日立高新技術公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統

日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業知識，在那里占有最大的市場份額。

GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產的產率。

日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助于提高研發和大規模生產中的客戶收益率。

*1.CD-SEM（特征尺寸掃描電子顯微鏡）：一種高精度測量的設備，用于檢測晶片上形成的精細半導體電路圖案的尺寸。

*2.High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻）：與傳統設備相比具有改進的數值孔徑的極端紫外線（13.5nm波長）光刻設備。

發展背景

隨著半導體器件制造工藝的發展，N2（2納米生成節點）和A14（14埃生成節點）的研發正在進行中。除了在現有技術的器件中應用High-NA EUV光刻之外，預期器件結構的復雜性將增加，例如GAA*3和CFET*4結構。

因此，在廣泛的測量條件下，高速數據采集以測量各種材料和結構、穩定的操作，以及在尖端半導體器件工藝開發的研究階段和批量生產中改進工具到工具匹配的需求正在進一步增加。

*3.GAA（Gate All Around）：全環繞柵極晶體管。

*4. 垂直堆疊互補場效應晶體管技術（CFET）：堆疊互補晶體管，其中n-型和p-型器件被堆疊。

關鍵技術

1.用于High-NA EUV工藝的100V超低加速電壓和超高速多點測量功能

在High-NA EUV光刻工藝中，所使用的抗蝕劑更薄，因此，為了以高精度測量抗蝕劑，計量工具必須盡可能少地對抗蝕劑造成損壞。GT2000通過將開創性的100V超低加速電壓與我們專有的高速掃描功能相結合，實現了低損傷和高精度測量。此外，配備超高速多點測量模式，可快速確定制造工藝條件，檢測研發階段的異常情況。

2.用于3D器件結構的高靈敏度檢測系統

具有諸如GAA、CFET和3D存儲器等結構的3D設備除了傳統的CD測量之外，還需要測量圖案的深度、孔洞和溝槽的底部。GT2000配備了一個新的高度靈敏的檢測系統，能夠有效地檢測背散射電子，能夠實現越來越復雜的設備結構的高精度成像，并擴大了新測量應用的可能性。

3.新的平臺和新的電子光學系統，以提高工具對工具的匹配

負責過程監控的CD-SEEM最重要的性能要求之一是多個工具之間測量值的差異很小。GT2000新平臺和電子光學系統經過重新設計，以消除任何導致測量值差異的因素，從而改進工具到工具的匹配。

日立高新技術公司通過提供GT2000以及使用電子束技術的測量系統和光學晶片檢測系統，努力滿足客戶在半導體制造過程中的各種加工、測量和檢測需求。將繼續為產品提供創新和數字增強的解決方案，以應對未來的技術挑戰，并與客戶一起創造新的價值，同時為尖端制造做出貢獻。