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SK海力士與美國(guó)完成協(xié)商,確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國(guó)工廠(chǎng)供應(yīng)設(shè)備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示,公司完成與美國(guó)商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商,確保在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠(chǎng)供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此,SK海力士預(yù)期將能夠在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng),進(jìn)而維持在中國(guó)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示:“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國(guó)持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國(guó)政府及美國(guó)商務(wù)部緊密合作,在遵循國(guó)際原則的前提下為保障中國(guó)工廠(chǎng)的運(yùn)營(yíng)盡最大的努力?!泵绹?guó)商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng),將限制用于在中國(guó)生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce:存儲(chǔ)器廠(chǎng)聚焦CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充器產(chǎn)品
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新服務(wù)器相關(guān)報(bào)告指出,CXL(Compute Express Link)原是希望能夠整合各種xPU之間的性能,進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本,并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮,但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格,而該規(guī)格可先實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充(CXL Memory Expander)。因此,TrendForce認(rèn)為
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SPARC:用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無(wú)處不在:從手機(jī)和汽車(chē)到人工智能的云服務(wù)器,所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而,隨著芯片特征變得更小,現(xiàn)有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能,從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù),用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是,它可以沉積超薄層,并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能,還不受工藝集成的影響,可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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JAI最新的Go-X系列相機(jī)搭載5GBASE-T接口
- JAI近日宣布再推出Go-X系列的12款小型機(jī)器視覺(jué)相機(jī),支持GigE Vision連接,傳輸速度高達(dá)5GBASE-T(5GigE)。與今年初Go-X系列發(fā)布的24款型號(hào)一樣,這批新款相機(jī)配備了最新的索尼Pregius S CMOS傳感器,分辨率從510萬(wàn)像素到2450萬(wàn)像素不等。Pregius S傳感器采用背照式技術(shù),雖然單個(gè)像元尺寸更小,但不會(huì)犧牲成像性能。JAI借助這項(xiàng)技術(shù),用緊湊型的產(chǎn)品為用戶(hù)提供更加高清的圖像。Pregius S傳感器的像元尺寸僅為2.74μm,這意味著新的24.5M像素的Go-
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庫(kù)存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13~18%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺,第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購(gòu),導(dǎo)致供貨商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變,市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形,導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13%~18%。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面,由于筆電需求疲弱,OEM廠(chǎng)仍將著重去化DRAM庫(kù)存,而DRAM供應(yīng)端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下,未有實(shí)際減產(chǎn)情形,故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高,供貨商庫(kù)存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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如何快速調(diào)試TLD6098-X的設(shè)計(jì)
- TLD6098-2ES是寬電壓輸入雙通道多拓?fù)銬C/DC控制器,兩個(gè)通道上的電流或者電壓通過(guò)可以通過(guò)不同的拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,作為一級(jí)恒壓源或者恒流源。目前TLD6098可以支持的拓?fù)溆校簩?duì)地升壓,SEPIC, 反激,對(duì)電池升壓,降壓。本文針對(duì)TLD6098-X在保護(hù)診斷設(shè)計(jì)上的特殊處理,以及實(shí)際使用當(dāng)中常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行分析和解答,使設(shè)計(jì)者可以盡快定位問(wèn)題,從而快速問(wèn)題,縮短設(shè)計(jì)周期。1.介紹汽車(chē)的ECU設(shè)計(jì)從概念到驗(yàn)證是需要很多的步驟。通過(guò)測(cè)試原型機(jī)的PCB來(lái)驗(yàn)證設(shè)計(jì)是最重要并且最花時(shí)間的步驟之一。所有可能的
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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布,將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所(IHP)的長(zhǎng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分,X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán),將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶(hù)群體。130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合,提供了獨(dú)特的解決方案,達(dá)到滿(mǎn)足下一代通信要求所需的更高
- 關(guān)鍵字: X-FAB 萊布尼茨IHP
更簡(jiǎn)單、更聰明的X-CUBE-AI v7.1.0 輕松布署AI模型
- X-CUBE-AI是意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)STM32生態(tài)系統(tǒng)中的AI擴(kuò)充套件,可自動(dòng)轉(zhuǎn)換預(yù)先訓(xùn)練好的AI模型,并在用戶(hù)的項(xiàng)目中產(chǎn)生STM32優(yōu)化函式庫(kù)。最新版本的X-CUBE-AI v7.1.0主要有三項(xiàng)更新:? 支持入門(mén)級(jí)STM32 MCU;? 支持最新AI架構(gòu);? 改善使用者體驗(yàn)和效能調(diào)校。ST持續(xù)提升STM32 AI生態(tài)系統(tǒng)的效能,且提供更多簡(jiǎn)單、易用的接口,并強(qiáng)化更多類(lèi)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的運(yùn)算,而且最重要的一點(diǎn)是:免費(fèi)。在介紹X-CUBE-AI v7.1.0的三大更新之前,先了解一下X-CUBE-AI的主
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集邦:明年DRAM需求位成長(zhǎng)8.3%創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(zhǎng)
- 根據(jù)集邦科技指出,2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(zhǎng)僅8.3%,是歷年來(lái)首度低于10%,遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)約14.1%,分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢(shì)下仍相當(dāng)嚴(yán)峻,價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求,但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應(yīng)用來(lái)看,高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求,故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo),尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題,品牌超額下訂,加上通路銷(xiāo)售遲緩,使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢,造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面,
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美光車(chē)規(guī)級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗(yàn)
- 全球汽車(chē)內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布其車(chē)規(guī)級(jí)高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車(chē)最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車(chē)型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)實(shí)現(xiàn)最高L4級(jí)自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合,理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車(chē)規(guī)級(jí)LPDDR4和UFS 2.1技術(shù),為用戶(hù)提供出色的娛樂(lè)和用
- 關(guān)鍵字: 美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)
是誰(shuí)在拉動(dòng)嵌入式存儲(chǔ)的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)張?
- 近年來(lái),受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響,存儲(chǔ)器件的價(jià)格呈現(xiàn)出較大的波動(dòng)態(tài)勢(shì)。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機(jī)構(gòu)的分析師都預(yù)測(cè)了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個(gè)2022年,甚至更長(zhǎng)。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析,2022年全球存儲(chǔ)器件市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元,較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元,同比增長(zhǎng)將會(huì)達(dá)到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)(2021年11月)圖源:WSTS&nbs
- 關(guān)鍵字: 嵌入式存儲(chǔ) X-FAB NVM
DRAM 內(nèi)存加速降價(jià),6 月報(bào)價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低
- IT之家 7 月 18 日消息,日經(jīng)新聞表示,半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià),作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個(gè)月下跌。指標(biāo)產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成,創(chuàng)出 1 年半以來(lái)新低。從作為指標(biāo)的 8GB DDR4 內(nèi)存來(lái)看,6 月報(bào)價(jià)約 2.7 美元每個(gè),環(huán)比下跌 0.3 美元(10%),而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個(gè),環(huán)比下跌 10%,同比下跌 32%,處于 2020 年 12 月以來(lái)的最低水平。分析師認(rèn)為,PC 和智能手機(jī)的
- 關(guān)鍵字: DRAM 市場(chǎng)
DRAM能否成為半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)晴雨表?
- 在今年Gartner的半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告中指出,從歷史角度來(lái)看,存儲(chǔ)市場(chǎng)一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應(yīng)求的情況,使得價(jià)格上漲,但在2022年下半年會(huì)恢復(fù)并且進(jìn)入供過(guò)于求的周期,這個(gè)周期會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來(lái)具體分析都存在哪些因素導(dǎo)致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問(wèn)題導(dǎo)致消費(fèi)市場(chǎng)向下修正 俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)打破歐洲和平局面,導(dǎo)致能源價(jià)格大幅提升,整體社會(huì)的消費(fèi)水平降低,企業(yè)和消費(fèi)者會(huì)減少很多不必要的開(kāi)支。早在4月底,美國(guó)商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示,美國(guó)一季度G
- 關(guān)鍵字: DRAM 半導(dǎo)體 市場(chǎng)
潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲(chǔ)芯片
- 隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn),汽車(chē)芯片的含量成倍提升,電動(dòng)車(chē)半導(dǎo)體含量約為燃油車(chē)2倍,智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片,2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端,2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元,2035年為893億美元。可見(jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn),有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力?! ∑?chē)芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類(lèi):主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲(chǔ)芯片為例,2022年全球汽車(chē)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元,國(guó)內(nèi)汽車(chē)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
- 關(guān)鍵字: 北京君正 兆易創(chuàng)新 DRAM NAND
美光面向數(shù)據(jù)中心客戶(hù)推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM, 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加,改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍,進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量,能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能,有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
- 關(guān)鍵字: 美光 數(shù)據(jù)中心 DRAM DDR5
x-dram介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)x-dram的理解,并與今后在此搜索x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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