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          Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件

          •   日前,Vishay宣布,推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP®電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形,具有高最高頻率、高達(dá)92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。   新款I(lǐng)HLP-6767DZ-01的頻率范圍達(dá)2MHz,是終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)和DC-DC應(yīng)用的高效能、節(jié)省空間和低功耗的解決方案,這些應(yīng)用領(lǐng)域包括下一代移動(dòng)設(shè)備、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡和汽車(chē)電子系統(tǒng),低外形、
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電感器  IHLP  

          Vishay發(fā)布新款集成功率光敏

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的集成功率光敏,分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A,擴(kuò)充了其光電產(chǎn)品組合。這些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和電源TRIAC兩個(gè)器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC,這些器件可節(jié)省電路板空間和降低成本。這些光耦產(chǎn)品采用8引腳的DIP封裝,可保護(hù)人體免受電擊,在家電和很多其他系統(tǒng)中,可對(duì)低壓控制電路與高壓電源進(jìn)行光電隔離,避免出現(xiàn)過(guò)流情況。   VO2223和VO2223A的
          • 關(guān)鍵字: Vishay  功率光敏  VO2223  VO2223A  

          Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn),如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示,是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇,也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線(xiàn)組合的典型代表產(chǎn)品。   2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是: 597D和T97多模鉭電容:對(duì)于+28V應(yīng)
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          Vishay推出保護(hù)USB-OTG端口的新款ESD保護(hù)陣列

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08,可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內(nèi)可提供3路USB ESD保護(hù),在12V工作電壓范圍內(nèi)提供1路VBUS保護(hù)。   VBUS053BZ-HNH-G-08采用無(wú)鉛的LLP1713-9M,封裝,具有0.6mm的超低外形,可在高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中減少有源ESD保護(hù)所需的電路板
          • 關(guān)鍵字: Vishay  ESD  USB-OTG  

          Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案,具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)針對(duì)PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動(dòng)開(kāi)關(guān),采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。   microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨(dú)特的分立MOSFET設(shè)計(jì)、IC專(zhuān)長(zhǎng)和封裝工藝,為客戶(hù)提供了具有成本效
          • 關(guān)鍵字: Vishay  microBUCK  MOSFET  封裝  

          Vishay發(fā)布基于光敏二極管的環(huán)境光傳感器的視頻演示

          •   日前,Vishay宣布,為幫助客戶(hù)了解在應(yīng)用中使用環(huán)境光傳感器的益處,Vishay公司將在官方網(wǎng)站上發(fā)布其光電產(chǎn)品組的視頻產(chǎn)品演示。   Vishay的環(huán)境光傳感器采用獨(dú)家的紅外濾波環(huán)氧樹(shù)脂技術(shù),能夠使感光光譜匹配人眼的敏感度特性,而對(duì)非可見(jiàn)光的敏感度則很小。這種特性可避免自然光、白熾燈和鹵素?zé)襞莸热斯ふ彰髦屑t外成分對(duì)傳感器的干擾。這段5分鐘的新視頻演示了亮度測(cè)試,顯示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和標(biāo)準(zhǔn)的硅光敏晶體管。   這段演示表明,在不同的光源下,其他技術(shù)
          • 關(guān)鍵字: Vishay  傳感器  TEMT6200FX01  

          Vishay Siliconix 推出符合DrMOS規(guī)定的新款器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內(nèi),該器件集成了對(duì)PWM信號(hào)優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)IC,以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規(guī)定的服務(wù)器、PC、圖形卡、工作站、游戲機(jī)和其他高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器(VR)標(biāo)準(zhǔn)。該器件的工作頻率超過(guò)1MHz,效率高達(dá)92%。   SiC7
          • 關(guān)鍵字: Vishay  驅(qū)動(dòng)IC  PowerPAK  SiC762CD  

          Vishay推出6款新型整流器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封裝,具有10A~30A的電流額定范圍。   今天發(fā)布的器件包括單芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及雙芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  

          Vishay推出用于LED照明的表面貼裝白光LED器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類(lèi)似器件保持大范圍的引腳兼容,VLMW321xx LED提供了3個(gè)陽(yáng)極和1個(gè)陰極,VLMW322xx LED提供了3個(gè)陰極和1個(gè)陽(yáng)極。   今天發(fā)布的這些器件采用PLCC-4封裝,優(yōu)化的引線(xiàn)框使熱阻降低至300K/W,功率耗散高達(dá)200mW,從而使器件能夠使用高達(dá)50mA的驅(qū)動(dòng)電流,使亮度
          • 關(guān)鍵字: Vishay  器件  LED照明  

          Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出內(nèi)置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸,可在以安全為首要考慮的應(yīng)用中為短路故障提供非常高級(jí)別的保護(hù)。   TF3系列器件具有一個(gè)內(nèi)部的電子式熔斷裝置,在+25℃、最小5A電流條件下,熔斷裝置可以0.1秒的時(shí)間內(nèi)起作用。在因電流過(guò)大引發(fā)故障的情況下,可以防止對(duì)電路元器件造成損傷。   這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
          • 關(guān)鍵字: Vishay  貼片電容器   TF3  TANTAMOUNT  

          Vishay推出4款MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  FET  

          Vishay推出ESD級(jí)別高達(dá)2kV的車(chē)用精密薄膜電阻

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證、ESD級(jí)別高達(dá)2kV的新款PAT系列精密車(chē)用薄膜電阻。該電阻的標(biāo)準(zhǔn)TCR低至±25ppm/℃,經(jīng)過(guò)激光微調(diào)后的容差低至±0.1%,可滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對(duì)溫度、濕度提出的新需求,同時(shí)具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。   由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜,使PAT電阻實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的薄膜,在+70℃下經(jīng)過(guò)10,000小時(shí)后的性能特性為1000ppm。器件針對(duì)混合動(dòng)力/電控
          • 關(guān)鍵字: Vishay  ESD  薄膜電阻  

          Vishay的接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增三種外形尺寸

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其101/102 PHR-ST螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸,接線(xiàn)柱的長(zhǎng)度為13mm。   101/102 PHR-ST 器件現(xiàn)在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸,圓柱形的鋁外殼與圓盤(pán)里的藍(lán)色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實(shí)現(xiàn)了從1F、25V至10,000F、45
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電容器  

          Vishay推出TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出電流密度高達(dá)2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。   今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210,以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。   由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  TMBS  

          Vishay發(fā)布大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在網(wǎng)站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示,幫助客戶(hù)了解在應(yīng)用中使用這種電感器的好處。   視頻演示顯示,當(dāng)電流增大時(shí),采用其他技術(shù)的電感器會(huì)硬飽和,導(dǎo)致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和,使得感值能夠緩慢地滾降。   Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰,而不會(huì)出現(xiàn)硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測(cè)試,充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。   為盡可能
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電感器  IHLP  
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          vishay介紹

          威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家,其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠(chǎng)分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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