<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

          CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

          作者: 時間:2012-06-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:為了提高集成電路的驅(qū)動能力,采用優(yōu)化比例因子的等比器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6μm 方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計和版圖設(shè)計,整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6μm 庫(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6μm 工藝完成版圖設(shè)計,并在一款上使用,版圖面積為1 mm×1 mm,并參與MPW(多項目晶圓)計劃流片,流片測試結(jié)果表明,在負載很大時,本設(shè)計能提供足夠的驅(qū)動電流,同時延遲時間短、并占用版圖面積小。
          關(guān)鍵詞:CMOS工藝;電路;版圖設(shè)計;MPW計劃;在片測試

          近年來,CMOS集成電路產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展,在各種消費類電子、家電和汽車產(chǎn)品中越來越多應(yīng)用到CMOS,但是在電子產(chǎn)品系統(tǒng)的設(shè)計過程中,隨著CMOS工藝尺寸越來越小,單位面積上集成的晶體管越來越多,極大地降低了芯片的成本,提高了芯片的運算速度。但是,隨著工藝的進步和尺寸的減小、芯片集成度的提高、多芯片模塊的出現(xiàn)和數(shù)據(jù)寬度的增加,芯片外部接口上、模塊內(nèi)芯片間的接口和芯片內(nèi)的總線與時鐘樹的大電容驅(qū)動問題問題變得日益嚴峻,同時,它還隨著日益顯著的互聯(lián)線RLC效應(yīng)而變得越來越復(fù)雜。這個問題引起了緩沖器插入技術(shù)和比例緩沖器的大量研究。
          對于一個CMOS集成電路芯片來說,對于接到片外的最終輸出級電路,需要驅(qū)動包括壓點、封裝管殼以及印刷電路板的寄生電容,這些電容的總和可能達到幾十pF甚至上百pF。當一個電路的輸出要驅(qū)動一個很大的負載電容時,為了保證電路的工作速度,必須使輸出級能提供足夠大的驅(qū)動電流。在一定工藝條件下,要增大驅(qū)動電流必須增大MOS管的寬長比,然而輸出級MOS管的尺寸增大,又將使前一級電路的負載電容增大,使前一級的延遲時間加長。因此,在驅(qū)動很大的負載電容時(不僅針對連接片外的輸出級,也包括扇出很大的電路,如時鐘發(fā)生器電路等),需要一個設(shè)計合理的輸出緩沖器,緩沖器要能提供所需要的驅(qū)動電流,同時又要使緩沖器的總延遲時間最小。在CMOS集成電路中,一般是用多級反相器構(gòu)成的反相器鏈做輸出緩沖器。這就是緩沖器插入技術(shù)和比例緩沖器的設(shè)計問題。
          筆者首先介紹等比緩沖器的設(shè)計原理,最后基于CSMC2P2M 0.6μm CMOS工藝,針對各種緩沖器鏈的速度和面積優(yōu)化情況,提出了一種優(yōu)化的輸出緩沖電路的設(shè)計,并應(yīng)用在一款芯片上參與MPW計劃流片。仿真和流片測試表明,本設(shè)計的輸出緩沖電路具有占用面積小、功耗低傳輸延遲小等優(yōu)點。

          1 等比緩沖器鏈的設(shè)計
          1.1 設(shè)計原理和優(yōu)化比例因子
          比例緩沖器的兩種基本類型是等比和變比緩沖器。Lin在文獻中第一次提出了等比緩沖器,其各級反相器與第一級的大小成式(1)中的比例關(guān)系。Jaeger在進一步的研究中得出了經(jīng)典的等比因子,其他一些研究者進一步在最優(yōu)等比因子中考慮了分開的柵漏電容負載和短路等效電容。Vemurut討論了變比緩沖器,其各級的比例關(guān)系如式(2)所示。
          b.JPG
          所謂等比緩沖器鏈,就是使反相器鏈逐級增大相同的比例,這樣每級反相器有近似相同的延遲時間,對減小緩沖器的總延遲時間有利。模擬表明,當反相器輸入波形的上升、下降時間與輸出波形的上升下降時間基本相等時,反相器的充放電電流為一個三角形波形,電流的峰值就是MOS管的最大飽和電流。如果輸入波形的上升、下降時間比輸出波形的大,則電流峰值下降,也就是說這種情況下沒有發(fā)揮出MOS管的最大驅(qū)動能力。如果輸入波形的上升、下降時間比輸出波形的小,則充放電電流波形從三角形變?yōu)樘菪?,這說明充放電時間加長。
          考慮一個逐級增大的S倍的反相器鏈,如圖1所示。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/176990.htm

          c.JPG


          以第一級反相器尺寸為單位1,則第二級反相器中NMOS和PMOS的寬度都比第一級增大S倍,第三級比第一級增大S2倍,如此類推,第N級反相器比第一級增大SN-1倍。
          如果忽略連線寄生電容和各個節(jié)點的PN結(jié)電容。則圖1的反相器鏈中有:
          d.JPG
          這里把C1看作依次增大尺寸的第N+1級反相器的輸入電容,因此有:
          e.JPG
          如果一個反相器驅(qū)動一個和它相同的反相器的延遲時間為tp0,則上述反相器鏈中每級的延遲時間均為Stp0,則總的延遲時間tp為:
          f.JPG
          如果知道了tp0和Cin以及最終要驅(qū)動的負載電容CL,則可以找到一個合適的N值,使輸出緩沖器總的延遲時間tp最小??梢缘玫剑?br /> g.JPG
          這就是說,如果要使尺寸較小的電路(Cin很小)驅(qū)動一個很大的負載電容CL,必須通過一個緩沖器,理想情況下,緩沖器由N級逐級增大e倍的反相器鏈組成,這樣可以使總延遲時間最小。

          電能表相關(guān)文章:電能表原理

          上一頁 1 2 3 4 下一頁

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();