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          低功耗FPGA電子系統(tǒng)優(yōu)化方法

          作者: 時(shí)間:2010-02-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          2 優(yōu)化系統(tǒng)功耗的設(shè)計(jì)方法
            影響功耗的因素有溫度、電壓、翻轉(zhuǎn)率等,把的功耗P和影響它的因素x看成函數(shù)關(guān)系P(x),則減少功耗就是要尋找P(x)最小值。當(dāng)x代表的物理量不同時(shí),對(duì)應(yīng)P(x)的單調(diào)性也不同:x代表翻轉(zhuǎn)率時(shí),從公式(1)得知,翻轉(zhuǎn)率與動(dòng)態(tài)功耗呈線性關(guān)系,P(x)是單調(diào)遞增的,降低翻轉(zhuǎn)率能有效減少動(dòng)態(tài)功耗;x代表電壓和溫度時(shí),根據(jù)文獻(xiàn)[5]給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在一定x范圍內(nèi),P(x)單調(diào)遞增,降低溫度和電壓能顯著減少漏電流。電源電壓降低5%就可以降低靜態(tài)功耗10%,不過(guò)一般只能在標(biāo)準(zhǔn)電壓的±5%幅度內(nèi)調(diào)整。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,不需要對(duì)P(x)精確建模,只要大致確定P(x)的單調(diào)區(qū)間和單調(diào)性,就能找到功耗最小點(diǎn)。
            通常會(huì)遇到一些對(duì)功耗影響復(fù)雜交錯(cuò)的因素,它們對(duì)功耗的影響不容易判斷。假設(shè)有2個(gè)相互關(guān)聯(lián)的功耗影響因素x、y,P(x)、P(y)都是單調(diào)遞增或單調(diào)遞減的,但x和y不能同時(shí)向著P減少的方向變化,此時(shí)功耗P的最小值需要綜合考慮x和y的取值。在P(x,y)沒有建模的情況下,可以通過(guò)對(duì)(x,y)參數(shù)取樣后樣點(diǎn)的P值來(lái)簡(jiǎn)單判斷P(x,y)最小值點(diǎn),也就是選定(x1,y1)、(x2,y2)…(xn,yn)后,通過(guò)比較P(x1,y1)、P(x2,y2)…P(xn,yn)的大小得出最小值Pmin(xmin,ymin)。然后將(xmin,ymin)反饋到系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,便得到功耗最省的系統(tǒng)。
            圖3所示為一種系統(tǒng)功耗優(yōu)化方法,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),先確定對(duì)功耗有影響的2個(gè)關(guān)聯(lián)參數(shù)x、y,在滿足系統(tǒng)要求的前提下,選定一系列(x,y)組合,在每個(gè)(x,y)樣點(diǎn)通過(guò)XPower估算FPGA的功耗,再結(jié)合從數(shù)據(jù)手冊(cè)或?qū)嶒?yàn)里得到的外圍設(shè)備的功耗,可得到系統(tǒng)整體功耗值P(x,y),通過(guò)分析這些樣點(diǎn)上的系統(tǒng)功耗值大小,確定功耗最小點(diǎn)Pmin(xmin,ymin)。最后將這組參數(shù)(xmin,ymin)反饋到設(shè)計(jì)中,從而達(dá)到優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的目的。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/191793.htm

          3 系統(tǒng)功耗優(yōu)化實(shí)例
          3.1 FPGA讀寫SRAM系統(tǒng)設(shè)計(jì)
            FPGA讀寫SRAM的簡(jiǎn)單系統(tǒng)如圖4所示。

            為了與理論值比較,要求該系統(tǒng)功耗為可測(cè)的。通過(guò)控制線rst和CE的電平高低來(lái)控制FPGA和SRAM工作狀態(tài),通過(guò)測(cè)量電壓和電流可得到此時(shí)系統(tǒng)的功耗:當(dāng)rst為低時(shí),F(xiàn)PGA和SRAM都為空閑狀態(tài),測(cè)得的功耗為PFi+PSi(PFi為FPGA在idle狀態(tài)的功耗,PSi為SRAM在idle狀態(tài)的功耗,PFw為FPGA在work狀態(tài)的功耗,PSw為SRAM在work狀態(tài)的功耗,下同);當(dāng)rst為高,CE為高時(shí),F(xiàn)PGA為工作狀態(tài),SRAM為空閑狀態(tài),測(cè)得的功耗為PFw+PSi;當(dāng)rst為高,CE為低時(shí),F(xiàn)PGA和SRAM都為工作狀態(tài),測(cè)得的功耗為PFw+PSw。由SRAM數(shù)據(jù)手冊(cè)得知,PSi在?滋W量級(jí)[6]時(shí)可忽略不計(jì),所以控制線與所測(cè)得功耗關(guān)系如表1所示。

            選取讀寫頻率與讀寫時(shí)間占空比兩個(gè)因素分別做為功耗影響因素x、y,當(dāng)系統(tǒng)數(shù)據(jù)線位寬為8 bit時(shí),在滿足系統(tǒng)數(shù)據(jù)讀寫率為6 KB/s的前提下,只要x?y=6 K/s便能滿足,如(6 kHz,1)、(12 kHz,0.5)、(1 MHz,0.006)等。在理想狀態(tài)下,當(dāng)整體翻轉(zhuǎn)率一樣時(shí),功耗是一樣的,與讀寫頻率和讀寫時(shí)間占空比無(wú)關(guān)。但是實(shí)際中由于FPGA邏輯實(shí)現(xiàn)的差異,所以功耗會(huì)有差別,需要考慮x和y的取值來(lái)選擇一個(gè)功耗最小點(diǎn)。這里考慮的讀寫頻率x的范圍為0.5 MHz~9 MHz,故讀寫時(shí)間占空比y的范圍為6.7?10-4~0.012。



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