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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)
- 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。 根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現(xiàn)高達
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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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東芝分拆半導體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數(shù)陣營的NAND Flash競爭力
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，東芝公司為提升半導體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)。預(yù)期分拆出來的新公司將有更多經(jīng)營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應(yīng)付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營壓力，并滿足籌措營運資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，DRAMeX
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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新興市場智能手機需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著全球?qū)τ谑謾C、電腦、汽車等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)增強，NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場，當?shù)叵M者智慧手機持有率大增，進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預(yù)計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。 群聯(lián)董事長潘建成表示，預(yù)計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產(chǎn)品需求仍舊強勁。因應(yīng)此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
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2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元
- 根據(jù) SEMI (國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預(yù)估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產(chǎn)產(chǎn)值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi)，全球半導體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
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存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？
- 在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。 為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
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中國集成電路擴建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。 長江存儲是國內(nèi)最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進水平。 隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的推進，中國IC業(yè)
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紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工 總投資超240億美元
- 中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠” 2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。 12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
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2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價格走揚
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。 TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現(xiàn)持續(xù)往上。 DRAMeXch
- 關(guān)鍵字： NAND TrendForce
為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
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