?三星 文章 進入?三星技術(shù)社區(qū)
消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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英特爾欲退出代工競賽 三星得利？韓媒嘆真相難堪
- 美國芯片大廠英特爾正重新考慮放棄賠錢的代工業(yè)務(wù)，外界關(guān)注是否會讓三星受益，但韓媒保守看待，直指三星想在2030年擊敗臺積電，似乎是一個不切實際的目標(biāo)。根據(jù)《韓國先驅(qū)報》報導(dǎo)，有專家表示，三星尋求在臺積電主導(dǎo)的代工市場里分一杯羹，雖然英特爾的退出可能是有利的，因為消除潛在的威脅，不過成效恐怕有限。由于芯片制造成本高昂，英特爾一直在虧損，累計上半年虧損已達53億美元，如果英特爾決定出售代工業(yè)務(wù)，三星有機會擴大業(yè)務(wù)，但臺積電和三星都被視為可能的潛在買家，臺積電又是強敵。行業(yè)觀察人士認(rèn)為，三星要在2030年擊敗臺
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三星被臺積電狠打 韓媒嘆自信心都快沒了
- 韓廠三星對于維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位信心漸失？根據(jù)韓媒朝鮮日報報導(dǎo)，三星從2020年財報以來，財報內(nèi)已不見「世界第一」（world's first）的措辭。雖然三星技術(shù)上不斷追趕臺積電腳步，但產(chǎn)能與良率仍有明顯差距。報導(dǎo)分析三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門這10年來的財報，從2014年到2019年，三星每份財報都提到推出全球第一個新產(chǎn)品，并強調(diào)領(lǐng)先對手的差距，高度展現(xiàn)其信心。2020年碰到疫情，三星當(dāng)時坦承對市場環(huán)境構(gòu)成挑戰(zhàn)，仍抱持樂觀態(tài)度，但「世界第一」一詞，從這時開始在三星財報消失。三星的2021年和2022年財報
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三星導(dǎo)入最新黑科技 BSPDN技術(shù)曝光
- 三星為了與臺積電競爭大絕盡出，根據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導(dǎo)，三星計劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）芯片制造技術(shù)，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）技術(shù)縮小17%。三星代工制程設(shè)計套件（PDK）開發(fā)團隊副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細(xì)節(jié)，BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時采用BSPDN技術(shù)。BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術(shù)，該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面，進而排除電與
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三星攜手高通助力高級車載信息娛樂與高級駕駛員輔助系統(tǒng)
- 三星電子今日宣布，其用于高級車載信息娛樂（IVI）和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的LPDDR4X車載內(nèi)存，已通過高通最新的驍龍? 數(shù)字底盤?平臺驗證。這不僅證明了三星LPDDR4X車載存儲器的卓越性能，也體現(xiàn)了三星在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的深厚技術(shù)實力和長期支持客戶的堅實承諾。三星和高通攜手共同助力高級車載信息娛樂（IVI）和高級駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS）"三星豐富的DRAM和NAND車規(guī)產(chǎn)品組合，且均通過了AEC-Q100[1]驗證。因此，三星是高通技術(shù)公司攜手共進、為客戶打造長期解決方案的理想伙伴
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三星 VR 頭顯跑分曝光：16GB 內(nèi)存、驍龍 XR2+ Gen 2 芯片、安卓 14 系統(tǒng)
- IT之家 8 月 27 日消息，科技媒體 91Mobile 今天（8 月 27 日）發(fā)布博文，表示其在 GeekBench 跑分庫上發(fā)現(xiàn)了三星頭顯設(shè)備的蹤跡，6.3.0 版本最高單核成績?yōu)?1088 分，多核成績?yōu)?2093 分。IT之家查詢 GeekBench 跑分庫，發(fā)現(xiàn)三星頭顯設(shè)備型號為“SM-I130”，目前共有 7 條跑分記錄，均為 8 月 26 日上傳。根據(jù)跑分庫信息，該頭顯運行安卓 14 系統(tǒng)，配備六核處理器，基本時鐘頻率為 2.36 GHz，從配置來看應(yīng)該是驍龍 XR2
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三星驚爆侵權(quán) 哈佛大學(xué)怒提告
- 韓三星電子今年第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收超車臺積電，時隔2年重回半導(dǎo)體王者寶座。不過據(jù)外媒報導(dǎo)，美國知名學(xué)府哈佛大學(xué)指控三星在微處理器與內(nèi)存芯片領(lǐng)域侵犯了其2項專利，相關(guān)技術(shù)還涉及三星多款手機。綜合路透社等外媒報導(dǎo)，三星已遭哈佛大學(xué)在德州聯(lián)邦法院起訴。哈佛大學(xué)指控，三星生產(chǎn)微處理器與內(nèi)存芯片的技術(shù)侵犯了該?；瘜W(xué)教授Roy Gordon與其他4位發(fā)明人在2009年與2011年獲得的專利，這4人曾是Roy Gordon教授實驗室的博士后或研究生。哈佛大學(xué)的律師在訴狀中宣稱，三星未經(jīng)授權(quán)在其微芯片、智能型手機與半導(dǎo)體
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試，預(yù)計今年底開始交付
- 三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試？三星回應(yīng)稱并不屬實
- IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時候路透社報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試?，F(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應(yīng)稱該報道并不屬實。對于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無法證實與客戶相關(guān)的報道，但該報道不屬實?！贝送?，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進行中，與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達的測試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著移動設(shè)備功能的不斷增強，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設(shè)計，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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三星超車臺積電 重登半導(dǎo)體王者寶座
- 在AI熱潮帶動下，不僅臺積電賺飽飽，就連臺積電創(chuàng)辦人張忠謀認(rèn)證為最大勁敵的三星電子，也受惠于AI市場的強勁需求，第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收年增94%至28.56兆韓元，為2022年第2季后，時隔2年超車臺積電，重新登上半導(dǎo)體王者寶座。三星電子今（31）日公布第2季財報，受惠于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)強勁，整體營收年增23%至74.07兆韓元，營業(yè)利益較去年同期飆升近15倍至10.44兆韓元，為2022年第3季以來首次超過10兆韓元。三星電子在7月初公布初步財報時，并未公布各項業(yè)務(wù)的具體營收，但在臺積電公布第2季營收為新臺
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三星工藝輸臺積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷
- 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時，最后統(tǒng)計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場文化，強調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場，沒恢復(fù)根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營運的困境?！谷歉偁帉κ諷K海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕，
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高通入門級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz
- 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內(nèi)核和6個A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍(lán)牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
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SEMI日本總裁稱先進封裝應(yīng)統(tǒng)一：臺積電、三星、Intel三巨頭誰會答應(yīng)
- 7月28日消息，SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業(yè)界盡早統(tǒng)一封測技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，尤其是先進封裝領(lǐng)域。他認(rèn)為，當(dāng)前臺積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰(zhàn)，使用不同的封裝標(biāo)準(zhǔn)，這不僅影響了生產(chǎn)效率，也可能對行業(yè)利潤水平造成影響。目前僅臺積電、三星和Intel三家公司在先進制程芯片制造領(lǐng)域競爭，同時隨著芯片朝著高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發(fā)展，對封裝技術(shù)提出了更高的要求。目前，先進封裝技術(shù)以倒裝芯片（Flip-Chip）為主，3D堆疊和嵌入式基板封裝（ED）的增長速度也非?？?。HBM內(nèi)
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