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          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

          • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop,I
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  存儲技術(shù)  

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

          • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
          • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

          NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

          • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
          • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

          美光:始終專注企業(yè)級閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級閃存  NAND   

          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

          • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點,他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
          • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

          3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

          • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高,許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  

          3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

          •   存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當(dāng)前,我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。   相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  

          美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場

          •   美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。   美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場,此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。   而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          機(jī)器學(xué)習(xí)或能為延長NAND壽命提供解決方案

          •   NAND在今日儲存市場中占有一席之地,而為了延長NAND的使用壽命,近來有研究提出,透過機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用,可讓NAND的儲存容量、耐久性以及資料保存達(dá)到最佳化。   InformationWeek網(wǎng)站報導(dǎo),近期數(shù)位資料儲存顧問機(jī)構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫而使儲存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善,使其生命周期延長。   一般來說
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          中國NAND閃存市場占全球1/3

          •   相對于舊式 HDD 硬盤的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風(fēng)向。不論是在移動設(shè)備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場,而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此,也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。   在NAND 閃存的市場部分,根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示,中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD   

          3D NAND風(fēng)暴來襲,中國存儲器廠商如何接招?

          • 中國正在下大力度推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個有利的突破口。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲器  

          儲存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開端

          •   在進(jìn)展緩慢的儲存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導(dǎo),NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置,后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器,便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始大受歡迎。   由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置,在速度、耐用性和重
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  
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          ?nand介紹

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