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          Zetex晶體管提升電源功率密度

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          作者: 時間:2007-08-22 來源:EEPW 收藏

          模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Semiconductors (捷特科) 公司,推出一系列微型NPN及PNP,以迎合新一代設備中MOSFET柵極驅(qū)動需求。全新的ZXTN及ZXTP是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件,占板面積為2.5 x 3mm,板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持,有助于改善電路效率和降低工作溫度。

          亞太區(qū)銷售副總裁李錦華表示:“我們最新的雙極能夠支持20V至100V的工作電壓,使MOSFET柵極能以更高速度、更具效率地運行,勝過同類CMOS集成電路。它們同時還具有抗鎖定功能,從而提升整個系統(tǒng)的可靠性。另外,由于產(chǎn)品采用SOT23FF封裝,因此可以安裝在最靠近MOSFET的位置,有助于降低線路電感和振鈴效應?!?

          20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保證在7A和5A電流下分別提供100和110的增益。如果采用共發(fā)射極配置連接,它們更能提供極快速的切換,傳播時間少于2ns,升降時間在10ns和20ns之間。該類產(chǎn)品的峰值電流性能高達15A,是用于柵極驅(qū)動集成電路極具成本效益的替代產(chǎn)品。



          在用于POL DC-DC模塊和應急照明設備的、采用自振蕩和推挽拓樸結構的飽和式開關應用中,晶體管的低飽和電壓能力可提供顯著的優(yōu)勢。以額定電壓為60V的ZXTN19060CFF NPN產(chǎn)品為例,它在1A電流和10mA基極驅(qū)動下的飽和電壓僅為150mV,在2A電流和40mA基極驅(qū)動下為 135mV。



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