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          美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

          —— 硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中
          作者: 時間:2011-12-04 來源:半導體制造 收藏

            近日,IBM表示促使(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/126616.htm

            將會開始生產利用IBM的3D芯片制程(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。制程將運用在的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產。

            IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術。

            對于美光而言,混合式記憶體立方(HMC)是DRAM封裝的一項突破。HMC的原型能以每秒128GB的速率執(zhí)行,相較于目前的記憶體芯片的速率為12.8GB/s。HMC使用的電力也少了70%。

            HMC將會運用在網(wǎng)路與高效能運算設備、工業(yè)自動化與消費性產品等。目前HMC將主要針對高端用戶。



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