v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

Milk-V Oasis 主板曝光：配備 16 核 RISC-V 處理器和 20 TOPS NPU

IT之家?10 月 24 日消息，Milk-V Oasis 是一款即將上市的迷你 ITX 主板，搭載 Sophgo SG2380 RISC-V 處理器。該處理器集成了 16 核的 SiFive P670 CPU 以及 SiFive X280 神經(jīng)處理單元，AI 性能最高 20 TOPS（每秒萬(wàn)億次運(yùn)算）。這款 Oasis 主板來(lái)自深圳市群芯閃耀科技有限公司，表示將以實(shí)惠的價(jià)格提供“真正的桌面級(jí) RISC-V PC”體驗(yàn)，官方計(jì)劃 2024 年第 3 季度交付。Oasis 主板尺寸為 170 x
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NAND閃存市場(chǎng)，開(kāi)始洗牌

最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來(lái)消息，或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初，業(yè)內(nèi)聽(tīng)到這兩大存儲(chǔ)企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。具體來(lái)看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門(mén)，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國(guó)注冊(cè)，但總部設(shè)置在日本，并且股票將在美國(guó)和東京證劵交易所上市，采用
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傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
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三星將擴(kuò)建中國(guó)西安的NAND芯片工廠

三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級(jí)到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒，三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級(jí)到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。報(bào)道中稱，三星已開(kāi)始采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱，美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備，無(wú)需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
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兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無(wú)線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無(wú)線連接，以先進(jìn)的射頻集成、強(qiáng)化的安全機(jī)制、大容量存儲(chǔ)資源以及豐富的通用接口，結(jié)合成熟的工藝平臺(tái)及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無(wú)線傳輸?shù)氖袌?chǎng)應(yīng)用持續(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個(gè)型號(hào)、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項(xiàng)，現(xiàn)已開(kāi)放樣片和開(kāi)發(fā)板卡申請(qǐng)，并將于12
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三星西安工廠工藝升級(jí)獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

據(jù)悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級(jí)位于中國(guó)西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級(jí)已下單采購(gòu)最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_(kāi)始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開(kāi)始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%

據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢(shì)將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對(duì)低點(diǎn)預(yù)備庫(kù)存，采購(gòu)量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
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SiFive宣布推出針對(duì)生成式AI/ML應(yīng)用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入高性能創(chuàng)新時(shí)代

RISC-V 運(yùn)算的先驅(qū)和領(lǐng)導(dǎo)廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿足高性能運(yùn)算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準(zhǔn)的低功耗、運(yùn)算密度和矢量運(yùn)算能力，三者結(jié)合起來(lái)將為日益增長(zhǎng)的資料密集型運(yùn)算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標(biāo)量和矢量運(yùn)算的強(qiáng)大組合，可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運(yùn)算密集型人工智能應(yīng)用于消費(fèi)性、車用和基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場(chǎng)新聞和分析師活動(dòng)上，SiFive 同時(shí)也宣布
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中國(guó)移動(dòng)發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M

IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開(kāi)發(fā)。CM8610 是國(guó)內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡(jiǎn) BOM 設(shè)計(jì)，edrx 待機(jī)電流達(dá)到 0.74mA，最小接收靈敏度達(dá)到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
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三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權(quán)

10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國(guó)目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲(chǔ)芯片，果真回暖了

受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
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RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)新戰(zhàn)場(chǎng)

在中美科技戰(zhàn)的新戰(zhàn)線上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國(guó)公司開(kāi)發(fā)在中國(guó)廣泛使用的免費(fèi)芯片技術(shù)，此舉可能會(huì)顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭(zhēng)論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險(xiǎn)五”，這是一種開(kāi)源技術(shù)，與英國(guó)半導(dǎo)體和軟件設(shè)計(jì)公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。RISC-V可以用作從智能手機(jī)芯片到人工智能高級(jí)處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì)主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國(guó)家安全為由，
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格

10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。▲ 圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
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中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場(chǎng)！RISC-V開(kāi)源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)

中美科技競(jìng)爭(zhēng)又有新動(dòng)向。美國(guó)政府正面臨國(guó)會(huì)壓力，要求限制美國(guó)企業(yè)投入RISC-V的開(kāi)源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開(kāi)源性使得這項(xiàng)技術(shù)在中國(guó)大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展，但如果禁止的話，可能對(duì)全球科技業(yè)的跨國(guó)合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，這一次的爭(zhēng)議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開(kāi)放原始碼架構(gòu)，與英國(guó)的安謀國(guó)際科技公司（Arm Holdings）的競(jìng)爭(zhēng)激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機(jī)芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國(guó)會(huì)議員以國(guó)家安全為由，敦促拜登政府針對(duì)RISC-V問(wèn)題采取行動(dòng)，
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