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其他ic／制程 文章 進(jìn)入其他ic／制程技術(shù)社區(qū)
高端制程壓力大 中芯國(guó)際憂(yōu)患多
- 4月14日，全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電公布了截至3月31日的2017財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電第一季度總營(yíng)收為2339.1億新臺(tái)幣(約人民幣530億元，單位下同)，凈利潤(rùn)達(dá)到198.54億元，同比增長(zhǎng)高達(dá)35.3%，充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。 按制程看，臺(tái)積電28nm以下先進(jìn)制程工藝占據(jù)晶圓代工收益的56%，其中16/20nm工藝、28nm工藝占營(yíng)收的比重為31%、25%。 中芯國(guó)際28nm尚待放量 而反觀大陸28nm進(jìn)展最快的中芯國(guó)際，其2016年第四
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 制程
【E問(wèn)E答】半導(dǎo)體新制程節(jié)點(diǎn)定位命名誰(shuí)說(shuō)的算數(shù)？
- 半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)名稱(chēng)出現(xiàn)前所未有的“增生”情況，產(chǎn)業(yè)界需要一種優(yōu)良的公用性能基準(zhǔn)，才能對(duì)不同業(yè)者的半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)行比較。 這段時(shí)間以來(lái)，晶圓代工業(yè)者紛紛將他們自己的最新制程節(jié)點(diǎn)以自己想要的市場(chǎng)定位來(lái)命名，并非依據(jù)任何透明化的性能基準(zhǔn)，而現(xiàn)在該是時(shí)候阻止這種“欺騙”行為。 英特爾(Intel)最近提出了一種簡(jiǎn)單、但在某種程度上有點(diǎn)“自私自利”的電晶體密度量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，其他晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則以“震耳欲聾的沉默&rd
- 關(guān)鍵字： 晶圓 制程
魯大師Q3季度芯片排行榜：看制程高歌猛進(jìn)
- 手機(jī)芯片好比一部手機(jī)的大腦。一款智能手機(jī)的程序運(yùn)行速度、流暢度、拍照、續(xù)航、網(wǎng)絡(luò)制式等大量的基礎(chǔ)性能的優(yōu)劣，其決定權(quán)均來(lái)自于手機(jī)處理器。因此，手機(jī)芯片對(duì)整個(gè)手機(jī)的性能有著決定性的作用。 近日，魯大師數(shù)據(jù)中心發(fā)布了2016年Q3季度的芯片排行榜。通過(guò)該排行榜，我們可以大致了解本季度手機(jī)芯片市場(chǎng)發(fā)展。 芯片市場(chǎng)變化 事實(shí)上，2016年的手機(jī)芯片幾乎已在上半年就大批量投入使用了，從魯大師發(fā)布的2016年Q3季度報(bào)告中的CPU純邏輯運(yùn)算性能測(cè)試TOP20可以了解到，本季
- 關(guān)鍵字： 芯片 制程
為什么說(shuō)7nm是物理極限？如何看待晶體管制程從14nm縮減到了1nm？
- 適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來(lái)看，7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過(guò)據(jù)外媒報(bào)道，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，采用碳納米管復(fù)合材料將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢? XX nm制造工藝是什么概念? 芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷
- 關(guān)鍵字： 制程 1nm
先進(jìn)制程發(fā)展?jié)摿选≡O(shè)備/材料商競(jìng)相出擊
- 半導(dǎo)體先進(jìn)制程發(fā)展持續(xù)升溫，相關(guān)封裝、材料及設(shè)備需求也跟著水漲船高。為因應(yīng)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，半導(dǎo)體業(yè)者紛紛祭出新型機(jī)臺(tái)、設(shè)備或化學(xué)材料解決方案，藉以強(qiáng)化自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并搶占龐大的先進(jìn)制程需求大餅。 2016 年Semicon Taiwan展的攤位數(shù)量達(dá)一千六百個(gè)攤位，預(yù)估參觀人數(shù)則上看4.3萬(wàn)人，展會(huì)規(guī)模將創(chuàng)歷年之最。從本次Semicon Taiwan展會(huì)盛況可看出，整體而言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)仍具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿Γ貏e是10奈米以下先進(jìn)制程，更是推動(dòng)半導(dǎo)體材料、設(shè)備需求的關(guān)鍵因素。 為滿(mǎn)足先
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 制程
半導(dǎo)體制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(huà)(參考閱讀)之后快速成長(zhǎng);而市 場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊?guó)上海成立的一座新晶圓廠是否會(huì)采用FD
- 關(guān)鍵字： 制程 FinFET
Xilinx新小封裝FPGA降低50%成本
- 2008年1月15日，中國(guó)北京-全球領(lǐng)先的可編程邏輯器件(PLD)供應(yīng)商賽靈思公司(Xilinx,?Inc.?(NASDAQ:?XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan?-3A?FPGA器件。針對(duì)數(shù)字顯示、機(jī)頂盒以及無(wú)線路由器等應(yīng)用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿(mǎn)足了業(yè)界對(duì)更小器件封裝尺寸的需求，為成本極為敏感的消費(fèi)電子設(shè)計(jì)提供將更好的支持。 Spartan-3系列平臺(tái):低成本消費(fèi)應(yīng)用的首選 賽靈思在大批量消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域所取得的成功很大程度上依賴(lài)于其S
- 關(guān)鍵字： Xilinx FPGA IC 制程
先進(jìn)制程競(jìng)賽Xilinx首重整合價(jià)值
- 由于ASIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能，同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題，尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后，其性?xún)r(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng)，應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。 掌握這樣的趨勢(shì)，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)。Xilinx企業(yè)策略與行銷(xiāo)資深副總裁SteveGlaser指出，預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會(huì)有1億美元的營(yíng)收，市占率高達(dá)61%，而2014年更將大幅成長(zhǎng)，目標(biāo)將成長(zhǎng)至2億5千萬(wàn)營(yíng)收表現(xiàn)，市占率也將成長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字： Xilinx 制程
c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計(jì)
- 行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計(jì)，目前相關(guān)設(shè)計(jì)多使用整合晶片減少元件用量，對(duì)于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì)造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設(shè)計(jì)… 矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級(jí)、改善的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，以往透過(guò)SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡(jiǎn)化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對(duì)于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來(lái)越高，
- 關(guān)鍵字： 3D 制程 矽穿孔
臺(tái)積電新制程 攻行動(dòng)穿戴
- 就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識(shí)元件、微機(jī)電及光感測(cè)元件等，都是臺(tái)積電未來(lái)2～3年的布局重點(diǎn)。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在上周法說(shuō)會(huì)中，特別提及特殊技術(shù)重要性，因?yàn)樾袆?dòng)裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片，會(huì)大量用到28納米以下先進(jìn)制程，但其它的類(lèi)比或感測(cè)芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 制程 NFC
ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
- 關(guān)鍵字： ARM 制程 14nm
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