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          武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃 著手3D NAND研發(fā)

          •   大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法,武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距,但將是大陸市場上的潛在最大對手。   據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。   韓聯(lián)社引述EE Times
          • 關(guān)鍵字: 新芯  NAND  

          存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

          • 國內(nèi)大力扶持存儲,各種巨額的投資項(xiàng)目爭議不小,但是為了存儲自主的未來,也值。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D NAND  

          DRAM及NAND市場價(jià)格下跌 美光營收下滑

          •   不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià),跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營收下滑了30%,當(dāng)季凈虧損9700萬美元,對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。   美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào),當(dāng)季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。   美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎?

          • 在國家意志的推動下,中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主,完全可以在沒有后顧之憂的情況下,砸出工藝,暴出產(chǎn)能,在如此力度的政策、資金扶持下,武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么?
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND   

          中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程,目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品,代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下,將開始進(jìn)入新的里程碑。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋?,現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主,月產(chǎn)能約為2萬片左右,在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國際NAND Fla
          • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  

          投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

          •   國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報(bào)告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資,將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升,預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%,達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%,達(dá)421億美元。   SEMI指出,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  3D NAND  

          中國砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

          • 國內(nèi)終于要有了存儲,剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的,但長久來看還得是技術(shù)立足。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲  

          東芝將向NAND投資8600億日元,預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬億日元

          •   “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時(shí)間,但希望能獲得新生,成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說明會,代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。   東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會前一天,東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能,將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事,室町表示“希望在201
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn),誰輸在起跑線?

          •   為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。   1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競爭力   與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。  
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  2D  

          主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了?

          • 除供過于求價(jià)格下滑幅度加劇,現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸,另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題,制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
          • 關(guān)鍵字: NAND  美光  

          2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退

          •   2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求,除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外,智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期,也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,除價(jià)格下滑幅度加劇外,現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸,三星(Sam
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  

          2015年第四季NAND廠商營收排行

          •   2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求,除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外,智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期,也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,除價(jià)格下滑幅度加劇外,現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸,三星(Sam
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

          •   今年,半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù),從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。   由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求,促進(jìn)了由材料所推動的芯片尺寸縮微,推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下,對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備,對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外,隨著越來越多支持圖案
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌

          •   2015年中國半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外,主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位,也將成為下一波中國半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。   TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,在營運(yùn)上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外,多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機(jī)關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切,或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會

          •   在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會,在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?! 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品:  Ferri-eMMC?解決方案  Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 慧榮科技  NAND  
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          ?nand介紹

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