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中國DRAM和NAND存儲技術和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
- 關鍵字： DRAM NAND
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
- 關鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
2022半導體儲存器市場調(diào)研 半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析
- 國內(nèi)半導體儲存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。2022半導體儲存器市場調(diào)研半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析 國內(nèi)開始布局存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)?；袊箨懙拇鎯ζ鞴娟懤m(xù)成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇?！ “雽w儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
- 關鍵字： 存儲 DRAM 市場
TrendForce：DRAM原廠降價意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價強勢，并未出現(xiàn)降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務器領域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
- 關鍵字： TrendForce DRAM
TrendForce：第三季DRAM價格預估下跌3～8％
- 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
- 關鍵字： TrendForce DRAM
SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存
- 關鍵字： SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
- 關鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
一臺特殊的Xbox Series X流出：竟有多達40GB GDDR6
- Gamers Nexus近日淘到了一個好東西：微軟給游戲開發(fā)者準備的Xbox Series X開發(fā)套件，簡稱XDK。這套XDK是2020年的版本，處理器當然是AMD Scarlett APU，包括八個Zen2 CPU核心、56個RDNA GPU計算單元，和零售版一樣，但頻率應該不同。最大的差異在于內(nèi)存/顯存，零售版是16GB GDDR6，XDK開發(fā)套件上則是多達40GB GDDR6，正方面各有10顆，單顆容量2GB。這可能是發(fā)布前出現(xiàn)大容量內(nèi)存/顯存?zhèn)髀劦膩碓础８蟮膬?nèi)存/顯存空間，顯然方便開發(fā)者調(diào)試、搜
- 關鍵字： GDDR6 Xbox Series X GDDR6X
利基型DRAM持續(xù)擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
- 關鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進內(nèi)存技術的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
- 關鍵字： 三星 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM
驍龍8助力vivo開啟高端智能手機新時代
- vivo首款折疊屏旗艦vivo X Fold和大屏商務旗艦vivo X Note正式亮相。vivo X Fold和X Note均搭載全新一代驍龍8移動平臺，其出色的性能、安全、AI和影像體驗，助力vivo打造沖擊高端手機市場的全新力作，為廣大用戶帶來更加高效、便捷和具有創(chuàng)造力的手機使用體驗，開啟高端智能手機新時代。秉承“大，集大成”的產(chǎn)品理念，vivo X Fold和X Note都采用驍龍8，以強大性能作為打造全面頂級體驗的基礎。驍龍8采用4nm工藝制程打造，全新的Kryo CPU采用Arm Cortex
- 關鍵字： 高通 驍龍8 vivo vivo X Fold
消息稱微軟正在開發(fā)更小、更高效的 Xbox Series X 芯片
- 4 月 11 日消息，微軟 Xbox Series X 已經(jīng)上市好長一段時間了，現(xiàn)有消息表明它的第一個升級版本可能即將到來。內(nèi)部人士Brad sam (現(xiàn)任 Stardock 軟件公司副總裁兼總經(jīng)理) 發(fā)布的一段視頻顯示，微軟正在為這款游戲機開發(fā)一款更高效的芯片。Sams 在 YouTube 上透露：我相信這是真的…… 我知道微軟正在改進 Xbox 芯片?，F(xiàn)在，我們會看到性能改進嗎，我們會看到其他東西嗎？雖然我不這么認為，但微軟確實一直在致力于開發(fā)更酷、更高效的芯片，因為這有助于降低生產(chǎn)成本。我相信微軟正
- 關鍵字： 微軟 Xbox Series X 芯片
第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據(jù)市調(diào)預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
- 關鍵字： DRAM 集幫咨詢
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