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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand閃存

          點(diǎn)燃高速傳輸接口戰(zhàn)局: USB3.0 V.S. eSATA

          • 但是,誰有這么多時(shí)間和耐性做完所有這種分析和測試——當(dāng)然JEDEC除外!本文將告訴您在測試您設(shè)計(jì)的散熱完整性時(shí)如何安全地繞過這些步驟。 通過訪問散熱數(shù)據(jù),您可以將散熱數(shù)據(jù)用于您正使用的具體封裝。這
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          V-MOS管測試

          IMFT推出20納米制程的NAND閃存

          •   日前,英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進(jìn)入量產(chǎn);128GB NAND閃存預(yù)計(jì)于2012年進(jìn)行量產(chǎn)。   20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元,英特爾與美光并未透露一個(gè)單元含有多少位(bit)。128GB NAND
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          三星有可能在中國建芯片廠

          •   日前消息稱,三星計(jì)劃投資約35億美元,在中國開辦芯片工廠,并于2013年投入營運(yùn)。據(jù)該公司一份監(jiān)管檔中表示,工廠將采用先進(jìn)的20納米技術(shù),生產(chǎn)NAND閃存芯片,但并未透露該座新工廠的地址和具體投資金額。   如果建廠計(jì)劃獲得中國官方批準(zhǔn),該工廠將是三星繼美國德州奧斯汀之后的第2座海外芯片制造工廠,三星還計(jì)劃在中國建立平板顯示屏幕生產(chǎn)基地。   韓國新韓投資公司分析師金永燦預(yù)計(jì),三星將為中國新廠投資4兆韓元(約合35億美元)至5兆韓元。   三星表示,已經(jīng)就在外國投建生產(chǎn)基地向韓國政府提交申請,后
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          Altera續(xù)發(fā)售Arria V FPGA

          • Altera公司今天宣布,開始發(fā)售其28-nm Arria V FPGA。Arria V器件是目前市場上支持10.3125-Gbps收發(fā)器技術(shù)、功耗最低的中端FPGA。利用該系列的創(chuàng)新特性,在無線、廣播等市場上,設(shè)計(jì)人員可以定制滿足下一代系統(tǒng)的低功耗、寬帶和低成本需求。Arria V器件是公司于2011年上半年發(fā)售Stratix V系列產(chǎn)品之后發(fā)售的另一28-nm系列產(chǎn)品,表明了Altera承諾交付滿足用戶各類設(shè)計(jì)需求的器件。
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          20nm最強(qiáng)制程 三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

          •   來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱,三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒,采用移動設(shè)備中常用的LPDDR2界面,此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb,是它的1/8。   新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造,幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。   相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn),具有斷電不掉數(shù)據(jù),耐久性好,速度快等優(yōu)點(diǎn);根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換來存儲數(shù)據(jù)。   預(yù)
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          驅(qū)動 WLED 未必需要 4 V 的電壓

          • 白光發(fā)光二極管(WLED)應(yīng)用相當(dāng)普遍,主要原因在于白光發(fā)光二極管可用于提供便攜式電子產(chǎn)品顯示器的背光。一...
          • 關(guān)鍵字: 升壓轉(zhuǎn)換器  I-V  WLED  

          高能效28 V、3.3 A LED街燈驅(qū)動器設(shè)計(jì)

          • 前言:隨著led在性能及成本幾乎各個(gè)方面的持續(xù)改進(jìn),LED照明正在用于越來越寬的應(yīng)用領(lǐng)域,其中LED街燈就是業(yè)界關(guān)...
          • 關(guān)鍵字: 高能效  28  V  LED  街燈驅(qū)動器  

          基于CAN總線的胎壓監(jiān)測系統(tǒng)在重型車輛上的應(yīng)用研究

          • 胎壓對于道路安全、乘坐舒適度、輪胎壽命以及車輛油耗來說是一個(gè)非常重要的因素。胎壓監(jiān)測系統(tǒng)(TPMS)使用...
          • 關(guān)鍵字: CAN總線  v  

          Altera發(fā)布業(yè)界第一款28-nm FPGA開發(fā)套件

          • 2011年9月7號,北京——Altera公司(NASDAQ:ALTR)今天宣布開始提供第一款帶有28-nm FPGA的開發(fā)套件——Stratix V GX FPGA信號完整性套件,在推動業(yè)界28-nm FPGA發(fā)展方面樹立了新里程碑。這一全功能套件支持設(shè)計(jì)工程師加速高性能系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和開發(fā),滿足了業(yè)界對提高帶寬的需求。Stratix V GX FPGA信號完整性開發(fā)套件為用戶提供的平臺能夠測量并評估從600 Mbps到12.5 Gbps的收發(fā)器鏈路性能。
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          蘋果代工:三星、臺積電一個(gè)都不想少

          •   市場上有關(guān)蘋果打算把其ARM-basediPad處理器的代工廠三星給拉下,或至少在下一代處理器A6把三星給換掉的傳言滿天飛。臺積電是呼聲甚高的替代人選。但除此之外,最近開始切入代工業(yè)務(wù)的英特爾,也成為被討論的對象之一。   
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          兩線制V/I變換器設(shè)計(jì)

          • V/I 變換器是一種可以用電壓信號控制輸出電流的電路。兩線制V/I變換器與一般V/I變換電路不同點(diǎn)在:電壓信號不是直接控制輸出電流,而是控制整個(gè)電路自身耗電電流。同時(shí),還要從電流環(huán)路上提取穩(wěn)定的電壓為調(diào)理電路和
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  變換器  V/I  

          納米器件電流-電壓(I-V)特性測試

          • 對于納米電子和半導(dǎo)體材料與薄膜,采用靈敏的電氣測量工具是十分必要的。它們提供的數(shù)據(jù)能夠幫助我們完全掌握新材料的電氣特性和新器件與元件的電氣性能。納米測量儀器的靈敏度必須要高得多,因?yàn)樾枰獪y量的電流和電
          • 關(guān)鍵字: I-V  納米器件  電流  電壓    

          NAND閃存高級制程技術(shù)量產(chǎn)后才有意義

          •   盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉(zhuǎn)移,但按閃存業(yè)者的看法,只有將這些高級制程投入量產(chǎn)使用才較有實(shí)際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí),所需的產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間越來越長,便是這一看法的明證之一。   
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          利用單片機(jī)控制的數(shù)字氣壓計(jì)開發(fā)與實(shí)現(xiàn)

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          v-nand閃存介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-nand閃存!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對v-nand閃存的理解,并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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