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本文探討物聯(lián)網(wǎng)(IoT)電池技術(shù)。將描述設(shè)計(jì)人員面臨的一些電源問(wèn)題,以及ADI公司提供的解決方案。這些解決方案非常高效,可以幫助克服物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的其他問(wèn)題,包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備越來(lái)越多地用于工業(yè)設(shè)備、家居......
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示:由于功率回路里的寄生電感(主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的),電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線電壓(S1通S2關(guān)時(shí))變化到低于地的負(fù)壓(S1關(guān)閉時(shí))......
摘? 要:本文研究了P型保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅(DDSCR)靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR)和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在 高壓工藝......
隨著市場(chǎng)對(duì)筆記本電腦快充需求的增加,英飛凌針對(duì)28V輸出, 推出USB PD3.1高功率密度方案,突破了長(zhǎng)期以來(lái)的100W功率限制,最高功率可達(dá)到140W,進(jìn)一步提高筆記本的充電效率,可以滿足更大功率的設(shè)備供電。英飛凌U......
在通用變頻器或伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常會(huì)用到英飛凌的PIM模塊(即集成了二極管整流橋+剎車(chē)單元+IGBT逆變單元的模塊)。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級(jí)來(lái)合理配置的,且由于其多數(shù)都是......
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開(kāi)爾文連......
在IGBT時(shí)代,門(mén)極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未有約定俗成的門(mén)極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門(mén)極電壓選擇......
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車(chē)充電樁的開(kāi)發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。在第六部分中,我們將注意力轉(zhuǎn)向驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動(dòng)電路。由于......
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē),可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。富昌電子(Future Elec......
在之前的技術(shù)文章中,介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù),本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的發(fā)展,走向了絕緣體上硅(silicon-on-insulator,......
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