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          海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

          •   2001年海力士(Hynix)受景氣波及,遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整,時(shí)隔10年,海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此,海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù),該公司現(xiàn)任執(zhí)行長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時(shí),目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款,并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。 
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存芯片  NAND  

          內(nèi)存芯片廠商醞釀漲價(jià)

          •   據(jù)《蘋果日?qǐng)?bào)》援引匿名消息提供者的說法稱,由于PC OEM廠商正在積極囤積庫(kù)存,內(nèi)存芯片廠商南亞公司計(jì)劃四月份將其產(chǎn)品的價(jià)格提價(jià)5%。報(bào)道還稱三星公司已經(jīng)知會(huì)其客戶稱4月上半月將對(duì)旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價(jià)5-6%,2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的合約價(jià)格有望爬升到2美元以上。  
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  DDR3  

          LPDDR2內(nèi)存統(tǒng)治移動(dòng)內(nèi)存芯片

          •   據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli稱,由于智能手機(jī)和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應(yīng)用程序,新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片占整個(gè)移動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的份額將增加。iSuppli稱,LPDDR2(低功率雙數(shù)據(jù)速率2)內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動(dòng)DRAM內(nèi)存領(lǐng)域中占統(tǒng)治地位的技術(shù)。到第二季度末,LPDDR2移動(dòng)內(nèi)存占移動(dòng)內(nèi)存的市場(chǎng)份額將從第一季度的31%提高到40%。 
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  DRAM  

          美光科技第二季度凈利潤(rùn)同比下滑80%

          •   美國(guó)內(nèi)存芯片大廠商美光科技(MU)日前發(fā)布了2011財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示,美光科技第二季度凈利潤(rùn)同比下滑80%,但每股收益和銷售額均超出華爾街分析師預(yù)期,主要由于用于手機(jī)和平板電腦的內(nèi)存芯片需求增長(zhǎng)。   
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  內(nèi)存芯片  

          日本地震波及全球產(chǎn)業(yè)鏈

          •   因?yàn)閾碛懈呖萍純?yōu)勢(shì),日本在很多領(lǐng)域特別是電子產(chǎn)業(yè),掌握著最上游的產(chǎn)品和核心技術(shù)。相比之下,全球很多地區(qū)只是為日本做配套。所以,此次大地震雖然發(fā)生在國(guó)土面積還不到中國(guó)4%的日本,但影響卻波及到了全球各個(gè)地區(qū)。地震對(duì)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)的影響可謂是牽一發(fā)而動(dòng)全身。日本的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移雖然很具規(guī)模,但并非我們想象的“產(chǎn)業(yè)空心化”。日本企業(yè)把核心技術(shù)和利潤(rùn)一直握在自己手里,移出去的只是低附加值的部分。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  內(nèi)存芯片  

          爾必達(dá)擬提高內(nèi)存芯片價(jià)格

          •   2月24晚間消息,日本爾必達(dá)總裁Yukio Sakamoto周四表示,公司可能將3月份的內(nèi)存(內(nèi)存)芯片價(jià)格較2月份提高10%-19%,因?yàn)榭紤]到移動(dòng)電子產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng),公司預(yù)計(jì)全球芯片價(jià)格將在3月份反彈。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  內(nèi)存芯片  

          預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格繼續(xù)下跌

          •   DRAM芯片價(jià)格近期是一路下滑,1Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)更是跌破了2美元大關(guān)。面對(duì)內(nèi)存芯片市場(chǎng)萎靡態(tài)勢(shì),三星高層認(rèn)為,這種局面恐怕直到明年二季度才能扭轉(zhuǎn)。   三星芯片部門總裁權(quán)五鉉表示:“內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)到明年二季度中期才會(huì)開始恢復(fù)。”  
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  

          DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲

          •   市場(chǎng)調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報(bào)告稱,今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲,這也引發(fā)了外界對(duì)于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費(fèi)支出的擔(dān)憂。從2005年開始,內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價(jià)格卻達(dá)到了2.03美元,相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價(jià)格上漲幅度非常小,但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。   其實(shí),二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始,DRAM芯片季度生產(chǎn)成
          • 關(guān)鍵字: DRAM  內(nèi)存芯片  

          沉浸式光刻機(jī)供貨緊缺 臺(tái)系內(nèi)存芯片廠制程升級(jí)受阻

          •   據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露,由于著名光刻設(shè)備廠商ASML生產(chǎn)的NXT:1950i沉浸式光刻機(jī)目前供貨十分緊缺,因此臺(tái)系內(nèi)存芯片廠商收到所訂購(gòu)的這種設(shè)備的時(shí)間 可能會(huì)再后延12個(gè)月之久,由于NXT:1950i沉浸式光刻機(jī)對(duì)這些廠商轉(zhuǎn)移到38nm以上級(jí)別制程至關(guān)重要,因此預(yù)計(jì)臺(tái)系內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換的進(jìn)度 會(huì)受到較大的影響。NXT:1950i 是荷蘭ASML公司最新開發(fā)的沉浸式光刻機(jī),可用于制造12英寸32nm及以上級(jí)別制程的產(chǎn)品.   此前曾有報(bào)道稱 NXT:1950i的訂貨至到貨日期已經(jīng)被拉長(zhǎng)到了將近12個(gè)月,
          • 關(guān)鍵字: ASML  光刻機(jī)  內(nèi)存芯片  

          分析師稱ASML應(yīng)該對(duì)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求負(fù)一定責(zé)任

          •   對(duì)于內(nèi)存廠商來說,已經(jīng)過去的2009年就像是一場(chǎng)噩夢(mèng)。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn),可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺,芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時(shí)間加長(zhǎng),產(chǎn)品價(jià)格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會(huì)議上,一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起,不過著名光刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。   ObjectiveAnalysis市調(diào)公司的分析師JimHandy認(rèn)為內(nèi)存市場(chǎng)的上揚(yáng)期恐怕不久便會(huì)結(jié)束,他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片市場(chǎng)將再度陷入供過于求的局面
          • 關(guān)鍵字: ASML  內(nèi)存芯片  50nm  

          分析師:ASML是導(dǎo)致內(nèi)存芯片供不應(yīng)求局面的罪魁之一

          •   對(duì)于內(nèi)存廠商來說,已經(jīng)過去的2009年就像是一場(chǎng)噩夢(mèng)。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn),可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺,芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時(shí)間加 長(zhǎng),產(chǎn)品價(jià)格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會(huì)議上,一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起,不過著名光 刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。     Objective Analysis市調(diào)公司的分析師Jim Handy認(rèn)為內(nèi)存市場(chǎng)的上揚(yáng)期恐怕不久便會(huì)結(jié)束,他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片
          • 關(guān)鍵字: ASML  內(nèi)存芯片  

          現(xiàn)代重工CEO:有興趣收購(gòu)海力士半導(dǎo)體

          •   韓國(guó)現(xiàn)代重工(HyundaiHeavyIndustriesCo.)仍在考慮收購(gòu)海力士半導(dǎo)體公司(HynixSemiconductorInc.)。   根據(jù)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》(MaeilBusinessNewspaper)29日?qǐng)?bào)道,現(xiàn)代重工首席執(zhí)行官LeeJai-Seong表示,該公司還沒有認(rèn)真的審核對(duì)海力士半導(dǎo)體的收購(gòu)可能,但從未完全放棄對(duì)該芯片公司的興趣。   他表示,這家現(xiàn)金充裕的造船企業(yè)被一些相關(guān)方聯(lián)系有關(guān)收購(gòu)海力士半導(dǎo)體事宜。海力士半導(dǎo)體是世界收入第二大的芯片廠商。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存芯片  

          海力士半導(dǎo)體股東出售價(jià)值4.9億美元股份

          •   7月27日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,海力士半導(dǎo)體股東今日對(duì)外表示,將以周一收盤價(jià)出售5844億韓元(約合4.907億美元)的海力士股票,占總股份的4.1%。   韓國(guó)外換銀行發(fā)言人稱,包括該行在內(nèi)的海力士大股東以每股23950韓元的價(jià)格出售2440萬股。
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          海力士第二季度營(yíng)收27.2億美元 同比增96%

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商海力士周四發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,受內(nèi)存芯片價(jià)格上漲及PC銷量增長(zhǎng)的推動(dòng),海力士第二季度業(yè)績(jī)超過了市場(chǎng)預(yù)期。   在截至6月30日的第二季度,海力士?jī)衾麧?rùn)為6648億韓元(約合5.502億美元)。這一業(yè)績(jī)好于上年同期,2009年第二季度,海力士?jī)籼潛p為580億韓元。海力士第二季度營(yíng)收同比增長(zhǎng)96%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的3.28萬億韓元(約合27.2億美元)。海力士第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為7465億韓元,高于去年同期的運(yùn)營(yíng)虧損6525億韓元。海力士
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          三星Q2獲利亮眼 惟下半年恐潑冷水

          •   三星電子周三將公布第二季獲利預(yù)估。路透社調(diào)查顯示,由于內(nèi)存芯片營(yíng)收創(chuàng)新高,三星第二季營(yíng)業(yè)凈利估為4.8兆韓元(40億美元),超越第一季的 4.4兆韓元、較去年同期的2.67兆韓元?jiǎng)t成長(zhǎng)近二倍,同時(shí)將再創(chuàng)歷史新高,營(yíng)收則達(dá)38.4兆韓元。內(nèi)存芯片貢獻(xiàn)三星一半的營(yíng)業(yè)凈利。   電視制造廠看好世界杯足球賽事將帶動(dòng)LCD電視需求,三星的面板訂單、營(yíng)收仍然強(qiáng)勁。三星較為弱勢(shì)的手機(jī)事業(yè)部,則因新智能型手機(jī)上市日程延后及手機(jī)營(yíng)收疲軟,再次受到打擊。   三星是全球最大內(nèi)存芯片供貨商,其內(nèi)存芯片事業(yè)雖明顯受惠于全
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          內(nèi)存芯片介紹

            簡(jiǎn)單地說:內(nèi)存之所以能存儲(chǔ)資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片!   根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識(shí)別辦法是:   具體含義解釋:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含義:   第1位——芯片功能K,代表是內(nèi)存芯片。   第2位——芯片類型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

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