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基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法?！ ?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下： 其主要特性如下： ? 總?cè)萘?/li>
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支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件
- 更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達(dá)到最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種全新半導(dǎo)體解決方案能實(shí)現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本
- 關(guān)鍵字： 950 V CoolMOS P7 超結(jié)MOSFET器件 全新半導(dǎo)體
全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜
- 8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進(jìn)入這個榜單的前15名。 根據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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高云半導(dǎo)體公司發(fā)布基于晨熙家族FPGA的RISC-V微處理器 早期使用者計(jì)劃
- 中國廣州，2018年8月16日，國內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商——廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(如下簡稱“高云半導(dǎo)體”)，今日宣布發(fā)布基于高云半導(dǎo)體FPGA的RISC-V微處理器早期使用者計(jì)劃，該計(jì)劃是基于晨熙家族 GW2A 系列FPGA芯片的包括系統(tǒng)級參考設(shè)計(jì)的FPGA編程BIT文件、GW2A開發(fā)板等的完整解決方案，其中系統(tǒng)級參考設(shè)計(jì)包括RISC-V MCU內(nèi)核、AHB & APB總線、存儲器控制單元及若干外設(shè)?！ ISC-V作為指令集體系結(jié)構(gòu)(ISA)的開放規(guī)范，RISC-V ISA設(shè)
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IC Insights預(yù)測：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測?！ ∪鐖D所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
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NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流
- NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù)，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?！ 〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
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中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響?！ 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。 目前，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?！ 〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
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三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價
- 據(jù)韓國媒體報道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計(jì)高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事?！ ∪騈AND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。 有報道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。 其中，3D NAND的市場需求，成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
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存儲新時代：利用RISC-V和內(nèi)存結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)開放式計(jì)算
- 前言 在過去的幾年里，我們目睹了數(shù)據(jù)的一系列巨大變化，包括數(shù)據(jù)如何被生成、處理以及進(jìn)一步利用以獲取額外的價值和智能，而這些變化都受到以深度學(xué)習(xí)和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用為基礎(chǔ)的新興計(jì)算模式所影響。這種深刻的變化始于數(shù)據(jù)中心，其利用深度學(xué)習(xí)技術(shù)來提供對海量數(shù)據(jù)的洞察，主要用于分類或識別圖像、支持自然語言處理或語音處理，或者理解、生成或成功學(xué)習(xí)如何玩復(fù)雜的策略游戲。這種變化催生了一批專門針對這些類別的問題而設(shè)計(jì)的高功效計(jì)算設(shè)備(基于GP-GPU和FPGA)，后來還產(chǎn)生了可完全定制的ASIC，進(jìn)一步加速并提高了基于深
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美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報復(fù)此前臺灣檢察機(jī)關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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RISC-V能否繼紅五月后再度掀起熱浪？
- 6月24日-27日，全球芯片設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)(IP)領(lǐng)域內(nèi)最負(fù)盛名的“設(shè)計(jì)自動化大會(DAC)”將在舊金山舉行，每年的DAC都吸引了來自全球的EDA工具廠商、IP廠商和芯片設(shè)計(jì)師參加。作為該項(xiàng)活動的第55屆，組委會公布本屆大會為一些新的技術(shù)擴(kuò)展了展覽面積并新增了研討話題，包括人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)等等。但是值得大家關(guān)注的還有一個新的領(lǐng)域：RISC-V開源硬件?！ 」雀?、高通、三星、華為、特斯拉……隨著越來越多的行業(yè)巨頭加入RISC-V基金會(RISC-V Foundation)，RISC
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2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無線通訊市場大幅下滑
- 在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強(qiáng)勁。 隨著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
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