· 繼HBM3，其擴展版HBM3E也率先進入量產階段· 研發完成后僅隔7個月開始向客戶供貨，期待能實現最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲技術全球領先地位，并鞏固業務競爭力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產超高性能用于AI的存儲器新產品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發完成HBM3E后，僅隔7個月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實現了全球首次向客戶供應現有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
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2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
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疫情后數字時代的復蘇，使得世界數字經濟快速發展、數據產業百業待興，因此數據存儲市場也逐漸迎來活力；存儲市場經歷了價格戰，減產維穩到“硬漲價”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競爭勢態。當然，在面對挑戰和威脅的時候，也激勵著存儲技術持續突破。與此同時，環境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術的快速發展，也讓市場競爭格局分化，各細分領域爭奪激烈。存儲器是集成電路的重要組成部分，根據WSTS統計，2022年全球半導體市場規模達到5741億美金，其中集成電路市場規模4744億美金，占比 82.6%，存儲器的市場規模
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在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領域應用需求增加的推動下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看，DRAM 市場份額在三季度創下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產品領域的市場份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
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11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產量、人工智能領域相關需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產品的價格已在回升，銷售額環比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元，環比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個季度環比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環
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三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續舉行法說，釋出對存儲器產業看法，兩大廠商均表示，PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統服務器需求依然疲弱，而AI服務器需求則較為強勁。業界人士認為，存儲器原廠減產以求獲利的決心不容小覷，在獲利數字翻正前，應會持續減產策略，預期2024年上半年內存報價向上趨勢不變。臺系存儲器相關廠商包括南亞科、華邦電、群聯、威剛、創見、十銓、宇瞻等有望受惠。時序進入第四季，三星認為，市場復蘇將加速，在旺季帶動之下，市場DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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半導體產業作為現代科技的重要支撐，對經濟發展和社會進步起著關鍵性的作用。半導體在計算機、通信、消費電子、汽車、工業控制、醫療設備等各個領域廣泛應用，扮演著連接現實世界與數字世界的橋梁。然而，半導體產業正面臨著嚴峻的挑戰。1、技術研發半導體技術日新月異，要保持競爭力必須不斷進行技術研發和創新。新興技術的涌現不僅促使企業進行升級換代，同時也帶來了更多的市場機會。然而，技術研發需要投入大量的資金和人力資源，對于規模較小的企業來說具有較大的挑戰。 2、產品質量半
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韓媒報道，美國將無限期延長對三星電子和 SK 海力士在中國業務的豁免。
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IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內存量產。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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由于各大企業對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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6 月 18 日消息，據 businesskorea 以及 etnews 報道，SK 海力士將擴展其 HBM3 后道工藝生產線，并已收到英偉達要求其送測 HBM3E 樣品的請求據稱，考慮到對人工智能 (AI) 半導體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產能翻倍的計劃。業內消息稱 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對 HBM3E 樣品的請求，并正在準備發貨。HBM3E 是當前可用的最高規格 DRAM HBM3 的下一代，被譽為是第五代半導體產品。SK 海力士目前正致力于開發該產品
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IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經完成了 1bnm 的開發，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產品的內存程序進行驗證。海力士的 DRAM 開發主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產品所采用。英特爾內存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
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海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
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