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慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存
- 在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產(chǎn)品。 SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
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Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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分析師：NAND第三季可望擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面來觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據(jù)韓國MT News報導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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存儲器價格波動大 業(yè)界穩(wěn)定機制受關(guān)注
- 在經(jīng)歷多次市場價格的大起大落后，全球存儲器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來邁向整合，使得定價漸趨穩(wěn)定。不過，近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預(yù)測數(shù)據(jù)，并歸因于快閃存儲器的價格下滑，引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩(wěn)定機制是否為曇花一現(xiàn)的假象，又或現(xiàn)狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。 據(jù)Barron's Asia報導(dǎo)指出，眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退，但許多專家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂觀態(tài)度，認(rèn)為與2014年積弱不振的表現(xiàn)相比，快閃存儲器的市場供需平衡現(xiàn)已漸入佳境，多數(shù)問題的發(fā)生恐是因公司而異，并非普遍的業(yè)界趨勢。
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 BusinessKorea報導(dǎo)，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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Stifel：3D NAND技術(shù)看起來很美好 但成本會持續(xù)多年居高不下
- 近年來，固態(tài)硬盤似乎已經(jīng)成為了計算機的標(biāo)配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著3D NAND技術(shù)前進(jìn)。與傳統(tǒng)的平面式(2D)設(shè)計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發(fā)現(xiàn)：為了實現(xiàn)這一點，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產(chǎn)和銷售后減退多少。 ? 影響利潤的一個主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復(fù)雜得
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閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。 當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 鎂光 3D NAND
東芝擴大符合e ?MMC5.1版標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會) e?MMC? 版 5.1[1]標(biāo)準(zhǔn)、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品集成了采用15nm工藝技術(shù)制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數(shù)字消費產(chǎn)品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB和64GB產(chǎn)品樣品即日起出貨，32G
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