臺(tái)積電與CEA-Leti合作推動(dòng)無(wú)光罩微影技術(shù)

　　為積極朝向22納米制程技術(shù)前進(jìn)，臺(tái)積電宣布與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)畫，就半導(dǎo)體制造中的無(wú)光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作，這項(xiàng)計(jì)畫為期3年。日前曾傳出，由于經(jīng)濟(jì)前景不明，部分設(shè)備商延后22納米制程技術(shù)研發(fā)，臺(tái)積電此舉則希望更積極主動(dòng)推動(dòng)22納米無(wú)光罩微影技術(shù)。

　　這次臺(tái)積電參與的CEA-Leti IMAGINE研究計(jì)畫為期3年，所有參與這項(xiàng)計(jì)畫的公司都可取得無(wú)光罩微影架構(gòu)供IC制造使用，也可以藉由設(shè)備商Mapper所提供的技術(shù)提高生產(chǎn)效率。這項(xiàng)研究計(jì)畫包涵了無(wú)光罩技術(shù)的設(shè)備評(píng)估、制像與制程整合、資料處理、原型制作與成本分析等多項(xiàng)技術(shù)。

　　臺(tái)積電研發(fā)副總孫元成表示，推動(dòng)具成本效益的微影技術(shù)，而發(fā)展無(wú)光罩微影技術(shù)即是潛在的解決方案之一。之前臺(tái)積電已宣布與Mapper一同開發(fā)多重電子束微影技術(shù)，供22納米及更先進(jìn)的制程使用，這次藉由參與CEA-Leti的IMAGINE研究計(jì)畫，希望與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)盟，加速無(wú)光罩微影技術(shù)在IC制造領(lǐng)域的發(fā)展與推廣。

　　CEA-Leti總執(zhí)行長(zhǎng)Laurent Malier也指出，微影技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一項(xiàng)主要挑戰(zhàn)，未來(lái)采用無(wú)光罩的解決方案可提供彈性與得到機(jī)臺(tái)的成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)與設(shè)備商Mapper相結(jié)合，也看到了提升生產(chǎn)效率的可能性。這次臺(tái)積電的加入對(duì)IMAGINE研究計(jì)劃相當(dāng)重要，從臺(tái)積電的角度，不僅可強(qiáng)化制造可行性的評(píng)估，同時(shí)重量級(jí)業(yè)者參加，也將帶領(lǐng)無(wú)光罩微影技術(shù)邁向發(fā)展進(jìn)程下一步，成為可運(yùn)用在22納米制程的解決方案。

　　臺(tái)積電日前表示，目前Fab12 P4已經(jīng)導(dǎo)入機(jī)器設(shè)備，接下來(lái)將做為臺(tái)積電的研發(fā)總部，未來(lái)將投入28、22納米制程技術(shù)研發(fā)與先期量產(chǎn)工作。臺(tái)積電于45納米導(dǎo)入浸潤(rùn)式微顯影(immersion lithography)也是與設(shè)備商ASML共同開發(fā)的成果，而在22納米制程技術(shù)以下，臺(tái)積電除了與ASML共同合作深紫外光(EUV)解決方案，也尋求無(wú)光罩微顯影的解決方案。