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          一種電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃

          作者: 時(shí)間:2011-05-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:為了對(duì)所開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品進(jìn)行保護(hù),采用ASIC的方法設(shè)計(jì)基于硬加密技術(shù)的電統(tǒng)。在后端物理設(shè)計(jì)中,為了使最終的實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化且滿(mǎn)足功耗、時(shí)序等要求,采用預(yù)設(shè)計(jì)的方法對(duì)進(jìn)行功耗預(yù)估與布線擁塞分析。根據(jù)分析結(jié)果提高了芯片利用率,并針對(duì)預(yù)設(shè)計(jì)中存在的電壓降(IR Drop)違規(guī)進(jìn)行了詳細(xì)的,包括全局網(wǎng)絡(luò)的連接、環(huán)和電源條的設(shè)計(jì),最終滿(mǎn)足了功耗要求,實(shí)現(xiàn)了時(shí)序收斂以及面積優(yōu)化。
          關(guān)鍵詞:系統(tǒng);電源;功耗分析;電壓降

          0 引言
          為了防止所研發(fā)的產(chǎn)品被非法克隆,一種有效的方法是采用硬加密技術(shù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行保護(hù)。硬加密技術(shù)是指依賴(lài)特定的硬件實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)保護(hù),主機(jī)需要訪問(wèn)相應(yīng)的硬件進(jìn)行后才能正常工作,具有抗解密強(qiáng)度高,穩(wěn)定性和兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。
          本文所研究的電統(tǒng)認(rèn)證芯片是基于硬加密技術(shù)采用專(zhuān)用集成電路(ASIC)設(shè)計(jì)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的。由于ASIC上有特殊算法,PCB和一些硬件可能被復(fù)制,但是無(wú)法復(fù)制ASIC的加密數(shù)據(jù),保密性更強(qiáng)。該芯片采用RSA加密算法,它是非對(duì)稱(chēng)密鑰密碼體制的代表,其安全性在于找到兩個(gè)大素?cái)?shù)p和q比較容易;但目前沒(méi)有有效的方法從p和q的乘積N中分解出p和q。有專(zhuān)家建議,普通公司使用1 024位的密鑰就可以保證資料的安全性,因此該系統(tǒng)認(rèn)證芯片采用密鑰為1 024位的RSA加密算法。
          該電統(tǒng)認(rèn)證芯片采用SMIC 0.18μm 6層金屬工藝,在SoC Eneounter平臺(tái)上進(jìn)行物理設(shè)計(jì)。為了了解整個(gè)芯片的布線擁塞程度和功耗的大概情況,進(jìn)行正式設(shè)計(jì)之前,對(duì)該芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)計(jì);通過(guò)預(yù)設(shè)計(jì)的結(jié)果分析芯片的布線擁塞情況,并對(duì)布局布線后的功耗進(jìn)行預(yù)估。在分析預(yù)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,針對(duì)預(yù)設(shè)計(jì)中存在的問(wèn)題對(duì)芯片進(jìn)行詳細(xì)的電源,為整個(gè)芯片設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的供電網(wǎng)絡(luò),使最終的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化,并且滿(mǎn)足功耗、時(shí)序等要求。

          1 功耗預(yù)估
          預(yù)設(shè)計(jì)采用75%的利用率,對(duì)該電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片進(jìn)行了粗略的布圖規(guī)劃,僅設(shè)計(jì)了寬度為10 μm的電源環(huán)。為了使芯片功耗的分析結(jié)果更接近實(shí)際,對(duì)該芯片進(jìn)行了布局、時(shí)鐘樹(shù)綜合和詳細(xì)布線等步驟。在時(shí)序收斂的前提下,進(jìn)行功耗分析,工作電壓VDD為1.8 V,得到芯片的總功耗為115.41 mW,包括開(kāi)關(guān)功耗(Switehing Power)、內(nèi)部功耗(Internal Power)和泄露功耗(Leakage Power)。但是芯片中存在IRDrop違規(guī)(即芯片中的電壓降超過(guò)了5%VDD),如圖1所示,左上角的對(duì)話框中列出了存在IR Drop違規(guī)的地方,具體位置在版圖中的深色區(qū)域。一般情況下,5%的電壓降會(huì)增大10%~15%的線延遲,會(huì)產(chǎn)生時(shí)序違規(guī),使芯片處于不正常的工作狀態(tài),因此,需要在后續(xù)設(shè)計(jì)中進(jìn)行詳細(xì)的電源規(guī)劃。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179135.htm

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          采用75%的利用率進(jìn)行詳細(xì)布線后發(fā)現(xiàn),版圖中的布線擁塞情況并不嚴(yán)重,Meta15和Meta16的布線資源均比較寬裕。一些研究表明,芯片成本與芯片面積的4次方成正比。為了降低成本,應(yīng)盡可能減小芯片面積。經(jīng)過(guò)反復(fù)嘗試之后,確定芯片的利用率為80%,芯片內(nèi)核(Core)面積約為2.474 mm2,總面積約為3.5 mm2,比預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)減小了約0.12 mm2。

          2 電源規(guī)劃
          在該電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的預(yù)設(shè)計(jì)階段,存在IRDrop的違規(guī),因此必須通過(guò)電源規(guī)劃來(lái)設(shè)計(jì)芯片的供電網(wǎng)絡(luò),以消除IR Drop違規(guī)。電源規(guī)劃的總體步驟包括全局電源網(wǎng)絡(luò)的連接、電源/地Pad規(guī)劃、電源環(huán)的設(shè)計(jì)和電源條的設(shè)計(jì)。


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