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	 > EDA/PCB > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 優(yōu)化高電壓應(yīng)用的電源開(kāi)關(guān)
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          優(yōu)化高電壓應(yīng)用的電源開(kāi)關(guān)
          
						
          —— Optimising the power switch in high voltage applications
          
						
          
				作者：Zetex半導(dǎo)體分立式產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)理   Peter Blair
				時(shí)間：2007-04-10
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　如今，高電壓小負(fù)荷被應(yīng)用到多種領(lǐng)域。無(wú)論是啟動(dòng)器、電動(dòng)機(jī)、螺線管或變壓器、電源或電源轉(zhuǎn)換電路，都在無(wú)休止地追求更好的能源效能、更佳的可靠性和更少的成本及封裝體積。對(duì)于此類負(fù)荷范圍的電源開(kāi)關(guān)，這些技術(shù)上的要求似乎不外是“增強(qiáng)開(kāi)關(guān)的功率密度！”，但在實(shí)際應(yīng)用中如何才能夠達(dá)到最佳效果呢？
          

          　　在某種程度上，上述技術(shù)要求是自相矛盾的。例如，采用增加電源開(kāi)關(guān)芯片體積的方法來(lái)增強(qiáng)效能，確實(shí)可以通過(guò)降低工作溫度來(lái)減少傳導(dǎo)損失及改進(jìn)可靠性，但是這樣做的代價(jià)卻是成本及組件體積的增加。
          

          　　為了達(dá)到增強(qiáng)開(kāi)關(guān)功率密度的技術(shù)要求，我們必須考慮供電裝置制造的方方面面，包括芯片和組件的設(shè)計(jì)與構(gòu)造。當(dāng)考慮高達(dá)500V的擊穿電壓應(yīng)用時(shí)，以下三種潛在技術(shù)可供我們選擇：BJT、MOSFET或IGBT。
          

          IGBT
          

          　　與常規(guī)技術(shù)相反，IGBT將雙極性和MOSFET物理特性相結(jié)合，創(chuàng)造用于較大型組件的高效能高功率裝置。問(wèn)題是，額外發(fā)射極結(jié)增加至導(dǎo)通電壓的正向電壓，即使是在DPAK這樣的組件中，導(dǎo)通電壓仍然可超出1.8V，并且可能達(dá)到2.8V。熱電阻值可降至低于1
				
            
          
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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