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Vishay推出采用三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
- 日前，Vishay推出具有三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應(yīng)時間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。 由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝，這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩(wěn)定性，甚至在長期及寬泛的溫度范圍內(nèi)也是如此，這可在汽車電子設(shè)備、工業(yè)電子設(shè)
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Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費(fèi)類、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中節(jié)省板面空間，以及提供 ESD 保護(hù)。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
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Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時，該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）（額定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
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Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結(jié)構(gòu)將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
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Vishay最新3V紅外接收器系列具更高靈敏度
- 日前，Vishay宣布利用可在光線較低的情況下將器件靈敏度提高一倍的新一代IC升級其3V紅外接收器的性能。該IC是IR接收器性能的主要決定因素之一，此外還有光電二極管及光封裝本身。靈敏度會直接影響接收器的接受范圍，并且在大多數(shù)紅外接收器應(yīng)用中極為重要。 憑借新器件實(shí)現(xiàn)的進(jìn)一步改進(jìn)包括器件工作電流降低了70%，為0.35mA;2.5V～5.5V的更廣泛電壓范圍;更出色的EMI及ESD抗擾性。從本月開始，該新型IC將成為所有采用通孔封裝的Vishay3V及5V紅外接收器的標(biāo)準(zhǔn)功能。這些更新的器件可在
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Vishay推出長壽命CLCC-6陶瓷封裝SMD LED
- Vishay推出采用CLCC-6扁平陶瓷封裝的第一個高強(qiáng)度黃色、淡黃色及白色功率SMDLED系列，該系列LED具有40K/W或60K/W的低熱阻以及2800mcd～9000mcd的高光功率，主要面向?qū)崦舾械膽?yīng)用。 憑借僅0.9mm的超薄厚度，VLMK62,VLMY62,及VLMW62器件的CLCC-6扁平陶瓷封裝允許使用額外電流驅(qū)動，以實(shí)現(xiàn)最大光輸出，同時可保持最長50,000小時的較長使用壽命，從而使它們在熱管理為關(guān)鍵考慮因素的應(yīng)用中成為理想光源。 這些新型LED專門針對汽車與運(yùn)輸、消
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Vishay推SMD紅外接收器模塊TSOP85..系列
- VishayIntertechnology,Inc.宣布推出具有Vishay最高敏感度/尺寸比的新系列表面貼裝(SMD)紅外接收器模塊。新型TSOP85..系列器件可在紅外遙控、數(shù)據(jù)傳輸及光障應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離操作，主要用于需要超薄、超小型元件的便攜式系統(tǒng)。典型的終端產(chǎn)品包括小型手持式設(shè)備，例如筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)與視頻設(shè)備、音樂與視頻播放器及導(dǎo)航設(shè)備。 在光模塊中，縮小封裝尺寸將減小透鏡大小，從而可降低敏感度以及縮短作用距離。但TSOP85..系列器件通過添加另一個透鏡及光敏二極管抵消了這種影響
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關(guān)
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關(guān)，這些器件將高開關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合，可用于眾多開關(guān)應(yīng)用，其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨(dú)立選擇的 44V SPST 開關(guān)，每個均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個參數(shù)是低失真音頻信號開關(guān)的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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Vishay 推出超高電容范圍新型HE3液體鉭高能電容器
- Vishay 推出在市場上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3 采用含 SuperTan 技術(shù)的獨(dú)特封裝設(shè)計，可在高能應(yīng)用中提高可靠性及性能。 Vishay 的 HE3 專門針對高可靠性航空電子及軍用設(shè)備中的能量存儲及脈沖功率應(yīng)用而進(jìn)行了優(yōu)化，該器件采用密封的純鉭封裝，可在高壓力及惡劣環(huán)境中使用。 該設(shè)計采用可提高可靠性及性能的獨(dú)特雙密封技術(shù)，并且具有 3300F～72000F 的電容范圍，在所有液體鉭電容器中，這是每單位體積的最高電容。通過利用 Vishay 業(yè)經(jīng)驗(yàn)證
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