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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
- 關(guān)鍵字： NAND 9納米
東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%
- 華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資
- 2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率
- 針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 NAND
2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
- 2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。
- 關(guān)鍵字： SAMSUNG DRAM NAND
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