v-nand閃存 文章 進(jìn)入v-nand閃存技術(shù)社區(qū)
IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
- 關(guān)鍵字： 絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用 保護(hù)
TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲(chǔ)卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤
- TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè) 用CompactFlash（CF）存儲(chǔ)卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤 （SSD），最大容量高達(dá)16 Gbyte。 這些產(chǎn)品將TDK獨(dú)創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫 入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的NAND閃存卡，在高速性 能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺(tái)階。 此外，
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福布斯：Sun的閃存夢想
- 《福布斯》日前刊文指出，昔日的服務(wù)器巨頭Sun微系統(tǒng)公司正將其新的希望寄托在基于閃存技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品之上，希望借此恢復(fù)昔日的輝煌。 11月3日，Sun推出了一系列基于NAND閃存的數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品。眾所周知，閃存廣泛應(yīng)用于諸如iPods、筆記本、MP3、MP4產(chǎn)品之中，因?yàn)殚W存不僅可以提供更快的存儲(chǔ)速度，而且更省電。為此Sun號(hào)稱其全新的存儲(chǔ)系統(tǒng)Amber Road不僅更輕薄易于使用，而且其速度和效率是同等產(chǎn)品的4倍。 不像傳統(tǒng)的硬盤，固件方式的閃存沒有旋轉(zhuǎn)的部件，因此不需要花費(fèi)
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美光科技關(guān)廠、裁員、降薪
- 北京時(shí)間10月10日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商美光科技（Micron Tech）表示，公司將會(huì)關(guān)閉位于美國愛達(dá)荷州首府博伊西（Boise）的NAND閃存芯片工廠，另外，作為電腦存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)重組的一部分公司將在兩年內(nèi)裁員15%。 美光科技目前的員工總數(shù)約為2.26萬人，此次裁員涉及總?cè)藬?shù)為2850人，其中1500人來自博伊西。 本周四，美光科技表示，消費(fèi)者需求下降和產(chǎn)品過渡供應(yīng)導(dǎo)致閃存芯片的售價(jià)低于成本，因此公司決定關(guān)閉位于博伊西的NAND閃存工廠，并于未來
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金融風(fēng)暴蛻變之痛 芯片制造業(yè)重新洗牌
- 10月10日 據(jù)知情人透露，五樁價(jià)值數(shù)十億美元的重大交易目前已經(jīng)擺上臺(tái)面，牽涉到日本、臺(tái)灣和韓國的芯片制造業(yè)巨頭。日本電子業(yè)巨頭東芝正在進(jìn)行談判，意欲收購美國的內(nèi)存芯片制造商Spansion。內(nèi)存芯片是手機(jī)、筆記本電腦、攝像機(jī)、MP3播放器等高科技產(chǎn)品的重要支柱。不過，由于全球金融危機(jī)壓抑了消費(fèi)者的購物熱情，對高科技產(chǎn)品的需求直線降低，導(dǎo)致內(nèi)存芯片的需求跟著下跌，致使芯片售價(jià)低于制造成本。 法國巴黎銀行分析師彼得-于(Peter Yu)說：“這堪比一場完美風(fēng)暴。這個(gè)產(chǎn)業(yè)正步入產(chǎn)
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SSD存儲(chǔ)技術(shù)將終結(jié)HDD
- HDD(混合硬盤存儲(chǔ))、磁盤存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)讓位于更簡便的、更有效的SSD(固態(tài)存儲(chǔ))。有什么證明嗎？希捷、西部數(shù)據(jù)、三星、東芝。英特爾、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI邏輯等企業(yè)正在開發(fā)閃存技術(shù)作為下一代處理器，并已形成規(guī)模。有一些企業(yè)諸如Spansion 和Virident Systems正在開發(fā)先進(jìn)的SSD技術(shù)。閃存技術(shù)是可移動(dòng)USB存儲(chǔ)設(shè)備的蘋果iPod以及iPhone的核心。戴爾和Sun等多年前就在開發(fā)SSD技術(shù)。以下分析可以說明為何SSD是HHD的殺手。 高可靠性
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Seagate欲收購SanDisk 分析師表示不看好
- 據(jù)EETimes報(bào)道，近來在閃存產(chǎn)業(yè)界盛傳希捷(Seagate)將全部或部份收購SanDisk；不過對于這樁可能的婚事，分析師卻不看好。 有人推測Seagate僅對SanDisk的固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務(wù)感興趣；更早的時(shí)候還有謠傳指出Seagate將收購Simple Tech (一家SSD和其它產(chǎn)品供貨商)。不過Seagate不愿對這些謠言發(fā)表評(píng)論，SanDisk也不做任何響應(yīng)。 雖然身為一家硬盤機(jī)供貨商，Seagate對閃存技術(shù)非常感興趣，且認(rèn)為SSD將對其傳統(tǒng)業(yè)務(wù)構(gòu)成潛在威脅。為了維護(hù)市
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東芝提高手機(jī)存儲(chǔ)卡產(chǎn)能60%
- 日本最大的芯片制造商?hào)|芝公司計(jì)劃將手機(jī)用小型存儲(chǔ)卡產(chǎn)能提升60%。昨天，外電引述業(yè)內(nèi)人士的分析稱，隨著日本國內(nèi)越來越多的人希望能在手機(jī)上觀看和錄制電視節(jié)目，市場對手機(jī)內(nèi)存的需求變得異常旺盛。公司打算逐月增產(chǎn)東芝Micro SD閃存卡，盡量趕在2009年春季實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)2000萬件的目標(biāo)。 近日，東芝隆重推出了用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)設(shè)備的最大容量嵌入式NAND閃存，預(yù)計(jì)今年第四季度開始量產(chǎn)。
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F／V轉(zhuǎn)換器在船模試驗(yàn)水池拖車控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 在船池拖車控制系統(tǒng)中，拖車速度給定信號(hào)由控制臺(tái)撥碼盤給出，經(jīng)F／V變換成與速度成正比的給定電壓信號(hào)U1。拖車測速反饋裝置將拖車的實(shí)際運(yùn)行速度轉(zhuǎn)變成脈沖信號(hào)，也經(jīng)F／V變換成與速度成正比的反饋電壓信號(hào)U2。由控制器對給定電壓信號(hào)U1和反饋電壓信號(hào)U2進(jìn)行處理，控制拖車電機(jī)電樞供電電壓即可獲得不同的運(yùn)行速度。 1 LM331概述 LM331是專用的F／V轉(zhuǎn)換集成電路，內(nèi)含能隙基準(zhǔn)電源，具有很高的轉(zhuǎn)換精度及溫度穩(wěn)定性。而且頻率適應(yīng)范圍寬、線性好、外圍電路簡單。LM331內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖及相關(guān)外圍元件
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手機(jī)拆機(jī)分析揭示移動(dòng)存儲(chǔ)的未來
- NAND和mDRAM激增，NOR-less機(jī)型增多 手機(jī)內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？ 在相對較短的時(shí)間內(nèi)，隨著手機(jī)從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機(jī)所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動(dòng)DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 這種轉(zhuǎn)變的背后，是因?yàn)槭袌鲂枰笕萘?、低成本?shù)據(jù)存儲(chǔ)用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機(jī)RAM
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存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤市場仍有巨大潛力
- 6月5日消息，盡管業(yè)內(nèi)廠商認(rèn)為存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤市場飽和了，金士頓公司總裁John Tu最近表示，這個(gè)市場仍存在巨大的商業(yè)潛力。 Tu說，存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤每個(gè)月的平均出貨量達(dá)2000萬個(gè)。巨大的出貨量表明這個(gè)市場仍在增長。他認(rèn)為，存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤將作為消費(fèi)者與不同種類的內(nèi)容打交道的一個(gè)“平臺(tái)”。 雖然許多人認(rèn)為存儲(chǔ)設(shè)備廠商應(yīng)該向數(shù)字內(nèi)容提供商付費(fèi)以便為其產(chǎn)品產(chǎn)品增加內(nèi)容，但是，Tu說應(yīng)該是內(nèi)容提供商向金士頓付費(fèi)，以便通過金士頓成功的銷售網(wǎng)絡(luò)、品牌和市場份額來分
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產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強(qiáng)電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強(qiáng)電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲(chǔ)單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲(chǔ)單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲(chǔ)單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。 此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
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芯片設(shè)備業(yè)有望迎來新一輪增長周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過一年時(shí)間的磨難和快速衰退，半導(dǎo)體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。 當(dāng)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國經(jīng)濟(jì)是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時(shí)，半導(dǎo)體設(shè)備廠商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標(biāo)準(zhǔn)普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進(jìn)入衰退期，2008年的情況也不太樂觀。” Zino說，預(yù)計(jì)今年的半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額將繼續(xù)下滑，主要是因?yàn)閮?nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說：“我們
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東芝稱NAND閃存供不應(yīng)求 計(jì)劃增建12吋晶圓廠
- 東芝半導(dǎo)體部門總裁兼運(yùn)行官齊藤莊藏表示，公司無法滿足NAND閃存的需求，且訂單已排至12月。其坦承，公司僅能滿足70%顧客訂單需求。 東芝計(jì)劃在日本興建一座新的12吋晶圓廠。東芝與其合作伙伴SanDisk最近才啟用位于日本三重縣四日市廠區(qū)興建的第4座晶圓廠(Fab4)。 齊藤莊藏還證實(shí)，該公司正在策劃下建下一座晶圓廠——Fab5，不過，確切的廠址還沒有確定。 此外，齊藤莊藏對NAND閃存的平均售價(jià)并不樂觀。不過他認(rèn)為市場對閃存的需求十分強(qiáng)勁，東芝公司也計(jì)劃大幅度提高產(chǎn)量，以滿足迅速
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