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	?nand
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的 
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
　　Western Digital(WD)內存技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D 
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          • 關鍵字：
                        NAND  堆棧                          
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          三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。
　　其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應用，務求與 I
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設廠美國
          
                                                            
            
                    	
          • 　　鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現(xiàn)擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設內存芯片廠。
　　東芝半導體競標案進入倒數(shù)計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。
　　郭臺銘補充，因為美國國內市場需求在當?shù)剡€沒達到，
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                           
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          NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
          
                                                            
            
                    	
          • NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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          • 關鍵字：
                        MLC  閃存  NAND  英特爾                          
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          每況愈下 東芝還能否從風暴中脫身？
          
                                                            
            
                    	
          • 公司內部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經(jīng)濟及東芝業(yè)績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業(yè)績歪風興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                           
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          NAND Flash下季度或史上最缺貨
          
                                                            
            
                    	
          • 　　NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。
　　群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。
　　潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。
　　群聯(lián)在今年4月時，手
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          • 關鍵字：
                        NAND                          
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          2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。

　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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          • 關鍵字：
                        NAND  SK海力士                          
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          Gartner：2016年全球半導體收入增長2.6%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強，定價環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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          • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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          物聯(lián)網(wǎng)風起 我國亟需建設自主存儲
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個術語的發(fā)明者)。
　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
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          • 關鍵字：
                        物聯(lián)網(wǎng)  NAND                          
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          東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠
          
                                                            
            
                    	
          • 　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業(yè)，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者?
　　韓聯(lián)社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產(chǎn)良機。
　　美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                           
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          中國必須建設自主存儲，為什么？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
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          • 關鍵字：
                        NAND  長江存儲                          
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          東芝是大股東的群聯(lián)董事長：東芝芯片會賣給日資
          
                                                            
            
                    	
          • 　　東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權入股。
　　潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產(chǎn)不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發(fā)東芝財務危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                           
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          傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達219.5億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。
　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。
　　存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約 
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                           
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          3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術關鍵
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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          • 關鍵字：
                        摩爾定律  3D NAND                          
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