?三星 文章 進(jìn)入?三星技術(shù)社區(qū)
三星“緊跟”臺積電:對中國大陸暫停提供7nm及以下制程的芯片
- 據(jù)外媒報道,美國商務(wù)部已向臺積電發(fā)函,對7nm及以下制程的芯片實施更為嚴(yán)格的出口管控措施,特別是針對人工智能(AI)和圖形處理器(GPU)領(lǐng)域。對此臺積電計劃提高與客戶洽談與投片的審核標(biāo)準(zhǔn),擴(kuò)大產(chǎn)品審查范圍 —— 同時,已通知中國大陸的部分芯片設(shè)計公司,從即日起暫停向它們提供7nm或以下制程的芯片。臺積電回應(yīng)稱,對于傳言不予置評。從最新的傳聞來看,雖然美國目前尚未正式出臺相關(guān)的限制細(xì)則,但三星似乎也受到了來自美國商務(wù)部的壓力,不得不采取與臺積電類似的舉措。有消息稱,三星與臺積電近日向他所投資的企業(yè)發(fā)送郵件
- 關(guān)鍵字: 三星 臺積電 7nm 制程 芯片
全球智能手機(jī)平均售價創(chuàng)歷史新高
- 根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布的最新顯示, 預(yù)計2024年全球智能手機(jī)平均售價(ASP)將達(dá)到365美元,同比增長3%。價格上漲的關(guān)鍵因素是物料清單(BoM)成本增加,其中芯片(SoC)價格的上漲起到了重要作用。這一上漲趨勢的背后是全球智能手機(jī)市場高端化的加速,各大智能手機(jī)制造商紛紛加快集成生成式AI技術(shù),并不斷拓寬AI的應(yīng)用范圍。例如,以小米最新發(fā)布的15系列為例,搭載高通驍龍8至尊版芯片,售價較前代上漲了70美元。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示:2024年第
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) 蘋果 三星 小米
高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料:單核破 4000 分,多核提升超 20%
- 11 月 12 日消息,消息源 Jukanlosreve 昨日(11 月 11 日)在 X 平臺發(fā)布推文,曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分,多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息,高通第二代驍龍 8 至尊版芯片(高通驍龍 8Gen 5)將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展(Scalable Matrix Extensio
- 關(guān)鍵字: 高通 驍龍 單核 多核 三星 SF2 代工 臺積電的 N3P 工藝
三星陷入良率困境,晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%
- 根據(jù)韓國三星證券初步的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,三星3nm GAA制程的良率約為20%,比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時,三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單,高通的訂單全給了臺積電,同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求,三星并不堅持使用自家代工廠,即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片,放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域,臺積電拿
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm 良率 晶圓 代工 臺積電
Counterpoint 報告 2024Q3 印度手機(jī)出貨量
- 10 月 31 日消息,市場研究機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 昨日(10 月 30 日)發(fā)布博文,報道稱 2024 年第 3 季度(7~9 月)印度智能手機(jī)出貨量同比增長 3%,出貨值同比增長 12%,創(chuàng)下歷年第 3 季度歷史新高。IT之家援引該博文內(nèi)容,按照出貨量和出貨值兩個緯度,簡要梳理下各家品牌的表現(xiàn):一、出貨量vivovivo 得益于其多樣化的產(chǎn)品組合和 T 系列的成功擴(kuò)展,全年保持健康的庫存水平,在印度智能手機(jī)市場重新奪回了首位,市場占有率為 19.4%,出貨量同比增長 26
- 關(guān)鍵字: Counterpoint 印度手機(jī) 出貨量 vivo 小米 三星 OPPO
消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)
- 10 月 29 日消息,《韓國經(jīng)濟(jì)日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示,根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖,三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400,而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 納米級)DRAM。報道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 將被命名為 BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
- 關(guān)鍵字: 三星 存儲 V-NAND
三折疊?代號暗示三星 Galaxy Z Fold7 手機(jī)將推 2 種機(jī)型
- 10 月 25 日消息,科技媒體 Galaxy Club 昨日(10 月 24 日)發(fā)布博文,曝料稱三星目前已研發(fā)新款折疊手機(jī),并透露 Galaxy Z Fold7 會有兩種版本。援引該媒體報道,附上三星新款折疊手機(jī)代號如下:Galaxy Z Flip7:代號 B7Galaxy Z Fold7:代號 Q7新 Fold 衍生機(jī)型:代號 Q7M(具體含義尚不明確)目前尚不清楚 Q7M 代號的含義,不排除是三折疊手機(jī)的可能。IT之家曾報道,三星已完成開發(fā)三折疊手機(jī)相關(guān)部件,有望在 2025 年發(fā)布,不過最新消息
- 關(guān)鍵字: 三星 折疊屏手機(jī) 三折屏
臺積電要當(dāng)心?英特爾想找三星組大聯(lián)盟
- 臺積電大幅領(lǐng)先三星和英特爾,這讓兢爭對手很焦急,韓媒報導(dǎo),英特爾已尋求和三星建立「代工聯(lián)盟」,一起合作對抗臺積電。根據(jù)《每日經(jīng)濟(jì)》報導(dǎo),英特爾一位高層人士最近要求會見三星高階主管,傳達(dá)英特爾執(zhí)行長季辛格希望親自與三星會長李在镕會面。報導(dǎo)提到,英特爾2021年成立代工服務(wù) (IFS) 后,始終未能吸引到訂單量較大的顧客,只與思科和AWS簽訂了合約;至于三星則深陷良率問題,雖然其晶圓代工部門持續(xù)進(jìn)行投資,但在產(chǎn)品良率上始終達(dá)不到客戶要求,導(dǎo)致與臺積電的市占率落差持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)Trend Force統(tǒng)計,第二季
- 關(guān)鍵字: 臺積電 英特爾 三星
全球智能手機(jī)出貨量同比增長4%,三星排名第一、蘋果緊追
- IDC公布數(shù)據(jù)顯示,2024年第三季度全球智能手機(jī)出貨量同比上漲4%,達(dá)到3.161億部,實現(xiàn)連續(xù)五個季度出貨量增長。排名前五的廠商分別為三星、蘋果、小米、OPPO以及vivo。其中,三星2024年Q3出貨量為5780萬部,市場占比18.3%,同比下降2.8%,也是排名前五品牌中唯一出現(xiàn)下滑的廠商。盡管出貨總量有所下降,三星依然保持市場領(lǐng)導(dǎo)地位,得益于Galaxy AI驅(qū)動的機(jī)型組合及折疊屏手機(jī)在內(nèi)的細(xì)分市場,三星在高端市場的份額持續(xù)增長。iPhone 15系列以及蘋果老機(jī)型的持續(xù)強(qiáng)勁需求,對其第三季度的
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) 三星 蘋果 iPhone
巨頭折戟!韓國三星徹底告別LED業(yè)務(wù):業(yè)績慘淡 競爭沒優(yōu)勢
- 10月21日消息,據(jù)央視財經(jīng)報道,由于集團(tuán)整體業(yè)績未達(dá)預(yù)期,韓國三星電子已進(jìn)行業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)調(diào)整,其半導(dǎo)體部門決定全面退出LED業(yè)務(wù)。三星電子在2012年通過合并三星LED公司進(jìn)入LED照明業(yè)務(wù),但近年來業(yè)績持續(xù)低迷,且在國際市場上逐漸失去競爭優(yōu)勢。報道稱,即使該業(yè)務(wù)每年銷售額能達(dá)到約104億元人民幣,但三星電子認(rèn)為其在公司總銷售額中占比很小,難以保障期待的利潤,決定將其剝離。退出LED業(yè)務(wù)后,三星將更專注于功率半導(dǎo)體和Micro LED業(yè)務(wù)等核心領(lǐng)域。值得一提的是,LG電子已于2020年宣布退出LED業(yè)務(wù),三
- 關(guān)鍵字: 三星 LED
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布,已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM(第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器)。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率,這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的各個領(lǐng)域,例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站,這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊執(zhí)行副總裁裴永哲(Bae YongCh
- 關(guān)鍵字: 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
三星李在镕:不考慮分拆晶圓代工業(yè)務(wù)
- 三星電子董事長李在镕周一(7日)向路透社表示,三星電子無意分拆晶圓代工業(yè)務(wù)和邏輯芯片設(shè)計業(yè)務(wù)。業(yè)界指出,由于需求疲弱,三星晶圓代工和芯片設(shè)計業(yè)務(wù)每年虧損數(shù)十億美元。 三星一直在擴(kuò)展邏輯芯片設(shè)計和合約芯片制造業(yè)務(wù),以降低對存儲器的依賴。為了超越臺積電,三星在晶圓制造業(yè)務(wù)投資數(shù)十億美元,在韓國和美國建新廠。 消息人士透露,三星努力獲得客戶大單,以填補(bǔ)新產(chǎn)能。雖然李在镕表示對分拆晶圓代工、邏輯芯片設(shè)計業(yè)務(wù)不感興趣,但他承認(rèn)三星在美國德州泰勒市新廠正面臨挑戰(zhàn),并受到局勢和美國選舉的變化。三星4月將該項目投產(chǎn)時間從
- 關(guān)鍵字: 三星 晶圓代工
三星電子將把AI技術(shù)應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)平臺
- 據(jù)外媒,當(dāng)?shù)貢r間10月3日,三星電子在美國加州硅谷麥克納里會議中心舉辦了2024三星開發(fā)者大會(SDC)。會上,三星電子重磅發(fā)布了將人工智能(AI)技術(shù)應(yīng)用于其物聯(lián)網(wǎng)(IoT)平臺SmartThings的計劃,標(biāo)志著家庭智能設(shè)備互聯(lián)互通的新進(jìn)展。報道稱,三星電子在此次大會上宣布的目標(biāo)是通過AI技術(shù)的輔助,將SmartThings平臺的功能進(jìn)一步擴(kuò)展到更多家庭產(chǎn)品,包括擴(kuò)展內(nèi)置SmartThings Hub設(shè)備至配備7英寸屏幕的家電設(shè)備。通過該項技術(shù),用戶無需額外Hub就能連接其他廠商設(shè)備。這一愿景不僅是為
- 關(guān)鍵字: 三星 物聯(lián)網(wǎng) AI
消息稱三星 Galaxy S25 系列手機(jī)代號 Paradigm,暗示帶來突破性改變
- IT之家 9 月 20 日消息,科技媒體 Galaxy Club 昨日(9 月 19 日)報道,三星 Galaxy S25 系列手機(jī)的代號為 Paradigm,直譯為范式 / 典范,暗示明年 1 月發(fā)布的新旗艦會帶來重大突破。三星 Galaxy S23 系列的內(nèi)部代號為 Diamond,而 Galaxy S24 系列的內(nèi)部代號為 Eureka,此前只是這些代號通常不會透露太多關(guān)于設(shè)備本身的信息。繼 D 和 E 之后,Galaxy S25 長期以來一直被毫無意義地標(biāo)注為字母“F”。消息源表示三星在
- 關(guān)鍵字: 三星 智能手機(jī) Galaxy
?三星介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條?三星!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對?三星的理解,并與今后在此搜索?三星的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對?三星的理解,并與今后在此搜索?三星的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473