vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)
Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級(jí)) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅(qū)動(dòng)高功率N 溝道MOSFET 或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動(dòng)電壓從5V 至8V 是可調(diào)的，從而允許設(shè)計(jì)師選擇標(biāo)準(zhǔn)門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器
Microchip擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品
- Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴(kuò)展了其MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動(dòng)器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動(dòng)器。經(jīng)擴(kuò)展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達(dá)4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
- 關(guān)鍵字： Microchip MOSFET
Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝
- 為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。 Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí)，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET Dual Cool
Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。 40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例
- saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
- 關(guān)鍵字： 實(shí)例 仿真 驅(qū)動(dòng) MOSFET saber
Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 最低導(dǎo)通電阻
設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五個(gè)忠告
- 進(jìn)入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因?yàn)橐粋€(gè)巨大的市場(chǎng)就要開啟，而這次唱主角的是中國廠商。不過，應(yīng)當(dāng)看到，LED燈具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解決能效和可靠性的難題，如何解決這些難題，Power Integrations市場(chǎng)營銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
- 關(guān)鍵字： PI MOSFET LED
vd-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條vd-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
vd-mosfet電路
vd-mosfet相關(guān)帖子
vd-mosfet資料下載
vd-mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473