vishay 文章 進(jìn)入vishay技術(shù)社區(qū)
Vishay發(fā)布新款TFU厚膜扁平貼片式
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TFU 0603厚膜扁平貼片式保險(xiǎn)絲，器件在更小的芯片尺寸內(nèi)提供了超快動(dòng)作的熔斷特性。器件的額定電流值高達(dá)4.0A，在32V額定電壓下的分?jǐn)嗄芰?5A。 Vishay Beyschlag TFU 0603保險(xiǎn)絲采用標(biāo)準(zhǔn)RR 1608M公制外形尺寸(91.55mmx85mmx45mm)，可對(duì)DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器和便攜式消費(fèi)電子設(shè)備中的低壓電源提供次級(jí)側(cè)的過流保護(hù)。通過嚴(yán)格控制的制造工藝和Vishay先進(jìn)的厚膜技術(shù)
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對(duì)M
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Vishay推出全新官方網(wǎng)站
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布經(jīng)過重新設(shè)計(jì)的公司網(wǎng)站www.vishay.com，以便更好地服務(wù)客戶、戰(zhàn)略合作伙伴和其他用戶。通過對(duì)主頁的產(chǎn)品類別加以重新組織，增強(qiáng)搜索系統(tǒng)和改進(jìn)產(chǎn)品選擇信息，新網(wǎng)站使用戶能夠更便捷地獲取產(chǎn)品信息。重新設(shè)計(jì)的網(wǎng)站還使用戶能很順暢地獲取客戶服務(wù)和支持、設(shè)計(jì)工具以及公司信息。 新主頁的產(chǎn)品類別非常清晰，包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
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Vishay推出6款FRED Pt超快恢復(fù)整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出6款用于消費(fèi)電子應(yīng)用的FRED Pt™超快恢復(fù)整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關(guān)條件下的快速恢復(fù)時(shí)間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。 新整流器適用于70W～400W的開關(guān)電源，為筆記本電腦和打印機(jī)適配器、桌面電腦、電視機(jī)和顯示器、游戲控制器，以及DVD和藍(lán)光播放器中的AC-DC電源提供了高能效的功率因數(shù)校正(PF
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Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護(hù)陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護(hù)陣列，可保護(hù)PC和便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應(yīng)用。 新的保護(hù)陣列在0V時(shí)具有16pF的低容值，在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝，在生產(chǎn)過程中很容易進(jìn)行處理，0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。 VCUT05A4-05S-G-08能夠?qū)?條數(shù)據(jù)線提供瞬態(tài)保護(hù)，保護(hù)等級(jí)達(dá)到pe
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Vishay推出超高容值液鉭電容器 DSCC 10011
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高達(dá)72,000µF的容值，采用A、B和C外形編碼。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，10011器件采用玻璃至金屬的密封結(jié)構(gòu)，可以在-55℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，1kHz時(shí)的最大ESR低至0.035?。 10011器件的特殊陰極系統(tǒng)具有單位體積的最高容
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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級(jí)應(yīng)用
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。 為達(dá)到T級(jí)的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進(jìn)行了額外測(cè)試，對(duì)原材料和產(chǎn)品批次定義進(jìn)行嚴(yán)格控制，并達(dá)到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進(jìn)行了100%的C浪涌試驗(yàn)。此外，電容器進(jìn)行了完備的視覺和
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的薄膜貼片電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。 新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲(chǔ)存溫度可達(dá)+230℃，是業(yè)界首款達(dá)到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經(jīng)過1000小時(shí)后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率依然可達(dá)0.5%，并同時(shí)保持嚴(yán)格的TCR和容差。 新款分立電阻的
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Vishay推出新的外形尺的寸電阻器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴(kuò)充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。 越來越多的電子設(shè)計(jì)要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應(yīng)，因?yàn)檫@些效應(yīng)會(huì)影響到器件的穩(wěn)定性和性能。Vishay的MC AT專業(yè)和精密電阻能夠在這些應(yīng)用當(dāng)中提供穩(wěn)定的性能。 今天發(fā)布的新款專業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時(shí)
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過了DSCC Drawing 10004認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，擴(kuò)展的SuperTan® 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。 10004
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電
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vishay介紹
威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]
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