還很遙遠,那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道,奧迪將在其2017款的Q7和A4
          • 關(guān)鍵字: 奧迪  V-to-V  V-to-I   
          共430條 22/29 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 »

          v-nand閃存介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-nand閃存!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對v-nand閃存的理解,并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();