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          Maxim推出業(yè)內首款8 x 4衛(wèi)星IF開關IC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maxim推出業(yè)內首款8 x 4衛(wèi)星IF開關IC MAX12005，可擴展至16路衛(wèi)星信號輸入。MAX12005具有高度集成特性，且應用十分靈活，非常適合多種空間受限的衛(wèi)星IF分配和多開關應用。
　　MAX12005應用十分靈活，通過一路附加的IF開關輸入配置內部8 x 4矩陣，可擴展至16路衛(wèi)星信號輸入。器件支持單個四路低噪聲下變頻模塊(LNB)，垂直或水平極化信號可通過矩陣切換至四個衛(wèi)星接收器。使用兩片MAX12005 IC以及增加八個輸入分離器還可實現(xiàn)將八路衛(wèi)星IF輸入分配至八個衛(wèi)星接收器的配
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          • 關鍵字：
                        Maxim  IF開關  MAX12005  8 x 4  LNB                          
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          Maxim推出結構緊湊的USB充電器識別開關
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maxim推出USB充電器識別方案MAX14566E，支持采用筆記本電腦為便攜設備充電，即使筆記本電腦處于休眠或深度休眠模式也可進行充電。該款開關支持USB電池充電規(guī)范1.1版以及面向中國市場的CCSA YD/T 1591-2006標準。MAX14566E結構緊湊(2mm x 2mm)，與分立方案相比可有效節(jié)省電路板空間，降低軟件開銷。
　　MAX14566E通過充電器識別電路可自動識別所連接的便攜設備類型，該電路無需外部軟件干預，主機USB端口可通過短接D+/D-檢測支持兼容USB電池充電規(guī)范1.
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          • 關鍵字：
                        Maxim  識別開關  2mm x 2mm  MAX14566E                          
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          歐洲晶圓代工廠應對亞洲同行挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，通過采用有針對性的技術、靈活的生產(chǎn)擴張戰(zhàn)略和明智的收購行動，歐洲半導體代工廠商X-FAB Semiconductor Foundries AG和LFoundry GmbH已經(jīng)在市場中占有一席之地，成為模擬與混合信號半導體供應商。
　　
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          • 關鍵字：
                        X-FAB  晶圓代工                          
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          一種GaN寬禁帶功率放大器的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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          • 關鍵字：
                        設計  功率放大器  GaN  一種                          
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          X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設備，以及用于使用壓電驅動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管，對于達到100V的多運作電壓，導通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶
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          • 關鍵字：
                        X-FAB  晶圓代工                          
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          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
          
                                                            
            
                    	
          • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
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          • 關鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
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          X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝
          
                                                            
            
                    	
          • 　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天宣布其將擴大自身的晶圓廠服務，囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領先的MEMS晶圓廠中占據(jù)有利地位，并能使為汽車與消費電子市場開發(fā)應用設備的客戶受益。公司早已開展與主要客戶合作,結合0.35微米CMOS技術,開發(fā)200毫米晶片的MEMS設
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          • 關鍵字：
                        X-FAB  MEMS  晶圓                          
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          X-FAB將參展2010 中國國際微機械/MEMS展覽會
          
                                                            
            
                    	
          • 　　業(yè)界領先的模擬或混合信號硅晶圓代工廠和“超越摩爾定律”技術的專家X-FAB公司，將參加2010年5月27日-29日舉行的中國國際微機械/MEMS展覽會暨新技術與產(chǎn)業(yè)化論壇，展示其先進的MEMS代工廠服務，展位號為 #A303 & 304。X-FAB公司的代工制程技術，已經(jīng)被廣泛地應用在制造微型機械傳感器上，包含結合了MEMS和CMOS的集成解決方案, 可以用來探測壓力、加速度、轉速和紅外線輻射。
　　X-FAB在MEMS代工方面已經(jīng)擁有超過10年的經(jīng)驗，為壓力傳感器、
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          • 關鍵字：
                        X-FAB  MEMS                          
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          連接Profibus和Modbus-TCP網(wǎng)絡的Anybus X-網(wǎng)關
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　簡便易用的智能網(wǎng)關可將施耐德電氣、ABB或通用電氣設備同西門子自控系統(tǒng)和網(wǎng)絡連接起來。來自HMS工業(yè)網(wǎng)絡有限公司的Anybus X-網(wǎng)關使得系統(tǒng)集成器可以在兩個不同的PLC系統(tǒng)和網(wǎng)絡間輕松傳導輸入輸出數(shù)據(jù)。X-網(wǎng)關是一種可配置的獨立網(wǎng)關，它能使得基于Profibus網(wǎng)絡的車間設備可與基于Modbus-TCP網(wǎng)絡的設備進行雙向通信。典型的應用領域為混合使用西門子、施耐德電氣、ABB或通用電氣設備的裝置。一個實例是在汽車制造工廠，在那兒基于Profibus的裝置需要同基于工業(yè)以太網(wǎng)并使用流行的Modbus
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          • 關鍵字：
                        HMS  X-網(wǎng)關  Profibus  Anybus                           
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          X-fest 2010 系列研討會圓滿落幕好評如潮
          
                                                            
            
                    	
          • 　　安富利電子元件 (Avnet Electronics Marketing) 與賽靈思公司(Xilinx, Inc.)攜手舉辦的為期五個月、橫跨全球 37 個城市的 X-fest 系列技術研討會已經(jīng)圓滿結束。本次活動的出席人數(shù)超出預期，并且贏得了參會人員的一致贊許。
　　為期一天的免費培訓提供了實用的系統(tǒng)級設計指導，包含賽靈思的 Spartan®-6 和 Virtex®-6 FPGA 系列的詳盡介紹，以及來自賽普拉斯、英特爾、美信(Maxim Integrated Products)、
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          • 關鍵字：
                        安富利  X-fest  電子元件                          
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          GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
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          • 關鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
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          X-FAB 率先提出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術的專家，X-FAB Silicon Foundries，今天成為第一家也是唯一一家提供嵌入式非易失性隨機存取存儲器(NVRAM)工藝特征的專業(yè)晶圓代工廠，提出了一種單芯片解決方案。由于結合了快速存取SRAM以及EEPROM或閃存的非易失性保持的優(yōu)點，即使芯片面積大大減少，XH018工藝的新的NVRAM能力和支持NVRAM編譯器可使客戶獲取同樣甚至更好的功能，同時當他們設計與測試時更能夠節(jié)省時間和精力。
　　新的編譯器允許設
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          • 關鍵字：
                        X-FAB  NVRAM  晶圓代工                          
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          Intersil推出WIDESound x 4音頻增強技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球精選市場交易代碼：ISIL)今天宣布，推出適用于解決空間有限，但對音質要求苛刻需求的WIDESound x 4音頻增強技術。
　　現(xiàn)在的輕薄平板電視和其他新潮的消費類產(chǎn)品的尺寸有限，設計者無法采用傳統(tǒng)的大尺寸多揚聲器系統(tǒng)。然而消費者仍然需要完整、飽滿的音質，以及時尚、漂亮的產(chǎn)品外觀。

　　WIDESound x 4技術可以用多通道條形音箱模擬出“虛擬”環(huán)繞聲效果，從而大大提升無法安裝全尺寸揚聲器的平
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          • 關鍵字：
                        Intersil  音頻增強  WIDESound x 4                          
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          應用創(chuàng)新時代，摩爾定律以外的世界同樣精彩
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當幾年前集成電路生產(chǎn)工藝達到深亞微米時，關于摩爾定律(Moore’s Law)是否在未來仍然有效的討論就廣泛展開，于是很快也就有了“摩爾定律進一步發(fā)展(More Moore)”和“超越摩爾定律(More than Moore)”兩種觀點。這兩種觀點分別在相關領域影響著電子技術和半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為了許多行業(yè)和企業(yè)制定技術和產(chǎn)品路線圖的重要依據(jù)。
　　在過去的幾年中，More Moore似乎有了更快的發(fā)展。納米級的半導體工業(yè)技術不僅應用在了
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          • 關鍵字：
                        X-FAB  摩爾定律  通信基站  基帶                          
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          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究
          
                                                            
            
                    	
          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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                        MMIC  SiC  GaN  襯底                            
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