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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?氮化鎵

          氮化鎵或?qū)⑨尫殴夥夹g(shù)的長期潛力

          • 2023 年全球可再生能源發(fā)電量首次超過全球總發(fā)電量的 30%創(chuàng)歷史新高,這則消息的背后是技術(shù)的不斷創(chuàng)新與突破。一直以來,可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性,比如對于光伏而言,只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電,而無法根據(jù)需求而定。不過,隨著儲能技術(shù)的推進(jìn),微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術(shù)方向演進(jìn),且隨時可以按需智能地融入電網(wǎng)。一個重要且可預(yù)見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產(chǎn)的重要組成部分,提供更高的功率密度,更小的外部無源元件、從而降低系統(tǒng)成本,增加系統(tǒng)效率,提供智能電網(wǎng)的彈性。作為氮化鎵供應(yīng)商的先驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  光伏  TI  

          美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

          • 美國和印度達(dá)成協(xié)議,將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠,助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體,這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會提供了新的關(guān)注點。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  氮化鎵  碳化硅  

          信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

          • 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵,傳來新消息:日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日,信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN(氮化鎵)外延生長的300毫米(12英寸)QSTTM襯底,并于近日開始供應(yīng)樣品。圖片來源:信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看,盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN,但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板,因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù),可實現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長,并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QS
          • 關(guān)鍵字: 信越化學(xué)  氮化鎵  外延生長  

          三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體

          • 根據(jù)韓媒報道,9月2日,三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料,具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢,IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力,并一直在推動其進(jìn)入市場。去年6月,在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上,該公司正式宣布:“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。”根據(jù)這一戰(zhàn)略,三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
          • 關(guān)鍵字: 三星  氮化鎵  功率半導(dǎo)體  

          泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試

          • _____在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實驗室,2024年8月份,我們有幸見證了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化鎵(GaN)功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商,其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升,不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進(jìn)步,也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月,我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件,其額定工作條件提升至1200V/20A(70mΩ),在柵極電壓12V的條件下,輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升,使得量芯微的GaN器件在
          • 關(guān)鍵字: 202409  量芯微  氮化鎵  泰克  

          拆解報告:HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018

          • 前言HUAWEI華為旗下快充產(chǎn)品相當(dāng)多,除了隨機(jī)附送的充電器外,這些年還陸續(xù)推出過多口充、超薄快充以及全能充等產(chǎn)品,其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動電源等品類,功率也有66W、88W、100W可選??梢哉f光是這個系列的產(chǎn)品,就相當(dāng)琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品,這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外,還額外擁有一個獨立的USB-C接口,這便使得充電器具有了同時為兩個華為系設(shè)備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進(jìn)行詳細(xì)拆解,一起來
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  華為  充電器  

          拆解報告:HP惠普65W 2C1A氮化鎵快充充電器ZHAN 65

          • 前言HP惠普是知名的國際電腦品牌,平時大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器,雖說大品牌的產(chǎn)品在用料規(guī)格和做工方面沒得說,但終歸不便攜。而隨著快充的普及,近期充電頭網(wǎng)拿到了惠普一款符合當(dāng)下主流消費者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個主流USB接口,不僅支持最大65W快充,還支持45W+20W等輸出策略,此外這款充電器還支持國內(nèi)新興的UFCS融合快充,可以說完全是一款針對國內(nèi)市場推出的快充產(chǎn)品。下面充電頭網(wǎng)就對其進(jìn)行拆解,看看做工用料如何?;萜?5W氮化鎵快充充電器開箱包
          • 關(guān)鍵字: 惠普  氮化鎵  充電器  

          氮化鎵外延廠瑞典企業(yè)SweGaN宣布已開始出貨

          • 8月13日,瑞典企業(yè)SweGaN宣布,公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)晶圓的新工廠已開始出貨,產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。資料顯示,SweGaN新工廠位于瑞典林雪平,于2023年3月動工建設(shè),可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示,旗下新工廠開始出貨標(biāo)志著公司從一家無晶圓廠設(shè)計廠商,正式轉(zhuǎn)型為一家半導(dǎo)體制造商。合作方面,今年上半年,SweGaN與未公開的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議,使其訂單量翻了一番,達(dá)到1700萬瑞典克朗(折合人民幣約115
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  SweGaN  

          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

          英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

          • 近年來,隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵(GaN)作為一種新型半導(dǎo)體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日,英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會,會上英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  英飛凌  GaN Systems  

          氮化鎵為何被如此看好,能否替代硅基材料大放異彩?

          • 氮化鎵材料相較于硅基材料,顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關(guān)速度,在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開關(guān)頻率的大幅提升,進(jìn)而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量,有效降低了物料消耗,彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外,在效率層面,氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū),通過實現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗(即單位面積上可達(dá)到的最小電阻),相較于硅材料實現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能,是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢,氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN    

          永銘電子:創(chuàng)新驅(qū)動,聚焦新能源與人工智能的未來

          • 在2024年7月11日的慕尼黑電子展上,EEPW采訪了上海永銘電子股份有限公司(以下簡稱“永銘電子”)。其以23年的深厚技術(shù)積累和創(chuàng)新精神,再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點。作為一家集研發(fā)、制造、銷售于一體的電容器企業(yè),永銘電子在新能源汽車電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、IDC服務(wù)器、算力服務(wù)器以及人工智能等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了其技術(shù)實力和市場競爭力。本屆慕展上的永銘電子展臺永銘電子自2001年成立以來,一直致力于電容器的研發(fā)與創(chuàng)新。公司目前擁有十個事業(yè)部,專注于新能源汽車電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、服
          • 關(guān)鍵字: 電容  氮化鎵  永銘電子  電容  

          西電廣研團(tuán)隊攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

          • 7月12日消息,近日,西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。研發(fā)成果6英寸增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  電力電子芯片  

          革新GaN IPM技術(shù):引領(lǐng)高壓電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)入新時代

          • 在當(dāng)今能效需求日益增長的時代背景下,家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計師們正全力以赴地追求更高的能效標(biāo)準(zhǔn)。與此同時,他們也積極響應(yīng)消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟(jì)實用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設(shè)計挑戰(zhàn)在于,如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下,設(shè)計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟(jì)適用的電機(jī)驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計師們不斷創(chuàng)新,以實現(xiàn)能效與實用性的完美結(jié)合?;谝陨媳尘埃轮輧x器(TI)再次走在行業(yè)前沿,通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵(GaN)智能功率模塊(IPM),為高壓電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日,德州儀器在發(fā)布
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

          德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

          • 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。中國上海(2024 年 6 月 18 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  
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          ?氮化鎵介紹

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