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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性
- 全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼，并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護特性的單一非易失性內(nèi)存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。 賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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今年推兩款存儲芯片 美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機
- 《巴倫周刊》(Barron’s)報導(dǎo)指出，半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機應(yīng)用程式市場和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域，料將大幅提升美光利潤率。 兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進美光2016年營收與凈利，而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴大。 有看多美光者預(yù)測，股價可能于1年間上漲逾6成，達每股30美元。較保守的假設(shè)為，1年間上漲
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紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭 人才招募選精英
- 中國半導(dǎo)體研究機構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責(zé)半導(dǎo)體儲存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺灣帶來震撼。外界也好奇，近來動作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? ■紫光發(fā)展簡歷 依紫光集團官網(wǎng)簡介，紫光的前身是中國清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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東芝財報風(fēng)波長期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財報不實風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。 目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品，由于移動裝置需求持續(xù)成長，銷售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。 現(xiàn)在東芝碰上財務(wù)問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對這個
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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場冷淡
- 內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場似乎對內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 美光財務(wù)長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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全球新式存儲器大戰(zhàn) 臺控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產(chǎn)階段，預(yù)計9月開始對客戶出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢
- 幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當(dāng)時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數(shù)位看板、POS機等商用市場。 SanDisk：SSD全面進占資料中心 當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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走進三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)
- 陜西西安的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 對三星半導(dǎo)體來說，引導(dǎo)社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進的產(chǎn)品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈 三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產(chǎn)業(yè)基地。 西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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