v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%

廠家期待觸底后的反彈早日到來。
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應(yīng)用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路，即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗(yàn)發(fā)生器和校驗(yàn)器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當(dāng)輸入發(fā)生變化時(shí)，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入，還取決
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RISC-V工委會(huì)正式成立

據(jù)賽昉科技官微消息，8月31日，中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)RISC-V工作委員會(huì)正式成立。RISC-V工委會(huì)是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國(guó)性、行業(yè)性、非營(yíng)利性社會(huì)團(tuán)體，是中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)（簡(jiǎn)稱“中電標(biāo)協(xié)”）所屬分支機(jī)構(gòu)。消息顯示，RISC-V 工委會(huì)的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制、標(biāo)準(zhǔn)符合性評(píng)估、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導(dǎo)國(guó)內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競(jìng)爭(zhēng)走向協(xié)同創(chuàng)新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實(shí)
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國(guó)家支持，RISC-V 工委會(huì)正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據(jù)賽昉科技消息，8 月 31 日，中國(guó)北京 —— 中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)正式成立，賽昉科技當(dāng)選副會(huì)長(zhǎng)單位。中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)，簡(jiǎn)稱：RISC-V 工委會(huì)，英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
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三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫(kù)存已增至
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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RISC-V的下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)在哪里？

開源的 RISC-V 已成為中國(guó)業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)。
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如何有效使用RISC-V的跟蹤技術(shù)

在嵌入式軟件開發(fā)中，利用完整的應(yīng)用跟蹤，可為開發(fā)人員分析其產(chǎn)品行為提供無限的可能性。通過對(duì)應(yīng)用程序的全面了解，他們可以跟蹤每一條指令，看看他們的應(yīng)用程序是否按照預(yù)期運(yùn)行，或者是否出現(xiàn)錯(cuò)誤或漏洞。那么，如何才能最大化地利用現(xiàn)有可用的RISC-V跟蹤呢？什么是跟蹤？與傳統(tǒng)的通過設(shè)置斷點(diǎn)、printf等進(jìn)行調(diào)試相比，跟蹤更像是在不打擾的情況下觀察你的應(yīng)用程序。基本上，開發(fā)人員可以在不干擾程序的情況下觀察整個(gè)程序的工作情況。跟蹤包括完整的指令執(zhí)行流程（不需要printf也不需要UART），一旦跟蹤數(shù)據(jù)被捕獲，你可
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芯片大廠扎堆「偷師」中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展良方

近一年來，國(guó)際半導(dǎo)體大廠「抱團(tuán)取暖」的現(xiàn)象頻頻出現(xiàn)，而這在過去多年內(nèi)是很少見的。由于全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)大都聚集在美國(guó)，歐洲，日本，以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，因此，這一波大廠抱團(tuán)依然逃不出這幾個(gè)地區(qū)，有 3 個(gè)最具代表性。按時(shí)間順序，首先抱團(tuán)形成的是 Rapidus，它是由日本政府領(lǐng)銜，聯(lián)合豐田汽車、索尼、NEC、鎧俠、軟銀等 8 家日本企業(yè)，于 2022 年 8 月合作成立的，被視為日本重返半導(dǎo)體先進(jìn)制程市場(chǎng)的重要投資案。Rapidus 與 IBM 深度合作，獲得了后者 2nm 制程技術(shù)授權(quán)，預(yù)計(jì)將投入 5 兆
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基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲(chǔ)器的起始位置開始存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，會(huì)覆蓋上次存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲(chǔ)。針對(duì)該問題，本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲(chǔ)空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖，并進(jìn)行了驗(yàn)證。
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RISC-V再加速半導(dǎo)體巨頭聯(lián)手布局

在高通首席執(zhí)行官（CEO）克里斯蒂亞諾·阿蒙（Cristiano Amon）的領(lǐng)導(dǎo)下，高通將與恩智浦、北歐半導(dǎo)體公司（Nordic Semiconductor）、英飛凌以及博世聯(lián)合成立一家新公司，旨在推廣用于芯片設(shè)計(jì)的開源RISC-V架構(gòu)，通過開發(fā)下一代硬件來推動(dòng)RISC-V生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)展。據(jù)了解，新公司將設(shè)在德國(guó)，同時(shí)考慮到恩智浦和英飛凌將參與投資，該公司應(yīng)該是先專注于汽車芯片領(lǐng)域，最終擴(kuò)展到移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。恩智浦執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官Lars Reger表示，該合資公司將努力“開創(chuàng)完全認(rèn)證的基于RI
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賽昉科技發(fā)布全球首款 RISC-V 大小核處理器子系統(tǒng)，性能比肩 ARM A76 / A75

IT之家 8 月 17 日消息，賽昉科技今日發(fā)布了兩款自主研發(fā)的 RISC-V 處理器內(nèi)核新產(chǎn)品：昉?天樞-90（Dubhe-90）與昉?天樞-80（Dubhe-80）。據(jù)介紹，Dubhe-90 主打“極致性能”，是 Dubhe Max Performance 系列旗艦產(chǎn)品；Dubhe-80 主打“高能效比”，是 Dubhe Efficiency Performance 系列首款產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品也就是大家常說的 CPU 大小核。與此同時(shí)，基于 Dubhe-90、Dubhe-80 以及賽昉科技片上一
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因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國(guó)平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場(chǎng)持續(xù)低迷，業(yè)界猜測(cè)三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì)減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
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全球首款信用卡大小的 RISC-V 單板計(jì)算機(jī)發(fā)售，Milk-V Mars 售價(jià) 288 元起

IT之家 8 月 16 日消息，近日，全球首款信用卡大小的 RISC-V 單板計(jì)算機(jī) ——Mars 正式發(fā)售。Mars 由深圳市群芯閃耀科技有限公司（Milk-V）設(shè)計(jì)并推出，搭載賽昉科技昉?驚鴻-7110 SoC（JH-7110）?！?nbsp;Mars RISC-V 單板計(jì)算機(jī)Mars RISC-V 單板計(jì)算機(jī)的尺寸為 86mm x 56mm，搭載 1.5GHz 的昉?驚鴻-7110 SoC，可選 1/2/4/8GB 的 LPDDR4 內(nèi)存。此外，Mars RISC-V 單板計(jì)算機(jī)配有 HD
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