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          存儲(chǔ)市場(chǎng)缺貨嚴(yán)重 美光是如何謀劃的?

          作者: 時(shí)間:2017-07-03 來(lái)源:marketrealist 收藏
          編者按:隨著我們向萬(wàn)物互聯(lián)的世代邁進(jìn),更多的設(shè)備,每個(gè)設(shè)備的存儲(chǔ)容量也隨著升級(jí)而增加,需求的多樣化和供應(yīng)商整合,存儲(chǔ)市場(chǎng)周期越來(lái)越有利可圖。

           估算DRAM供應(yīng)

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201707/361286.htm

            DRAM行業(yè)供應(yīng)情況

            行業(yè)的玩家無(wú)法控制DRAM需求,因?yàn)樗艿浇K端消費(fèi)者需求的控制,這是難以預(yù)測(cè)的。但他們可以控制供應(yīng)。

            多年來(lái),DRAM市場(chǎng)從30家供應(yīng)商整合到3家:三星、SK Hynix和Micron。只有幾個(gè)行業(yè)參與者,可以保持供應(yīng)紀(jì)律,因?yàn)樗麄兎窒砹祟愃频男枨蟓h(huán)境。



            預(yù)計(jì)到2020年,DRAM行業(yè)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為15.0%-20.0%。

            有紀(jì)律的資本支出并不能阻止下滑

            供應(yīng)商沒(méi)有計(jì)劃在2017年增加新的DRAM生產(chǎn)能力。任何容量擴(kuò)張將來(lái)自技術(shù)轉(zhuǎn)型。這將導(dǎo)致2017年DRAM供應(yīng)邊際增長(zhǎng),反過(guò)來(lái)又將抬升DRAM價(jià)格。

            但是,這不同于3年前的情況。在摩根大通技術(shù)媒體與電訊會(huì)議上,首席財(cái)務(wù)官Ernest Maddock以2014年上市周期為例。

            2014年,SK海力士的DRAM設(shè)備的火災(zāi)使得市場(chǎng)上出現(xiàn)了大量缺貨。第二名,Micron正在鞏固日本Elpida Memory的業(yè)務(wù),這減慢了供應(yīng)增長(zhǎng)。這就推動(dòng)了三星的供應(yīng)負(fù)擔(dān)。

            三星解釋說(shuō),供需缺口有所不同,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手無(wú)法滿足需求。這樣就帶來(lái)了新的網(wǎng)絡(luò)容量。SK海力士和美光在2015年中期解決了他們的產(chǎn)能問(wèn)題。

            然而,增加的DRAM容量遇到PC業(yè)務(wù)的意外下滑,導(dǎo)致DRAM供大于求。雖然能力擴(kuò)張計(jì)劃好,但卻不能防止供過(guò)于求的情況。

           競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能?

            在美銀美林2017全球技術(shù)大會(huì)上,馬多克解釋說(shuō),諸如低借款成本和高DRAM價(jià)格等暫時(shí)性因素并不會(huì)影響供應(yīng)商的資本支出。

            他解釋說(shuō),新的DRAM設(shè)備上線將需要數(shù)十億美元,至少需要兩年時(shí)間。一旦容量上線,就可以在未來(lái)10~15年內(nèi)產(chǎn)生回報(bào)。因此,產(chǎn)能擴(kuò)張的決定受到需求的影響,工廠的規(guī)模取決于需求的強(qiáng)度。

            麥克多克表示,如果Micron認(rèn)為PC需求每年增長(zhǎng)5.0%,智能手機(jī)需求將會(huì)加速,Micron可能會(huì)考慮擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能。

            事實(shí)上,美光對(duì)DRAM需求的增長(zhǎng)并不樂(lè)觀,因此不會(huì)投資于新的產(chǎn)能。它更愿意投資新技術(shù),以促進(jìn)增長(zhǎng)。我們將在下一部分分析一下。

            美光的DRAM資本支出

            技術(shù)轉(zhuǎn)型推動(dòng)DRAM供應(yīng)增長(zhǎng)

            美光科技預(yù)計(jì)到2020年,DRAM行業(yè)的供應(yīng)量平均年增長(zhǎng)率為15.0%-20.0%,主要增長(zhǎng)動(dòng)力源于技術(shù)轉(zhuǎn)型。美光公司的首席財(cái)務(wù)官Ernest Maddock預(yù)計(jì)供應(yīng)將在此范圍的低端發(fā)展,因?yàn)槊總€(gè)高級(jí)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的增量都較少。



           技術(shù)轉(zhuǎn)型如何限制供應(yīng)

            在納斯達(dá)克第36次投資者大會(huì)上,Maddock解釋說(shuō),先進(jìn)技術(shù)不會(huì)產(chǎn)生更多的晶圓。

            DRAM設(shè)備可以在20nm(納米)節(jié)點(diǎn)上處理100個(gè)晶片。當(dāng)設(shè)施轉(zhuǎn)移到18納米節(jié)點(diǎn)時(shí),晶粒尺寸縮小,每晶圓位數(shù)可能增加25.0%-30.0%。

            隨著模具尺寸的縮小,設(shè)備必須在模具上沉積更多層,并蝕刻細(xì)紋理的幾何形狀。這增加了在蝕刻過(guò)程中花費(fèi)的時(shí)間。因此,相同的設(shè)備處理較少的晶圓,代替100個(gè)晶圓,先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)可以蝕刻95個(gè)晶圓。然而,每晶圓的位數(shù)會(huì)增加。

            每個(gè)節(jié)點(diǎn)收縮使得總體位數(shù)在增加,但由于更少的晶圓被蝕刻,所產(chǎn)生的增加位數(shù)正在下降。一家公司可以通過(guò)添加更多設(shè)備來(lái)處理100個(gè)晶圓。

            Micron的DRAM資本支出在哪里?

            隨著市場(chǎng)的成熟,資本密集度降低,這意味著與回報(bào)相比,花費(fèi)的資本少。雖然美光在DRAM收入中所占的收益超過(guò)了60.0%,但其資本支出占DRAM的40.0%-50.0%。

            在未來(lái)的兩三年內(nèi),美光計(jì)劃花費(fèi)20億美元將其日本(EWJ)工廠轉(zhuǎn)換為DRAM中心。它計(jì)劃開發(fā)用于智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和自駕車的下一代芯片。Nvidia和英特爾的主要客戶將其產(chǎn)品集中在AI 上,將專注于開發(fā)適用于AI應(yīng)用的高端DRAM產(chǎn)品。

            另一方面,三星在韓國(guó)的一個(gè)新的DRAM工廠投入了87億美元。

            接下來(lái),我們將看看NAND市場(chǎng)。

            美光的NAND需求展望

            DRAM的需求預(yù)計(jì)將以年均20.0%的速度增長(zhǎng),到2020年將以15.0%~20.0%的速度增長(zhǎng)。另一方面,NAND市場(chǎng)可能會(huì)比DRAM增長(zhǎng)快速。

            NAND市場(chǎng)占存儲(chǔ)市場(chǎng)的30.0%,即480億美元。在NAND市場(chǎng)中,320億美元用于非存儲(chǔ)產(chǎn)品,而160億美元用于SSD(固態(tài)硬盤)。NAND市場(chǎng)主要由美光、SK海力士和西數(shù)(WDC)-Toshiba合資公司把持。



            目前,所有NAND玩兒家正在進(jìn)行從平面到3D NAND的技術(shù)轉(zhuǎn)換。三星和美光在3D NAND市場(chǎng)上處于領(lǐng)先地位,其他的也在追趕。他們大多數(shù)可以在2017年下半年投入量產(chǎn)。TrendForce預(yù)計(jì)3D NAND將在第三季度占總體行業(yè)NAND產(chǎn)量的50.0%以上。

            由于需求不斷增加,向3D NAND的過(guò)渡形成了NAND供應(yīng)不足的局面。

            NAND需求前景

            美光預(yù)計(jì),2016~2020年,NAND的年復(fù)合增長(zhǎng)率為45.0%。這主要得益于SSD和移動(dòng)領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。

            SSD

            美光預(yù)計(jì),2016~2020年SSD需求將增長(zhǎng)超過(guò)50.0%。由于SSD更快、更耐用、功耗更高、存儲(chǔ)容量更高,因此SSD是HDD(硬盤驅(qū)動(dòng)器)的直接競(jìng)爭(zhēng)性替代品。雖然SSD在筆記本電腦和服務(wù)器中的采用率已經(jīng)上升,但仍然有很大的市場(chǎng)等待挖掘。

            像SanDisk和Micron這樣的存儲(chǔ)制造商已經(jīng)在供應(yīng)鏈中拓展產(chǎn)能,開始制造SSD,而不是為SSD提供閃存。

            移動(dòng)

            另一個(gè)重要的需求驅(qū)動(dòng)是移動(dòng)NAND。正如我們?cè)诒鞠盗械钠渌糠炙吹降?,每個(gè)智能手機(jī)的內(nèi)存容量正在顯著增加。即使是基本的移動(dòng)設(shè)備也有較高的內(nèi)存。美光預(yù)計(jì)2016~2020年移動(dòng)NAND需求將增長(zhǎng)40.0%~50.0%。

            由于美光在移動(dòng)NAND市場(chǎng)中占有的份額很小,因此供應(yīng)環(huán)境緊張,導(dǎo)致其他移動(dòng)NAND制造商無(wú)法滿足市場(chǎng)需求,因此有充足的機(jī)會(huì)增加其市場(chǎng)份額。蘋果在2017年推出其下一款iPhone時(shí),可能會(huì)占據(jù)整體NAND產(chǎn)能的主要部分。

            接下來(lái),我們來(lái)看看NAND供應(yīng)環(huán)境。

           美光對(duì)NAND供應(yīng)的看法

            由于存儲(chǔ)和移動(dòng)市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng),美光科技預(yù)計(jì)3D NAND需求將大幅增長(zhǎng)。NAND市場(chǎng)在2017上半年的供貨量增長(zhǎng)放緩后,平面NAND容量下降,主要精力都在安裝3D NAND設(shè)備上。

            這使得NAND市場(chǎng)供應(yīng)緊張。然而,隨著行業(yè)玩兒家將3D NAND產(chǎn)品上線,供應(yīng)可能在2017年下半年有所改善。



            NAND市場(chǎng)的資本支出

            三星計(jì)劃在2017年7月在韓國(guó)新建工廠,開始生產(chǎn)其64層NAND芯片。東芝和西部數(shù)據(jù)的合資企業(yè)計(jì)劃在2017年下半年開始生產(chǎn)64層3D NAND芯片。在生產(chǎn)36層和48層3D NAND芯片后,SK海力士推出了其72層3D NAND產(chǎn)品,并計(jì)劃于2017年下半年開始批量生產(chǎn)72層芯片。

            美光已經(jīng)將超過(guò)50.0%的NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D NAND,并計(jì)劃在2017年第三季度將其增長(zhǎng)到75.0%。

            新產(chǎn)能導(dǎo)致NAND供應(yīng)過(guò)剩?

            美光公司首席財(cái)務(wù)官Ernest Maddock并不期望在2017下半年推出新的3D NAND產(chǎn)品,從而在未來(lái)的12~18個(gè)月內(nèi)創(chuàng)造供大于求的情況。由于蘋果對(duì)其下一款iPhone的需求強(qiáng)勁,而SSD供應(yīng)商的需求也在不斷增加,他預(yù)計(jì)所有新產(chǎn)能將被吸收。

            在美銀美林2017全球技術(shù)大會(huì)上,Maddock表示,3D NAND技術(shù)需要高額的資本支出,因?yàn)榧夹g(shù)是新的。隨著技術(shù)的成熟,其資本密集度將逐漸減弱。

            下面,我們將介紹美光的3D NAND戰(zhàn)略。



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