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          中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

          • 未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢,產(chǎn)品應(yīng)用也有機會從企業(yè)級儲存產(chǎn)品,向下延伸至消費性產(chǎn)品,這也是下一波國內(nèi)半導(dǎo)體的焦點。
          • 關(guān)鍵字: NAND  半導(dǎo)體  

          存儲器接連刷新歷史最高紀(jì)錄,768Gbit 3D NAND亮相

          •   在“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日于美國舊金山舉行)會議上,NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化,以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩(wěn)步進展,接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外,此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM,內(nèi)容 豐富?! 〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲,日本有2項(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

          3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放

          •   全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預(yù)計下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是,預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場,DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計在2015年下降11.6%,并在2016年進一步下降6.7%。   DRAM市場2016年供過于求   近期,我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

          •   根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導(dǎo),大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù),僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。   未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營,該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商,這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。   將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
          • 關(guān)鍵字: Toshiba  NAND  

          手機標(biāo)稱16G內(nèi)存,為何實際卻少于16G

          •   摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?   我們總是在說手機內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
          • 關(guān)鍵字: NAND FLASH  eMMC  

          慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

          •   慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強的控制器解決方案將有助加快推進最具競爭力的高性能SSD產(chǎn)品在市場上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費電子展期間(2016 Consumer Electronics Show),慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
          • 關(guān)鍵字: 慧榮科技  3D NAND  

          韓廠進入14納米平面NAND時代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)

          •   韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn),而SK海力士(SK Hynix)則預(yù)定在新的一年結(jié)束研發(fā)作業(yè),并導(dǎo)入量產(chǎn)體制。   韓媒ET News報導(dǎo),三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成,將于2016年上半投產(chǎn)。三星預(yù)定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上,公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士,也進入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉,SK海力士計劃將
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          中國下個購并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片

          •   中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認(rèn)為,中資集團下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  芯片  

          美光科技業(yè)務(wù)狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)

          •   個人電腦(PC)需求放緩嚴(yán)重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過60%的收入來自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過去一年里,美光科技股價跌去了60%。利潤和收入大幅下滑。利潤率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財季業(yè)績料將凸顯出艱難的經(jīng)營環(huán)境。   不過從歷史角度看,美光科技股價一直波動較大,周期性驅(qū)動的電腦芯片業(yè)務(wù)推動其股價起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱,過去一年里,美光科技的客戶一直在消化內(nèi)存庫存,預(yù)計這一
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

          東芝擬分拆NAND存儲器事業(yè)部 其他部門或裁員

          •   昨(18)日消息,被東芝(Toshiba)視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來,并考慮讓其上市、籌措研發(fā)所需的巨額資金;另外,大分、巖手兩縣的工廠將藉由替其他廠商代工、來強化收益能力。   報導(dǎo)指出,東芝將在12 月21日公布以電視、PC 以及家電等事業(yè)為中心的合理化措施,可能將裁撤數(shù)千名員工,而半導(dǎo)體事業(yè)和核能、醫(yī)療用機器部門皆被東芝定位為核心事業(yè),故東芝正急
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          TrendForce:經(jīng)濟前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

          •   全球經(jīng)濟依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TLC  

          掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

          •   NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應(yīng)用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。   NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進快速,平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本,在售價大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          清華紫光仍在就NAND知識產(chǎn)權(quán)與美光進行交涉?

          •   有報道指出,中國清華紫光集團作為立場建立國內(nèi)第一條閃存芯片代工體系的帶頭企業(yè),目前正在積極探尋收購美國芯片技術(shù)廠商股權(quán)的可能性。   根據(jù)路透社方面的報道,清華紫光集團董事長趙衛(wèi)國指出,他希望該集團能夠在未來五年內(nèi)成為全球第三大芯片制造商。而在今年11月底,該集團可能會與某家目前尚未確定的美國芯片企業(yè)達(dá)到股權(quán)收購協(xié)議。   趙衛(wèi)國指出,考慮到美國政府方面的顧慮,清華紫光集團可能無法購買協(xié)議對象的大部分股權(quán)。   此前曾經(jīng)有傳聞稱清華紫光有意收購美光公司,但由于美國政府認(rèn)為該公司由中方持有可能造成
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          清華紫光仍在就NAND知識產(chǎn)權(quán)與美光進行交涉?

          •   有報道指出,中國清華紫光集團作為立場建立國內(nèi)第一條閃存芯片代工體系的帶頭企業(yè),目前正在積極探尋收購美國芯片技術(shù)廠商股權(quán)的可能性。   根據(jù)路透社方面的報道,清華紫光集團董事長趙衛(wèi)國指出,他希望該集團能夠在未來五年內(nèi)成為全球第三大芯片制造商。而在今年11月底,該集團可能會與某家目前尚未確定的美國芯片企業(yè)達(dá)到股權(quán)收購協(xié)議。   趙衛(wèi)國指出,考慮到美國政府方面的顧慮,清華紫光集團可能無法購買協(xié)議對象的大部分股權(quán)。   此前曾經(jīng)有傳聞稱清華紫光有意收購美光公司,但由于美國政府認(rèn)為該公司由中方持有可能造成
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          市場供過于求 NAND廠商利潤面臨挑戰(zhàn)

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,2015年第三季NAND Flash價格下滑速度加快,整體營收僅較第二季成長約2.4%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第三季原先看好的旺季效應(yīng)需求并未出現(xiàn),來自于總體經(jīng)濟面的雜音讓各種NAND Flash終端需求銷售不如預(yù)期,也讓第三季整體NAND Flash市場呈現(xiàn)供過于求的格局,價格下滑的力道加強也讓業(yè)者營收成長與利潤保衛(wèi)也面臨挑戰(zhàn),第四季供過于求的情況將持續(xù),營收再度成長的動能也備受考驗。
          • 關(guān)鍵字: NAND  美光  
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          ?nand介紹

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