v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

RISC-V Day將于上海舉辦凸顯RISC-V生態(tài)系統(tǒng)在亞洲的發(fā)展勢(shì)頭

　　地點(diǎn)：中國上海市楊浦區(qū)五角場邯鄲路220號(hào)復(fù)旦大學(xué)邯鄲校區(qū)光華樓吳文政報(bào)告廳，200433　　時(shí)間：2018年6月30日(星期六)，上午8點(diǎn) - 下午6點(diǎn)　　活動(dòng)介紹：RISC-V基金會(huì)將于上海舉辦RISC-V Day，介紹其全球會(huì)員的最新項(xiàng)目及其實(shí)施進(jìn)展，重點(diǎn)聚焦RISC-V生態(tài)系統(tǒng)在亞洲地區(qū)的發(fā)展。RISC-V基金會(huì)的企業(yè)成員晶心科技、Codasip、GreenWaves科技、ICT、Microsemi、SiFive和Syntacore將在上海RISC-V Day進(jìn)行演講?！　⊙葜v日程：　　· 面
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UltraSoC嵌入式分析技術(shù)與Imperas虛擬平臺(tái)聯(lián)手助力多核開發(fā)及調(diào)試

　　UltraSoC和Imperas今日宣布：雙方將達(dá)成一項(xiàng)廣泛的合作，為多核系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)開發(fā)人員提供結(jié)合了嵌入式分析技術(shù)和虛擬平臺(tái)技術(shù)的強(qiáng)大組合。根據(jù)協(xié)議條款，UltraSoC將把Imperas開發(fā)環(huán)境的關(guān)鍵元素納入其提供的工具中，從而為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)統(tǒng)一的系統(tǒng)級(jí)預(yù)處理和后處理芯片開發(fā)流程，顯著地縮減了產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間和整體開發(fā)成本。　　通過結(jié)合半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)和相關(guān)軟件，UltraSoC提供行業(yè)領(lǐng)先的獨(dú)立片上監(jiān)測、分析和調(diào)試技術(shù)。Imperas首創(chuàng)的虛擬平臺(tái)方法使得軟件開發(fā)人員能盡早啟動(dòng)S
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96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

　　為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來越多。目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對(duì)應(yīng)的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。而為了進(jìn)一步提升儲(chǔ)存密度，NAND Flash供貨商正
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存儲(chǔ)芯片三巨頭是否合謀操縱市場？

存儲(chǔ)芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機(jī)構(gòu)調(diào)查，最終結(jié)果究竟如何，人們拭目以待。
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DRAM/NAND存儲(chǔ)器需求持續(xù)增溫南亞科、旺宏業(yè)績看好

　　隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺(tái)幣，后同)，但獲外資逆勢(shì)敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！　∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求，對(duì)今年整體營運(yùn)表
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美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會(huì)上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實(shí)現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對(duì)讀取密集型且性能敏感的云存儲(chǔ)的需求。　　隨著工作負(fù)載的演變以滿足對(duì)于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的
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韓國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

　　當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲(chǔ)器，中國市場基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲(chǔ)就會(huì)逐漸進(jìn)入市場。　　對(duì)此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對(duì)手的加入。韓國預(yù)測，在2022年時(shí)會(huì)因?yàn)橹袊偁幍挠绊?，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲(chǔ)器的銷售金額。　　根據(jù)韓國媒體《et
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UltraSoC的分析IP產(chǎn)品獲Esperanto Technologies選用，以實(shí)現(xiàn)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用中的RISC-V多核并行處理

　　UltraSoC日前宣布：公司的嵌入式分析知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品已獲Esperanto Technologies選用，以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模并行多核RISC-V系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的開發(fā)。 Esperanto現(xiàn)在正將UltraSoC的嵌入式分析和調(diào)試技術(shù)整合至其高性能、高能效的“單芯片A.I.超級(jí)計(jì)算機(jī)(A.I. Supercomputer on a Chip)”中，該超級(jí)計(jì)算機(jī)擁有數(shù)千個(gè)64位RISC-V內(nèi)核，以支持人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)領(lǐng)
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒有來

　　根據(jù)Gartner的報(bào)告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無奈，因?yàn)闆]有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會(huì)如此強(qiáng)勁。　　　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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UltraSoC獲晶心科技選用于RISC-V開發(fā)的追蹤及調(diào)試

　　UltraSoC日前宣布：亞洲領(lǐng)先且成熟的中央處理器半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(CPU IP)供應(yīng)商晶心科技(Andes Technology)已采用UltraSoC先進(jìn)的嵌入式分析技術(shù)，來支持其AndesCore系列RISC-V處理器。晶心科技將利用UltraSoC包括業(yè)界唯一商用RISC-V處理器追蹤解決方案在內(nèi)的獨(dú)一無二的IP產(chǎn)品系列，來實(shí)現(xiàn)其復(fù)雜應(yīng)用嵌入式產(chǎn)品的開發(fā)加速和調(diào)試增強(qiáng)，這些應(yīng)用包括人工智能(AI)、計(jì)算機(jī)視覺、網(wǎng)絡(luò)控制器和存儲(chǔ)等。　　兩家公司將攜手在即將舉行的RISC-V大
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2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂

　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場營收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。　　在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。對(duì)此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營收大
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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。　　目前，我國通用存儲(chǔ)器基本全部依賴進(jìn)口，國家存儲(chǔ)器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第
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14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對(duì)DRAM、邏輯器件、NAND的影響

DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動(dòng)，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
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中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速增長加快邁向中高端

　　近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價(jià)值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機(jī)。　　工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會(huì)上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬億元，手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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晶心科技AndeStar? V5發(fā)布，采用RISC-V技術(shù)提升新一代CPU性能

近年來，RISC-V作為一種新興的開源處理器基礎(chǔ)架構(gòu)技術(shù)/標(biāo)準(zhǔn)，一度吸引眾多業(yè)內(nèi)人士關(guān)注，而由于其指令集精簡、模塊化，且易于允許擴(kuò)充，其生態(tài)環(huán)境也迅速成長，包括谷歌、華為、微軟、高通等許多業(yè)內(nèi)知名公司都陸續(xù)加入RISC-V基金會(huì)。晶心科技早在2016年就作為創(chuàng)始會(huì)員之一加入了RISC-V基金會(huì)，并于近日，在京發(fā)布了其第一代基于RISC-V架構(gòu)——AndeStar? V5，并成為第一個(gè)采用 RISC-V的主流CPU IP公司。
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