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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
- 關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET
2011年中國功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。 直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
- 關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器
混合動(dòng)力電動(dòng)車應(yīng)用中大功率器件的五大要素
- 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
- 關(guān)鍵字： 混合動(dòng)力 電動(dòng)車 大功率器件 IGBT MOSFET
2011年中國功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。 直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。 去年功率MOSFET在中國市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，可能主要?dú)w功于中國政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì)，中國政府推出了一系
- 關(guān)鍵字： MOSFET 無線通信
Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級(jí)。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富?！?/li>
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標(biāo)準(zhǔn)
- 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
利用DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管 構(gòu)建多功能高精度可編程電流源
- 電路功能與優(yōu)勢(shì) 數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測(cè)量、傳 ...
- 關(guān)鍵字： 實(shí)驗(yàn)室電路 MOSFET 運(yùn)算放大器
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