v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預(yù)期第三季將成長逾3%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達(dá)19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫存仍高的情
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源！

隨著PD3.1協(xié)議的市場應(yīng)用越來越多，市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時增加更多系統(tǒng)級功能，這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器，以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強(qiáng)的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源，在
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NAND Flash第四季價格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動價
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蘋果與Arm達(dá)成長期協(xié)議，加強(qiáng)合作的同時不忘布局RISC-V

9月6日，軟銀旗下芯片設(shè)計公司Arm提交給美國證券交易委員會（SEC）的首次公開募股（IPO）文件顯示，蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達(dá)成了一項“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評論，蘋果也沒有立即回復(fù)置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色，它將其芯片設(shè)計授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司，已經(jīng)占據(jù)了智能手機(jī)芯片領(lǐng)域95%以上的市場份額，包括平板電腦等，實際上已經(jīng)完全控制了整個移動芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
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Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器

IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機(jī)（SBC），其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似，只是并沒有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機(jī)端口如下：1 個 HDMI 2.0 端口1 個千兆端口4 個 USB 3.0 主機(jī)端口1 個 USB 2.0 Type-C 端口1 個
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RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！

這是最好的一屆RISC-V中國峰會，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話題仍未褪色，它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細(xì)細(xì)品味。后摩爾時代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下，RISC-V開源指令集橫空出世，開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬物互聯(lián)已成必然，計算場景復(fù)雜多變，RISC-V設(shè)計的初衷便是覆蓋各種計算場景，這與時代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進(jìn)入高性能應(yīng)用場景已成必然。在2
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使用NAND門的基本邏輯門

邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式?；具壿嬮T的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進(jìn)制數(shù)，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F(xiàn)的級數(shù)由 2a 計
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NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價 10%

廠家期待觸底后的反彈早日到來。
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應(yīng)用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當(dāng)輸入發(fā)生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入，還取決
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RISC-V工委會正式成立

據(jù)賽昉科技官微消息，8月31日，中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會RISC-V工作委員會正式成立。RISC-V工委會是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營利性社會團(tuán)體，是中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會（簡稱“中電標(biāo)協(xié)”）所屬分支機(jī)構(gòu)。消息顯示，RISC-V 工委會的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制、標(biāo)準(zhǔn)符合性評估、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導(dǎo)國內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競爭走向協(xié)同創(chuàng)新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實
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國家支持，RISC-V 工委會正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據(jù)賽昉科技消息，8 月 31 日，中國北京 —— 中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會 RISC-V 工作委員會正式成立，賽昉科技當(dāng)選副會長單位。中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會 RISC-V 工作委員會，簡稱：RISC-V 工委會，英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
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三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
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