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Vishay推出Bulk Metal箔電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(nèi)(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
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Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。 與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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Vishay推出1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。 今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統(tǒng)SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達200A，工作溫度為-55℃～+105℃。 TVS器件可用來保護通信和普通應(yīng)用中的敏感設(shè)備，
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Vishay 推出循環(huán)壽命長達兩百萬次的面板電位計
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟、長壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。 標準的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次循環(huán)。對設(shè)計者來說，P11L的長壽命可減少對替換零件的需求，提高可靠性和降低維護成本。 Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調(diào)單元、加工機械、醫(yī)療系統(tǒng)、X光設(shè)備、卡車和拖車，以及軍用和航天系統(tǒng)中的CMOS放大器增益、
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Vishay發(fā)布業(yè)界首個系列超小型SMD紅外接收器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個采用兩個光敏二極管及專利技術(shù)內(nèi)部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無鏡片設(shè)計，實現(xiàn)了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內(nèi)，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。 今天發(fā)布的器件中有三款是自動增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控數(shù)據(jù)格式。TSOP7
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Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙霧探測、光柵中的探測器，以及各種消費類和工業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)傳輸進行了優(yōu)化。 VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]
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