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          Vishay推出新型增強(qiáng)型PowerBridge? 整流器系列器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridgeTM 整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。   與市面上體積更大的橋式整流器相比,PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構(gòu)造可提高散熱效率。因此,PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率,并同時(shí)需要更少的散熱裝置。   整流器也因此成為匹配桌面 PC、服
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  橋式  單相  OEM  

          Vishay推出新型增強(qiáng)型 PowerBridge整流器系列器件

          •   2008年5月28日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM 整流器的新系列,這些器件的額定電流為10 A 至25 A,最大額定峰值反向電壓為600 V 至1000 V。   與市面上體積更大的橋式整流器相比,PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構(gòu)造可提高散熱效率。因此,PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率,并同時(shí)需要更少的散熱裝置。   單相整流器也因此成為匹配桌面PC、服務(wù)器、等離子電視、液晶
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  開關(guān)電源  OEM   

          Vishay推出業(yè)內(nèi)最低電感及最低DCR的新型環(huán)形高溫電感器

          •   2008年5月16日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器TJ3-HT ,該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及最低電感和DCR。   Vishay的新型TJ3-HT 電感器的最高額定工作溫度為+200°C,采用環(huán)形設(shè)計(jì)以減少EMI,可用來優(yōu)化開關(guān)式電源、EMI/RFI濾波器、汽車的輸出端扼流圈以及深井鉆探產(chǎn)品。   該款低成本器件可為設(shè)計(jì)人員提供水平和垂直安裝選項(xiàng)以優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)。Vishay 的此款新型電感器具有10個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電感值以供選
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電感器  DCR  

          Vishay推出新型表面貼裝倒裝芯片分壓器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 VFCD1505 表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及?55°C 至+125°C(參考溫度為+25°C)時(shí),該分壓器將±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm 的出色 PCR 跟蹤(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)及±0.005%的負(fù)載壽命穩(wěn)定度等優(yōu)
          • 關(guān)鍵字: Vishay  分壓器  

          Vishay推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 TR8 系列模塑 MicroTan™ 鉭芯片電容。該系列器件在采用 0805 封裝的該類電容具有 0.8Ω 超低 ESR (在100 kHz和47 µF條件下),而采用 0603 封裝時(shí),更是達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的 1.5Ω ESR 值。   由于具有超低 ESR 值以及小型 0805 和 0603 封裝,TR8 可在占用更小的PCB板面空間的同時(shí),進(jìn)一步提高在音頻過濾和信號(hào)處理應(yīng)用中的效
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電容器  

          Vishay推出八款模擬多路復(fù)用器與開關(guān)

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。   四款新型模擬多路復(fù)用器與四款新型模擬開關(guān)將 0.5pC~1.0pC的超低電荷注入、2pF 及 3pF 的低開關(guān)電容、0.25nA~5nA 的漏電流及 66?~72? 的典型導(dǎo)通電阻完美結(jié)合在一起。?   它們
          • 關(guān)鍵字: Vishay  復(fù)用器  開關(guān)  

          Vishay推出倒立鷗翼式封裝的新型高亮度SMD LED

          •   日前,Vishay宣布推出采用倒立鷗翼式封裝的新型 SMD LED 的兩個(gè)系列:黃色 VLRE31.. 系列和 VLRK31.. 系列,這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點(diǎn),旨在滿足日益增長的對 AlInGaP 技術(shù)的需求。   由于具有超薄的1.9毫米外形,Vishay 的新型 VLRE31.. 和 VLRK31.. 系列的 SMD LED 采用自頂向下安裝方式,并透過 PCB 發(fā)光。這些器件采用非擴(kuò)散透境,該種透境能出色地與光管和背光耦合。   此次 Vishay 推出的新型
          • 關(guān)鍵字: Vishay  LED  倒立鷗翼式  

          Vishay推出新型超高精度、高分辯率Z箔音頻電阻

          •   Vishay于5月5日宣布推出新型超高精度Z箔。該電阻采取特殊設(shè)計(jì),可增加信號(hào)清晰度;當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C (參考溫度為+25°C)時(shí),該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。   Vishay 的此款新型音頻電阻 (VAR)采用 Vishay 的 Bulk Metal Z 箔技術(shù)制成,具有低噪聲及低阻抗/
          • 關(guān)鍵字: Vishay  音頻電阻  

          新型高功率高速870nm紅外發(fā)射器(Vishay)

          •   Vishay Intertechnology, Inc.推出具有38o 寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器,從而擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨(dú)特設(shè)計(jì)的鏡頭,使TSFF5510 具有38o 的視角范圍,與標(biāo)準(zhǔn)的 5 mm 發(fā)射器相比,可提供更優(yōu)異的性能。 ????   寬視角、高達(dá) 1 A 的功率輸出及高速等特點(diǎn)使 TSFF5510 紅外發(fā)射器非常適合如紅外線收費(fèi)及無線音頻傳輸系統(tǒng)等室外數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中的紅外線音、視頻數(shù)據(jù)傳輸,這些應(yīng)用通
          • 關(guān)鍵字: Vishay  發(fā)射器  

          Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

          •   Vishay推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標(biāo)。   新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件,在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM),Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98
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          Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A-200A高額定電流的新系列半橋IGBT模塊

          •   Vishay Intertechnology宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成,這些器件采用多種技術(shù),可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。   日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 IGBT 技術(shù)。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (PT) IGBT 技術(shù),而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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          Vishay推出采用三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器

          •   日前,Vishay推出具有三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應(yīng)時(shí)間以及 -55°C~+155oC 的溫度范圍。   由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝,這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩(wěn)定性,甚至在長期及寬泛的溫度范圍內(nèi)也是如此,這可在汽車電子設(shè)備、工業(yè)電子設(shè)
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          Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器

          • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度,新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中節(jié)省板面空間,以及提供 ESD 保護(hù)。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
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          Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻

          • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻,當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時(shí),該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)(額定功率下)、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
          • 關(guān)鍵字: Vishay Z箔 電阻  

          Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻

          • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻,這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C~+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結(jié)構(gòu)將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
          • 關(guān)鍵字: Vishay Power Metal Strip 電阻  
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          vishay介紹

          威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國財(cái)富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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