?nand 文章 進入?nand技術(shù)社區(qū)
閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進行規(guī)?；虡I(yè)生產(chǎn)。 閃迪存儲技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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EMC：新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn)，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時趕上，填補了這部分市場空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內(nèi)容總結(jié)。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統(tǒng)市場的復(fù)合年均營收(目前為260億美元)將實現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨立混合系
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大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
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3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題，已進入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點從制程微細化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
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美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據(jù)整個存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機器對機器、移動設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
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美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項長達數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
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半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導(dǎo)，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米
- 存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業(yè)熱點話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進展情況如何?LPDDR4在市場上的應(yīng)用進程是怎樣的?移動產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 2015年手機存儲市場 著眼用戶體驗提升 目前業(yè)界對于2015年中國智能手機市場走勢的預(yù)測很多，總的觀點是增長率放緩。當(dāng)
- 關(guān)鍵字： NAND 14納米
2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%
- 根據(jù)市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進制程的轉(zhuǎn)進，改善成本架構(gòu)，以減低價格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門
- 存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價格連續(xù)兩個月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季，加上庫存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
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