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vishay intertechnology
vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區(qū)
Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。 在種類(lèi)繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池開(kāi)關(guān)和充電開(kāi)關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
Vishay推出新款高可靠性的鉭外殼液鉭電容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器 --- 136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。 商用的136D電容器等同于軍用型的CLR90和CLR91器件，軍用型器件是按照軍標(biāo)MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求設(shè)計(jì)的。另外，今天發(fā)布
- 關(guān)鍵字： Vishay 電容器 電子元件
Vishay采用Bulk Metal? 1202系列微調(diào)電位器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用Bulk Metal?箔工藝的超高精度Accutrim?系列微調(diào)電位器 --- ...
- 關(guān)鍵字： Vishay Accutrim?系列 微調(diào)電位器 1202系列
Vishay發(fā)布先進(jìn)的第七代通用高壓電源模塊
- Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列，該系列具有增強(qiáng)的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無(wú)鉛的結(jié)構(gòu)。 第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝，將兩個(gè)有源元件整入各系列，并包括標(biāo)準(zhǔn)二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。 新器件具有高達(dá) 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
- 關(guān)鍵字： Vishay 電源模塊 RoHS規(guī)定
Vishay攜多款產(chǎn)品亮相展會(huì)
- 雖然全球經(jīng)濟(jì)正陷入低迷中，電子行業(yè)也在經(jīng)歷著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無(wú)源器件供應(yīng)商，Vishay并未因此放慢自己的腳步，反而利用其技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產(chǎn)品。在繼續(xù)保持其領(lǐng)導(dǎo)地位的同時(shí)，更幫助客戶(hù)將Vishay的技術(shù)實(shí)力轉(zhuǎn)化為他們自身的競(jìng)爭(zhēng)力。 在本次IIC期間，Vishay攜帶多款最新產(chǎn)品參展。包括具有 3300μF～72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器，新器件采用 SuperTan技術(shù)，可提供 0.035?
- 關(guān)鍵字： Vishay IIC
Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻記錄
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類(lèi)型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。 SiR476DP 在 4.5V
- 關(guān)鍵字： Vishay 柵極驅(qū) 降壓轉(zhuǎn)換器
Vishay推出高強(qiáng)度白光功率 SMD LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封裝的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。 新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封裝且具有低達(dá) 50k/W 的低熱阻，而采用 CLCC-6 扁平封裝的 VLMW64.. 系列則具有 40k/W 低熱阻及 0.9m
- 關(guān)鍵字： Vishay 白光 LED 陶瓷封裝
Vishay推出高可靠性VJ HVArc Guard表面貼裝MLCC
- Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面貼裝 X7R 多層陶瓷芯片電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專(zhuān)為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。 憑借可選聚合體端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可減少電容器故障，并通過(guò)限制電容器故障節(jié)約保修成本，從而進(jìn)一步減少電路板上受損元件的數(shù)量或減少對(duì)整個(gè)設(shè)備的損壞。 Visha
- 關(guān)鍵字： Vishay 電容器 MLCC 轉(zhuǎn)換器
Vishay 推出高性能、超小型4 線ESD保護(hù)陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號(hào)線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號(hào)的損壞。 VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無(wú)鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計(jì)算、通
- 關(guān)鍵字： Vishay ESD 保護(hù)陣列 電容
Vishay 推出首款淡黃色及黃色SMD LED系列VLMx82
- Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且具有 400mA 驅(qū)動(dòng)電流的業(yè)界首個(gè)高強(qiáng)度淡黃色及黃色功率 SMD LED 系列 --- VLMK82.. 與 VLMY82.. 器件。該系列 SMD LED 器件具有 20K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向熱敏應(yīng)用。 憑借 0.75mm 的超薄厚度，VLMK82.. 與 VLMY82.. LED 的 CLCC-2 扁平陶瓷封裝可實(shí)現(xiàn)能夠達(dá)到最大光輸出的額外電流驅(qū)動(dòng)，同時(shí)保持長(zhǎng)達(dá) 50,0
- 關(guān)鍵字： Vishay LED 功率 熱敏
Vishay推出 P通道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類(lèi)型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。 日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類(lèi)器件，目前此類(lèi)器件又
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET p 通道 功率
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