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          NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月來新高

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,據(jù)臺(tái)灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存芯片價(jià)格在4月份的上半個(gè)月創(chuàng)7個(gè)月的新高,反應(yīng)了在上個(gè)月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲(chǔ)芯片價(jià)格的情況。   
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

          •   據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出,由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲(chǔ)器合資公司IM Flash,日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲(chǔ)器,這也使得智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)里的儲(chǔ)存裝置可以進(jìn)一步縮小。   
          • 關(guān)鍵字: Micron  NAND  

          英特爾和美光IM 廠合約將盡

          •   英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資,英特爾并未表態(tài)加入,引發(fā)外界對(duì)雙方合作關(guān)系,以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑,預(yù)計(jì)雙方將對(duì)外宣布最新的合作動(dòng)態(tài)?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

          Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

          •   Intel與鎂光公司本周四將對(duì)NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布,不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析:“我認(rèn)為他們這次可能會(huì)宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項(xiàng)目上的合作。這間工廠目前正計(jì)劃開始投產(chǎn)25nm制 程N(yùn)AND閃存芯片,并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)?!?   
          • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  

          海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

          •   2001年海力士(Hynix)受景氣波及,遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整,時(shí)隔10年,海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此,海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù),該公司現(xiàn)任執(zhí)行長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時(shí),目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款,并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存芯片  NAND  

          支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

          • 摘要:先對(duì)ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹,然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2.1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì),接口的設(shè)計(jì)等。對(duì)設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下,信號(hào)的對(duì)齊問題進(jìn)行了說明,并提出了一種解決方
          • 關(guān)鍵字: Flash  控制器  設(shè)計(jì)  NAND  模式  ONFI  同步  支持  

          iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè),較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺,刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

          溫州人開始炒電子元器件了

          •   《左手猶太人右手溫州人》書里這樣描述溫州人,“天生商人”。日本地震后,溫州人又發(fā)現(xiàn)了商機(jī)。溫州人白先生(化名)說:“現(xiàn)在好多人都在囤電子配件和鋼材等商品,因?yàn)榇蠹叶荚诓聹y(cè)過段時(shí)間日本的進(jìn)口稅率會(huì)下調(diào)?!?   
          • 關(guān)鍵字: 電子配件  NAND  

          海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

          •   韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言,可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分,海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長(zhǎng)線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場(chǎng)買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問題。   
          • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  NAND Flash  

          日本強(qiáng)震影響蘋果公司股價(jià)

          •   據(jù)經(jīng)濟(jì)之聲報(bào)道,蘋果公司這幾天股價(jià)連續(xù)大幅下滑,市值損失接近220億美元。周五的股市交易中,蘋果股價(jià)再一次小幅下挫。分析人士指出,在很多外在不確定因素的影響下,股價(jià)短期震蕩在所難免,日本地震對(duì)蘋果股價(jià)也有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  NAND  

          日本地震電子供應(yīng)鏈修復(fù)至少4月以上

          •   針對(duì)日本強(qiáng)震對(duì)電子供應(yīng)鏈的影響,美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示,由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單,而兩家占BT樹脂供給量的九成,使得基板供給影響比想象嚴(yán)重,目前預(yù)估這次震災(zāi)對(duì)NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%,預(yù)期這次電子供應(yīng)鏈修復(fù)期至少4-6個(gè)月?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: NAND  基板  

          VLSI上調(diào)2011年全球IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) VLSI Research 最近調(diào)升了對(duì) 2011年 IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率的預(yù)測(cè);該機(jī)構(gòu)先前估計(jì) 2011年全球IC市場(chǎng)將成長(zhǎng)8.1%、達(dá)到2,687億美元營(yíng)收規(guī)模,現(xiàn)在則是認(rèn)為今年度該市場(chǎng)成長(zhǎng)率為8.9%,營(yíng)收規(guī)模2,707億美元。   
          • 關(guān)鍵字: IC  NAND  

          iPad將推動(dòng)今年NAND閃存出貨量增長(zhǎng)近五倍

          •   據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報(bào)告稱,隨著消費(fèi)者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動(dòng)NAND閃存芯片的應(yīng)用增長(zhǎng)將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動(dòng)設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計(jì)將達(dá)到23億GB,比2010年消費(fèi)的4768億GB增長(zhǎng)382.4%。iSuppli預(yù)計(jì)到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1 

          •   存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降,除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外,市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中,唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?,海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!  
          • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND   
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