格芯收購瑞薩非易失性電阻式RAM技術，加強存儲器產品組合

當地時間2月9日，晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，已收購瑞薩電子（Renesas）的專利和經過生產驗證的導電橋接隨機存取存儲器（CBRAM）技術，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現家庭、工業物聯網及智能移動設備的一系列應用。

格芯表示，這項交易進一步加強了格芯的存儲器產品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節點的嵌入式存儲器解決方案，擴展了其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線圖。這項技術將使客戶能夠進一步區分其SoC設計，并推動新一代安全和智能設備的發展。

據介紹，CBRAM具有低功耗、高讀/寫速度、制造成本降低以及對惡劣環境的耐受性的特點，適用于消費、醫療和部分工業應用。

2020年，格芯與Dialog半導體公司（該公司于2021年被瑞薩公司收購）達成了一項許可協議，將其CBRAM技術作為一種嵌入式、非虛擬的選擇。目前，CBRAM正在該公司的22FDX平臺上進行鑒定，并計劃將其擴展到其他平臺。