- 嵌入式系統(tǒng)的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
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Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
- 隨著近段時間以來,固態(tài)硬盤、內存條甚至優(yōu)盤等存儲設備的大幅度一致性漲價,影響著存儲設備漲價的背后關鍵性元件閃存顆粒,開始浮出水面,被越來越多的業(yè)內人士,反復解讀。
那么,在價格上起著關鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面,我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。
閃存顆粒的釋義及廠商
閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據,而且是以固定的區(qū)塊為單
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NAND 存儲器
- 隨著嵌入式系統(tǒng)產品的發(fā)展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要:由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導,現在已經變成了紫光公司主導,預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。
2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責建設,今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項目預
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SSD 3D NAND
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。
要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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Nand Flash 寄存器
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導,現在已經變成了紫光公司主導,預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。
2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責建設,今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開,初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產,武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠,最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片,盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代,然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。
盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代,但在存儲器技術改朝換代之際,大
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存儲器 NAND
- 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page),64個頁(page)組成1個塊(block),4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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Flash NAND 扇區(qū)管理
- 全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作,打算超車三星電子,搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告,要是WD和東芝真的追上三星,三星可能會擴產淹沒市場,重創(chuàng)NAND價格。
巴倫(Barronˋs)11日報道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和東芝計劃搶在三星之前,生產64層3D NAND flash,此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱,當前三星在業(yè)界握有主導權,將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
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西數 NAND
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示,在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現上漲,預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
- 關鍵字:
NAND 服務器
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現上漲,預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
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TrendForce NAND
- 未來半導體進入五大轉折,包括邏輯芯片制程技術推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應芯片愈來愈小,制圖成型依賴愈來愈高;移動設備導入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導體產業(yè)。
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NAND AR
- 半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據,且近年來壟斷程度逐步加劇。
- 關鍵字:
存儲器 NAND
- 據外媒報道,東芝今天將截至9月份的上半財年營業(yè)利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元),此前預期為300億日元。
受此消息推動,東芝股價在周三快速上漲,創(chuàng)下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調營業(yè)利潤預期,該公司在今年5月份最初預計上半財年將營業(yè)虧損200億日元。
智能機存儲芯片的強勁需求推動東芝上調營業(yè)利潤預期。另外,比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動作用。
芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現。盡管全球智能機市場表現乏力,但是中國智能機出
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東芝 NAND
- 先前,因為受到連續(xù)7年作假帳風波,因而導致公司商譽嚴重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測,預估將上調至850億日元的水準,較原本預估的700億日元調高21.43%,每股EPS也將達到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。
東芝于28日發(fā)出的消息表示,由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升,尤其在中國市場,在手機制造商不斷提升產品的儲存能力,所以需要性能越來越好的NAND閃存產品,導致相關價格的不斷上揚,如此以進一
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東芝 NAND
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