- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫...
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MOSFET RDS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。
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Vishay MOSFET
- 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
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MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出一系列25V及3...
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MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅動器，為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結合，可構成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內工作，而 I 級版本的工作溫度范
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Linear MOSFET
- 降低能量消耗、延長電池壽命，這是每個工程師在設計便攜式電子產品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢，所以便攜式產品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來，從事電源管理業(yè)務的半導體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產品在功能上花樣翻新，這些產品需要峰值性能，要求設計者在設備的物理尺度內實現盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術，但還遠不能滿
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Vishay MOSFET
- 今天，電源工程師面臨的一個主要挑戰(zhàn)是如何減小商用電子產品中電源電路的電路板空間。在任何電子產品零售商店里轉上一圈，你就會發(fā)現個人電腦已經變得更小，甚至小型化已經成為許多電子設備的發(fā)展趨勢。隨著這些產品的尺寸不斷減小，它們的功能正在增加。在更小的空間內實現更多功能，意味著要縮小留給電源電路的面積，這會導致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴峻挑戰(zhàn)。
工程師應對這種挑戰(zhàn)的一個辦法是利用在MOSFET硅技術和封裝
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電源設計 MOSFET PowerPAIR
- 英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎。
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英飛凌 MOSFET
- 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。
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安森美 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。
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IR MOSFET
- 摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率，設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關電源設計中，效率是一個關鍵性的參
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減少 開關 損耗 MOSFET 新型 變換器 利用 升壓
- 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導通阻抗，針對汽車...
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MOSFET 安森美半導體
- 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
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溫升 1部分 MOSFET 估算 設計 電源 TI 德州儀器
- 在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性
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溫升 2部分 MOSFET 估算 設計 電源 TI 德州儀器
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