xperia 1 v 文章 進(jìn)入xperia 1 v技術(shù)社區(qū)
中國移動發(fā)布安全MCU芯片：40納米工藝、極其安全
- 7月1日消息，近日，中國移動旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40納米功耗工藝，基于業(yè)界領(lǐng)先的高性能32位RISC-V內(nèi)核，綜合性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。它有三個主要特點(diǎn)：一是高安全。雙核設(shè)計，安全子系統(tǒng)由安全內(nèi)核獨(dú)立控制，具備更高安全等級。同時支持物理防克隆PUF、TEE和防側(cè)信道攻擊，支持豐富的加密算法。二是高性能。主頻高達(dá)120MHz，F(xiàn)lash容量達(dá)到512KB，SRAM容量達(dá)到144KB，并支持USB、以太網(wǎng)、SDIO、DCMI
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奕斯偉計算公司在最新的RISC-V邊緣計算SoC中將SiFive CPU、Imagination GPU和自有NPU結(jié)合集成
- 今天，北京奕斯偉計算技術(shù)股份有限公司（以下簡稱“奕斯偉計算”）與Imagination Technologies和SiFive聯(lián)合宣布，奕斯偉EIC77系列SoC中的圖形和計算加速功能由Imagination的GPU IP、SiFive的CPU IP，以及奕斯偉計算的專有神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)單元NPU無縫集成而成?！癆I時代，面對千行百業(yè)被重塑的巨大機(jī)遇，奕斯偉計算正在構(gòu)建基于RISC-V的智能計算未來，”奕斯偉計算副董事長王波表示，“算力是AI的核心驅(qū)動力，我們已推出EIC77系列SoC，以滿足客戶更多應(yīng)用場景的不
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NAND市場，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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RISC-V 開源芯片新紀(jì)元：毛德操新書發(fā)布，共筑中國芯未來
- RISC-V，作為一種開源的精簡指令集架構(gòu)，近年來在半導(dǎo)體行業(yè)取得了顯著的發(fā)展。2023年，它被麻省理工科技評論評為十大突破性技術(shù)之一，更有機(jī)構(gòu)預(yù)測未來將與英特爾x86和ARM架構(gòu)形成三分天下的格局。據(jù)機(jī)構(gòu)分析，2023年，RISC-V架構(gòu)芯片的出貨量超過100億顆，僅用12年就走完了傳統(tǒng)架構(gòu)30年的發(fā)展歷程。預(yù)計未來幾年，RISC-V的采用率將以40%的年復(fù)合增長率增長。 目前，RISC-V架構(gòu)在我國也吸引了大量的關(guān)注，近年來一直被積極研究、發(fā)展。但是，現(xiàn)如
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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晶心科技與Arteris攜手加速RISC-V SoC的采用
- 亮點(diǎn):-? ?晶心科技與Arteris的合作旨在支持共同客戶越來越多地采用RISC-V SoC。-?? 專注于基于RISC-V的高性能/低功耗設(shè)計，涉及消費(fèi)電子、通信、工業(yè)應(yīng)用和AI等廣泛市場。-?? 此次合作展示了與領(lǐng)先的晶心RISC-V處理器IP和Arteris芯片互連IP的集成和優(yōu)化解決方案。Arteris, Inc.是一家領(lǐng)先的系統(tǒng) IP 供應(yīng)商，致力于加速片上系統(tǒng)（SoC）的創(chuàng)建，晶心科技（臺灣證券交易所股票代碼：6533）是RISC-
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與 AI 共舞，RISC-V 芯片加速落地生根
- 環(huán)顧當(dāng)下芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵詞，RISC-V 一定位列其中。自計算機(jī)誕生以來，指令集架構(gòu)一直是計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中的核心概念之一。目前市場上主流的指令集架構(gòu)兩大巨頭是 x86 和 ARM，前者基本壟斷了 PC、筆記本電腦和服務(wù)器領(lǐng)域，后者則在智能手機(jī)和移動終端市場占據(jù)主導(dǎo)地位。近年來，隨著全球?qū)π酒灾骺煽匦枨蟮脑鲩L以及物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算等領(lǐng)域的需求不斷擴(kuò)大，RISC-V 在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用，逐漸成為第三大指令集架構(gòu)。2023 年，RISC-V 架構(gòu)在更多實(shí)際應(yīng)用場景中得以落地生根，從物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、邊
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計，最多288個。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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臺積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時代”啟動尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會在未來五年甚至更長的時間內(nèi)出現(xiàn)。著
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2024中關(guān)村論壇年會亮相10項重大科技成果
- 據(jù)中國科協(xié)官微消息，4月25日，2024中關(guān)村論壇年會開幕式舉行，10項重大科技成果集體亮相。其中：北京量子信息科學(xué)研究院聯(lián)合中國科學(xué)院物理研究所、清華大學(xué)等團(tuán)隊，宣布完成大規(guī)模量子云算力集群建設(shè)，實(shí)現(xiàn)了5塊百比特規(guī)模量子芯片算力資源和經(jīng)典算力資源的深度融合，總物理比特數(shù)達(dá)到590，綜合指標(biāo)進(jìn)入國際第一梯隊。清華大學(xué)戴瓊海團(tuán)隊突破傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中的物理瓶頸，研制出國際首個全模擬光電智能計算芯片。據(jù)介紹，該芯片具有高速度、低功耗的特點(diǎn)，在智能視覺目標(biāo)識別任務(wù)方面的算力是目前高性能商用芯片的3000余倍，能效提
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第三代“香山”RISC-V 開源高性能處理器核亮相，性能進(jìn)入全球第一梯隊
- IT之家 4 月 25 日消息，在今日的 2024 中關(guān)村論壇年會開幕式重大成果發(fā)布環(huán)節(jié)，多項重大科技成果集體亮相。第三代“香山”RISC-V 開源高性能處理器核亮相，性能進(jìn)入全球第一梯隊。據(jù)介紹，第五代精簡指令集（RISC-V）正在引領(lǐng)新一輪處理器芯片技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的變革浪潮。中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所、北京開源芯片研究院開發(fā)出第三代“香山”開源高性能 RISC-V 處理器核，是在國際上首次基于開源模式、使用敏捷開發(fā)方法、聯(lián)合開發(fā)的處理器核，性能水平進(jìn)入全球第一梯隊，成為國際開源社區(qū)性能最強(qiáng)、最活躍
- 關(guān)鍵字： RISC-V 香
RISC-V如何推動邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)的發(fā)展
- 圖源：ipopba/Stock.adobe.com當(dāng)你入了機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 領(lǐng)域的門之后，很快就會發(fā)現(xiàn)，云端的數(shù)據(jù)存儲和處理成本竟然如此之高。為此，許多企業(yè)都上了內(nèi)部部署基礎(chǔ)設(shè)施的車，試圖通過這些設(shè)施來承載其ML工作負(fù)載，從而限制上述成本?？杉幢闳绱耍@些內(nèi)部的數(shù)據(jù)中心還是會帶來諸如功耗增加等代價，尤其是在規(guī)模較大的情況下。而功耗增加，就意味著電費(fèi)支出更高，還會給設(shè)備散熱制造麻煩，對可持續(xù)發(fā)展也會構(gòu)成不利影響。在云服務(wù)和內(nèi)部部署場景中，這些開銷與輸入到中心樞紐的數(shù)據(jù)量直接相關(guān)。而解決的辦法，就是在數(shù)據(jù)到
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