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          東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

          • 中國(guó)上海,2023年11月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。   截至目前,東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品,主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇,如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。&nbs
          • 關(guān)鍵字: 東芝  N溝道共漏極  MOSFET  

          以綠色數(shù)字科技點(diǎn)亮嶄新未來(lái) 東芝六赴進(jìn)博之約

          • 第六屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“進(jìn)博會(huì)”)正式拉開(kāi)帷幕。本屆展會(huì)上,東芝以“為了人類(lèi)和地球的明天”為主題,連續(xù)六次參加進(jìn)博會(huì),展示了在半導(dǎo)體、工業(yè)制造、減碳、能源、醫(yī)療、數(shù)字化六大領(lǐng)域的14項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)和解決方案。其中,東芝車(chē)載半導(dǎo)體產(chǎn)品、東芝分散·耦合式仿真平臺(tái)、良品學(xué)習(xí)AI圖像檢測(cè)技術(shù)、現(xiàn)場(chǎng)業(yè)務(wù)數(shù)字化MR軟件、音場(chǎng)優(yōu)化解決方案、離線語(yǔ)音識(shí)別模塊等多款創(chuàng)新數(shù)字化解決方案均首次參展進(jìn)博會(huì)。東芝(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總裁八木隆雄表示:“作為進(jìn)博會(huì)的‘鐵粉’,東芝已連續(xù)六年參加這一全球經(jīng)貿(mào)盛會(huì)。我們深刻感
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          智能插頭,讓電器更加智能

          • 隨著科技的飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品智能化在逐步走進(jìn)我們的生活,其中就包含著智能插頭。這些智能產(chǎn)品可以使我們的生活和工作更安全、更舒適、更便捷。同時(shí),也讓我們更好的享受生活。那么,智能插頭到底如何“智能”?其實(shí),智能插頭就是將原有的普通插頭接入到物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)之中,在保證原有的功能正常前提之下,使其帶有聯(lián)網(wǎng)的屬性,方便用戶(hù)可以遠(yuǎn)程控制智能插頭,從而控制接在智能插頭上的用電設(shè)備,降低引發(fā)危險(xiǎn)的可能性并提高人們的生活質(zhì)量。智能插頭的內(nèi)部構(gòu)造大致由電源轉(zhuǎn)換、MCU控制、繼電器、無(wú)線通信、外圍保護(hù)電路等部分組成,其中無(wú)線通信
          • 關(guān)鍵字: 東芝  智能插頭  

          東芝推出適用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中高頻信號(hào)開(kāi)關(guān)的小型光繼電器

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號(hào)中的插入損耗,并抑制功率衰減[1],適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸?shù)陌雽?dǎo)體測(cè)試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì),這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信號(hào)的傳輸特性提高到20GHz(典型值)[2]——與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3475S相比,插入損耗降低了約1/3[2]。TL
          • 關(guān)鍵字: 東芝  半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備  高頻信號(hào)開(kāi)關(guān)  光繼電器  

          東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新

          • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位,但SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性,適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用,而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性,能滿(mǎn)足要求高效率和小尺寸的千瓦級(jí)應(yīng)用。最為重要的一點(diǎn),SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì),SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此,使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外,SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍,因此它能提供更高的散熱能力
          • 關(guān)鍵字: 202310  東芝  SiC  GaN  

          東芝進(jìn)一步擴(kuò)展Thermoflagger?產(chǎn)品線---檢測(cè)電子設(shè)備溫升的簡(jiǎn)單解決方案

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,進(jìn)一步擴(kuò)展ThermoflaggerTM過(guò)溫檢測(cè)IC產(chǎn)品線---“TCTH0xxxE系列”。該系列可用于具有正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻的簡(jiǎn)單電路中,用來(lái)檢測(cè)電子設(shè)備中的溫度升高,六款新產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。為了使電子設(shè)備按規(guī)定運(yùn)行,半導(dǎo)體和其他電子元件必須在設(shè)計(jì)參數(shù)范圍內(nèi)工作。內(nèi)部溫度是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),特別是當(dāng)它高于設(shè)計(jì)流程中的假設(shè)溫度時(shí),它就可能成為安全性和可靠性方面的一個(gè)主要問(wèn)題,因此需要過(guò)溫監(jiān)測(cè)解決方案來(lái)檢測(cè)任何溫度升高。當(dāng)配置在具有PTC熱
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          人體傳感器設(shè)計(jì)秘籍

          • 人體傳感器是設(shè)計(jì)用于檢測(cè)人體靠近或離開(kāi)等特征的電子設(shè)備。隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起,其在消費(fèi)電子、汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備、樓宇自動(dòng)化、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域掀起了熱浪。在智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備上幾乎都能見(jiàn)到它的身影,用來(lái)檢測(cè)人體移動(dòng)過(guò)程或者跌倒告警是當(dāng)今一種重要的技術(shù)手段。同時(shí),在家庭和企業(yè)安全系統(tǒng)中也得了廣泛的應(yīng)用,例如人體探測(cè)器燈、移動(dòng)探測(cè)警報(bào)器、無(wú)線門(mén)鈴、智能沖水設(shè)備上都是基于此原理實(shí)現(xiàn)的。市場(chǎng)上有各種各樣的人體傳感器,但都可歸類(lèi)為這兩種:主動(dòng)人體傳感器(有源傳感器)和被動(dòng)人體傳感器(無(wú)源傳感器),且分為電池供電的人體檢測(cè)器以
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          東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開(kāi)爾文連接,有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影
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          東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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          東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)---“TPD4163F”和“TPD4164F”,可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。“TPD4163F”和“TPD4164F”的輸出電流(DC)額定值分別為1A和2A,于今日開(kāi)始支持批量出貨。這兩款新產(chǎn)品均采用表面貼裝型HSSOP31封裝,與東芝之前的產(chǎn)品相比,表貼面積減小了約63%[1]---這不僅縮小了電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路板的尺寸,同時(shí)也降低了電機(jī)高度。考慮到在供電不穩(wěn)定的地區(qū),供電電壓可能波動(dòng)較大,
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          東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。自動(dòng)駕駛系統(tǒng)等高安全級(jí)別的應(yīng)用可通過(guò)冗余設(shè)計(jì)確??煽啃?,因此與標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)相比,它們集成了更多的器件,需要更多的表貼空間。所以,要進(jìn)一步縮小汽車(chē)設(shè)備的尺寸,需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。XPJR6604PB和XPJ1R004
          • 關(guān)鍵字: 東芝  車(chē)載40V  N溝道功率MOSFET  

          羅姆將出資 3000 億日元聯(lián)合收購(gòu)東芝

          • IT之家 7 月 19 日消息,今年 2 月,日經(jīng)新聞表示東芝接受 JIP(Japan Industrial Partners)牽頭財(cái)團(tuán)的收購(gòu)要約,交易的規(guī)模約為 2 萬(wàn)億日元(當(dāng)前約 1036 億元人民幣),東芝董事會(huì)已批準(zhǔn)要約并向股東提交退市計(jì)劃。據(jù)日經(jīng)報(bào)道,日本芯片制造商羅姆公司在周二的董事會(huì)上宣布,將向 JIP 牽頭的財(cái)團(tuán)提供總計(jì) 3000 億日元(IT之家備注:當(dāng)前約 155.4 億元人民幣)的資金,用于擬議收購(gòu)東芝。據(jù)稱(chēng),如果收購(gòu)成功,該公司將向 JIP 領(lǐng)導(dǎo)的投資基金投資 1000
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  東芝  收購(gòu)  

          東芝推出第3代650V SiC肖特基勢(shì)壘二極管,助力提高工業(yè)設(shè)備效率

          • 中國(guó)上海,2023年7月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出最新一代[1]用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBDs)——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬,優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[2]。它們實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V(典型值)低正向電壓,比上一代的1.45V(
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          【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】——解密組合邏輯背后的強(qiáng)大用途!(下)

          • 在上一期的芝識(shí)課堂中,我們和大家一起了解了CMOS邏輯IC可以分為組合邏輯和時(shí)序邏輯,并以幾種典型電路單元的對(duì)應(yīng)邏輯關(guān)系詳細(xì)解讀了組合邏輯電路的原理。這一期芝識(shí)課堂中,我們將繼續(xù)和大家分享CMOS邏輯IC的基礎(chǔ)知識(shí),并通過(guò)實(shí)際電路單元來(lái)幫助大家分析組合邏輯和時(shí)序邏輯中各自所對(duì)應(yīng)的輸入和輸出之間暗藏的邏輯關(guān)系。多路復(fù)用器多路復(fù)用器也是一種典型的組合邏輯電路,比如東芝的74VHC157和74VHC153,多路復(fù)用器將從多個(gè)輸入信號(hào)中選擇一個(gè)信號(hào)并將其轉(zhuǎn)發(fā)到單個(gè)輸出線。圖1所示的時(shí)序圖顯示了如何從兩個(gè)輸入中選擇
          • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  

          東芝光繼電器推陳出新,小型化表貼封裝令測(cè)試設(shè)備尺寸更小

          • 繼電器的種類(lèi)有很多,如按結(jié)構(gòu)特征可分為固態(tài)繼電器、舌簧繼電器、極化繼電器等;按反應(yīng)類(lèi)型可分為電流繼電器、阻抗繼電器、頻率繼電器、光繼電器等。而東芝近期推出的產(chǎn)品TLP3406SRHA屬于光繼電器。光繼電器利用光電效應(yīng)原理,由發(fā)光元件和光敏器件構(gòu)成。當(dāng)加在發(fā)光元件上的信號(hào)達(dá)到某一閾值時(shí),就會(huì)使光敏器件的阻值發(fā)生急劇變化,從而起到閉合或斷開(kāi)電路的作用。器件的基本特性TLP3406SRHA光繼電器是TLP3406SRH的升級(jí)版本,其由與紅外LED耦合的光MOSFET組成,采用超小表貼S-VSON4T封裝,封裝尺
          • 關(guān)鍵字: 東芝  光繼電器  
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          東芝介紹

          東芝(TOSHIBA),是日本最大的半導(dǎo)體制造商,亦是第二大綜合電機(jī)制造商,隸屬于三井集團(tuán)旗下。 歷史 東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。 兩家公司中第一個(gè)成立的是田中制造所,那是日本國(guó)內(nèi)第一家電報(bào)設(shè)備制造公司;是由田中久重于1875年創(chuàng)立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀(jì)初期,公司以供應(yīng)日本國(guó)內(nèi)的重型機(jī)電制造為主業(yè);在明治維新之后,公司更躍升為世界的工業(yè)大廠之一。 [ 查看詳細(xì) ]

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